光半导体密封用固化性组合物及使用其的光半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种供给耐冲击性及耐龟裂性优异，进而具有低的透气性的固化物的光半导体密封用固化性组合物、及利用对该光半导体密封用固化性组合物进行固化而得到的固化物对光半导体元件进行了密封的光半导体装置。所述光半导体密封用固化性组合物含有(A)1分子中具有2个以上的烯基，进而，在主链中具有全氟聚醚结构的直链状多氟化合物、(B)下述通式(1)所示的有机氢化聚硅氧烷、(C)铂族金属类催化剂、(D)下述通式(2)所示的环状有机聚硅氧烷、(E)羧酸酐，其中，对光半导体密封用固化性组合物进行固化而得到的固化物的硬度以JIS K6253-3中所规定的A型硬度计测定为30～90的值。[化学式1][化学式2]

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种光半导体密封用固化性组合物，其含有：(A)1分子中具有2个以上的烯基、在主链中具有全氟聚醚结构、且烯基含量为0.0050～0.200mol/100g的直链状多氟化合物：100质量份；(B)下述通式(1)所示的有机氢化聚硅氧烷，式中，a为3～10的整数，A为全氟亚烷基、全氟氧亚烷基、或含有这两者的2价有机基团，D彼此独立地为任选含有硅原子、氧原子或氮原子的取代或未取代的2价烃基，R1彼此独立地为取代或未取代的1价烃基，R2彼此独立地为氢原子、或者通过任选含有硅原子、氧原子或氮原子的2价烃基与硅原子键合的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基，R2中的三个以上为氢原子；(C)铂族金属类催化剂：换算成铂族金属原子为0.1～500ppm；(D)下述通式(2)所示的环状有机聚硅氧烷：0.10～10.0质量份，式中，b为1～6的整数，c为1～4的整数，d为1～4的整数，b+c+d为4～10的整数，R3彼此独立地为取代或未取代的1价烃基，E彼此独立地为通过任选含有硅原子、氧原子或氮原子的2价烃基与硅原子键合的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基，G彼此独立地为通过任选含有氧原子的2价烃基与硅原子键合的环氧基或三烷氧基甲硅烷基、或者这两者，其中，‑(SiO)(H)R3‑、‑(SiO)(E)R3‑、及‑(SiO)(G)R3‑的键合顺序没有限制；(E)羧酸酐：0.010～10.0质量份；其中，相对于该组合物中所含的烯基1摩尔，所述(B)成分的配合量为使与所述(B)成分中的硅原子直接键合的氢原子达到0.50～2.0摩尔的量，使该光半导体密封用固化性组合物进行固化而得到的固化物的硬度以JISK6253‑3:2012所规定的A型硬度计测定的值为30～90。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：越川英纪，坂野安则，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP