一种修复希捷硬盘不能进入诊断模式的方法技术

本发明专利技术公开了一种修复希捷硬盘不能进入诊断模式的方法，包括以下步骤：S1：取下电路板调换ROM芯片；S2：判断是否能够进入诊断模式，能则结束，不能则进入S3；S3：硬短路电路板；S4：判断是否能进入诊断模式，若能则结束，若不能则进入S5；S5：修改ROM芯片内的适配参数。本发明专利技术分三步骤修复硬盘，保证修复过程快速且高效，修复成功率高，不会出现修复后敲盘和不适配等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种修复希捷硬盘不能进入诊断模式的方法
本专利技术涉及信息安全
，特别涉及一种修复希捷硬盘不能进入诊断模式的方法。
技术介绍
希捷硬盘诊断模式是希捷厂家特有的技术，在硬盘的检修中，希捷硬盘诊断模式会发挥非常重要的作用。但是在硬盘的使用中，由于不特定因素的影响，例如坏道、突然断电，电压不稳等等情况，会导致硬盘无法正常进入诊断模式。此时，现有技术会采用直接更换电路板的方式来处理这种问题，但是直接换电路板容易引起敲盘和不适配等问题。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的缺陷，提出一种修复希捷硬盘不能进入诊断模式的方法，包括以下步骤：S1：拆下故障硬盘的电路板，找另一个相同编号的匹配电路板，分别取下两个电路板的ROM芯片并将故障硬盘的ROM芯片安装在匹配电路板上，将匹配电路板安装至故障硬盘；S2：将硬盘通电后判断是否能够进入诊断模式，若能则结束，若不能则进入S3；S3：使用硬短路的方式短路故障盘电路板的两个诊断模式短接点；S4：判断硬盘是否能进入诊断模式，若能则结束，若不能则进入S5；S5：修改ROM芯片内的适配参数。所述S5的详细步骤如下：S501：选一个无故障的匹配盘，提取匹配盘的ROM芯片内所有数据至本地磁盘；S502：分析匹配盘的ROM数据头部0至4F位置，找到适配参数CAP、SAP、RAP的偏移位置特征，并计算每个适配参数大小；S503：根据偏移位置特征跳转至数据区位置，按照适配参数大小提取出CAP、SAP、RAP的数据段；S504：将CAP、SAP、RAP数据段的头部8字节和尾部8字节去掉；S505：提取故障盘的ROM数据，并找到CAP、SAP、RAP的数据位置；S506：用S504中的数据字段覆盖故障盘中的CAP、SAP、RAP数据；S507：将替换的数据写入故障盘的ROM中。作为优选，所述S3的详细步骤如下：S301：拆下电路板；S302：找到电路板的MCU芯片与磁头电路连接的电路；S303：找到MCU芯片与磁头电路之间的短接点并做记录；S304：将电路板装回盘体连接电脑，通过连接两个短接点测试硬盘是否可以进入诊断模式。作为优选，所述S304中短接方式包括三种：第一种为开电前短接，第二种为开电1-2秒后短接，第三种为开电后1秒内短接，1秒内再断开，1秒内再短接。与现有技术相比本专利技术的优点在于：分三步骤修复硬盘，保证修复过程快速且高效，修复成功率高，不会出现修复后敲盘和不适配等问题。附图说明图1为本专利技术实施例的主流程图；图2为本专利技术步骤S3的详细流程图；图3为本专利技术步骤S5的详细流程图。具体实施方式为了详细说明本专利技术的具体实施方式，下面结合附图说明：如图1所示，一种修复希捷硬盘不能进入诊断模式的方法，包括以下步骤：S1：拆下故障硬盘的电路板，找另一个相同编号的匹配电路板，分别取下两个电路板的ROM芯片并将故障硬盘的ROM芯片安装在匹配电路板上，将匹配电路板安装至故障硬盘；因硬盘出现不能进入诊断模式的故障时一般是除ROM芯片的其他位置出现问题，所以采用跟换电路板安装原有ROM芯片的方式来实现修复硬盘。S2：将硬盘与电脑连接采用硬盘工具判断是否能够进入诊断模式，若能则结束，若不能则进入S3；S3：使用硬短路的方式短路故障盘电路板的两个诊断模式短接点；此步骤为了在硬盘通电的情况下跳过可能存在故障的固件和不加载损坏的模块达到硬盘正常进入诊断模式的目的。S4：判断硬盘是否能进入诊断模式，若能则结束，若不能则进入S5；S5：修改ROM芯片内的适配参数，对影响进入诊断模式的引导代码和ROM数据体进行更改修正。如图2所示，所述S3的详细步骤如下：S301：拆下电路板；S302：通过检测工具找到电路板的MCU芯片与磁头电路连接的电路；S303：找到MCU芯片与磁头电路之间的短接点并做记录；S304：将电路板装回盘体连接电脑，通过连接两个短接点使其短路测试硬盘是否可以进入诊断模式。所述短接方式包括三种：第一种为硬盘开电前短接，第二种为硬盘开电1-2秒后短接，第三种为硬盘开电后1秒内短接，1秒内在断开，1秒内再短接。如图3所示，所述S5的详细步骤如下：S501：选一个无故障的匹配盘，提取匹配盘的ROM芯片内所有数据至本地磁盘生成一个二进制文件；S502：分析二进制文件的ROM数据头部0至4F位置，找到适配参数CAP、SAP、RAP的偏移位置特征；以4个字节为一组，查找CAP的偏移位置特征“0x04XXXXXX”，SAP的偏移位置特征“0x05XXXXXX”,RAP的偏移位置特征“0x06XXXXXX”。上述偏移位置特征后3个字节“XXXXXX”为可变值，是适配参数的头部偏移量。在计算适配参数大小为钱后一个偏移量减去前一个偏移量等于前一个适配参数的大小。例如检索ROM数据头部有“05000007060050070400F0070010F207”这一串数据，可以得到SAP为第一个特征“05000007”RAP为第二个特征“06005007”CAP为第三个特征“0400F007”，通过偏移量“005007”减去“000007”得到SAP的大小，“00F007”减去“005007”得到RAP的大小，在“0400F007”后是“0010F207”，则通过“10F207”减去“00F007”得到CAP的大小。S503：根据偏移位置特征后三个字节跳转至数据区头部位置，按照适配参数大小提取出CAP、SAP、RAP的数据段数据；S504：将CAP、SAP、RAP数据字段的头部8字节和尾部8字节去掉，例如CAP、SAP、RAP的数据字段大小分别为528字节、20496字节、37904字节去掉头尾后的最终大小为512字节、20480字节、37888字节；S505：提取故障盘的ROM数据，并找到CAP、SAP、RAP的数据位置；S506：用S504中的数据字段覆盖故障盘中的CAP、SAP、RAP数据位置；S507：将替换的数据写入故障盘的ROM芯片中。以上描述阐述了具体细节以便充分理解本专利技术，但本专利技术还可以采用其他不同于此描述方式来实施，因此本专利技术并不限于以上公开的具体实施。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种修复希捷硬盘不能进入诊断模式的方法，其特征在于包括以下步骤： S1：拆下故障硬盘的电路板，找另一个相同编号的匹配电路板，分别取下两个电路板的ROM芯片并将故障硬盘的ROM芯片安装在匹配电路板上，将匹配电路板安装至故障硬盘；S2：将硬盘通电后判断是否能够进入诊断模式，若能则结束，若不能则进入S3；S3：使用硬短路的方式短路故障盘电路板的两个诊断模式短接点；S4：判断硬盘是否能进入诊断模式，若能则结束，若不能则进入S5；S5：修改ROM芯片内的适配参数。

【技术特征摘要】
1.一种修复希捷硬盘不能进入诊断模式的方法，其特征在于包括以下步骤：S1：拆下故障硬盘的电路板，找另一个相同编号的匹配电路板，分别取下两个电路板的ROM芯片并将故障硬盘的ROM芯片安装在匹配电路板上，将匹配电路板安装至故障硬盘；S2：将硬盘通电后判断是否能够进入诊断模式，若能则结束，若不能则进入S3；S3：使用硬短路的方式短路故障盘电路板的两个诊断模式短接点；S4：判断硬盘是否能进入诊断模式，若能则结束，若不能则进入S5；S5：修改ROM芯片内的适配参数；所述S5的详细步骤如下：S501：选一个无故障的匹配盘，提取匹配盘的ROM芯片内所有数据至本地磁盘；S502：分析匹配盘的ROM数据头部0至4F位置，找到适配参数CAP、SAP、RAP的偏移位置特征，并计算每个适配参数大小；S503：根据偏移位置特征跳转至数据区位置，按照适配参数大小提取出CAP、SAP、RAP的数据段；...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁效宁，
申请(专利权)人：四川效率源信息安全技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：四川;51