COA型WOLED结构及制作方法技术

本发明专利技术提供一种COA型WOLED结构及制作方法，该结构包括红/绿/蓝色子像素区域，各子像素区域分别包括基板、栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、蚀刻阻挡层、源/漏极、钝化保护层、红/绿/蓝色光阻层、平坦层、半反射层、透明光阻层、阳极层、像素定义层、光阻间隔物、白光发光层、阴极层、及封装盖板。本发明专利技术通过在平坦层上形成金属半反射层，并在半反射层上形成透明光阻层，并通过控制红/绿/蓝色光阻层上所对应的透明光阻层的厚度，以分别得到针对不同光色的最优化的微腔长度，从而利用微腔共振效应提高经过彩色滤光片后的红/绿/蓝三原色的发光效率，有效提高COA型WOLED器件的亮度。

【技术实现步骤摘要】
COA型WOLED结构及制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种COA型WOLED结构及制作方法。
技术介绍
OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)是一种极具发展前景的平板显示技术，它具有十分优异的显示性能，具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性，被誉为“梦幻显示器”。再加上其生产设备投资远小于TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示器)，得到了各大显示器厂家的青睐，已成为显示
中第三代显示器件的主力军。目前OLED已处于大规模量产的前夜，随着研究的进一步深入，新技术的不断涌现，OLED显示器件必将有一个突破性的发展。为实现OLED显示器的全彩化，一种方式是通过白色有机发光二极管(WOLED，WhiteOrganicLightEmittingDiode)和彩色滤光层(CF，ColorFilter)叠加来实现。其中，WOLED和CF层叠加过程不需要精准的掩膜工艺，就可以实现OLED显示器的高分辨率。COA型WOLED是COA(CFonArray，彩色滤光片贴附于阵列基板)技术和WOLED技术的结合。利用COA技术，将CF层(红/绿/蓝光阻)做到阵列基板上，然后OLED白光材料所发射的白光通过红/绿/蓝光阻，得到红/绿/蓝三原色的光。与传统底发光OLED结构相比，这种技术不受有机蒸镀光罩在大尺寸面板制作的限制，因此，在大尺寸OLED方面有着广泛的应用。图1所示为一种现有COA型WOLED结构的红色子像素区域的结构示意图；其包括基板100、设于所述基板100上的栅极200、设于所述栅极200上的栅极绝缘层300、设于所述栅极绝缘层300上的岛状氧化物半导体层400、设于所述氧化物半导体层400上的岛状蚀刻阻挡层500、设于所述蚀刻阻挡层500上的源/漏极600、设于所述源/漏极600上的钝化保护层700、设于所述钝化保护层700上的红色光阻层710、设于所述钝化保护层700上覆盖所述红色光阻层710的平坦层800、设于所述平坦层800上并经由过孔810与所述源/漏极600相接触的阳极层101、设于所述阳极层101上的像素定义层110、设于所述像素定义层110上的光阻间隔物120。该COA型WOLED结构的绿色子像素区域及蓝色子像素区域的结构与红色子像素区域相同。上述COA型WOLED的缺点之一是红/绿/蓝三原色的发光效率相对较低。传统顶发射型OLED器件可以通过调节OLED器件的厚度，利用微腔共振效应，使得发光效率得到有效增强。但在上述COA型WOLED中，无法像传统OLED器件一样通过调节器件的厚度，利用微腔效应提高各个光色的发光效率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种COA型WOLED结构，其经过彩色滤光片后的红/绿/蓝三原色均具有较高的发光效率。本专利技术的另一目的在于提供一种COA型WOLED的制作方法，能够提高经过彩色滤光片后的红/绿/蓝三原色的发光效率，提高COA型WOLED器件的亮度。为实现上述目的，本专利技术提供一种COA型WOLED结构，包括红色子像素区域、绿色子像素区域、及蓝色子像素区域；所述红色子像素区域、绿色子像素区域、及蓝色子像素区域分别包括基板、设于所述基板上的栅极、设于所述栅极上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的岛状氧化物半导体层、设于所述氧化物半导体层上的岛状蚀刻阻挡层、设于所述蚀刻阻挡层上的源/漏极、设于所述源/漏极上的钝化保护层、设于所述钝化保护层上的红/绿/蓝色光阻层、设于所述钝化保护层上覆盖所述红/绿/蓝色光阻层的平坦层、设于所述平坦层上并经由过孔与所述源/漏极相接触的半反射层、设于所述半反射层上的阳极层、设于所述阳极层上的像素定义层、设于所述像素定义层上的光阻间隔物、设于所述阳极层与像素定义层上的白光发光层、设于所述白光发光层上的阴极层、及设于所述阴极层上的封装盖板；所述红色子像素区域和绿色子像素区域的半反射层与阳极层之间分别设有透明光阻层，并且所述红色子像素区域的透明光阻层的厚度大于所述绿色子像素区域的透明光阻层的厚度。所述半反射层的材料为银或铜或二者的合金，所述阴极层的材料为铝。所述半反射层的厚度为1～100nm。所述红色子像素区域的透明光阻层的厚度为20～300nm，所述绿色子像素区域的透明光阻层的厚度为20～250nm。所述氧化物半导体层的材料为氧化铟镓锌，所述阳极层的材料为氧化铟锡。所述透明光阻层的材料为SiO2或Si3N4。本专利技术还提供一种COA型WOLED的制作方法，包括如下步骤：步骤1、提供基板，在所述基板上分别对应红色子像素区域、绿色子像素区域、及蓝色子像素区域，依次形成栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、蚀刻阻挡层、源/漏极、钝化保护层、红/绿/蓝色光阻层、平坦层、及过孔；步骤2、在所述平坦层上分别对应所述红/绿/蓝色光阻层的上方形成半反射层，所述半反射层经由所述过孔与所述源/漏极相接触；步骤3、在红色子像素区域所对应的半反射层上形成透明光阻层；步骤4、在所述平坦层上再次沉积透明光阻层，所述透明光阻层覆盖绿色子像素区域的半反射层；步骤5、对所述透明光阻层进行图案化处理，对红色子像素区域与绿色子像素区域上对应的透明光阻不进行曝光，得到位于红色子像素区域与绿色子像素区域的透明光阻层；步骤6、在所述半反射层与透明光阻层上形成像阳极层；步骤7、在所述平坦层与阳极层上形成素定义层，并在所述像素定义层上形成光阻间隔物；步骤8、在所述阳极层与像素定义层上，于所述光阻间隔物之间形成白光发光层；步骤9、在所述光阻间隔物与白光发光层上形成阴极层；步骤10、在所述阴极层上设置封装盖板，对COA型WOLED进行封装，从而完成COA型WOLED的制作。所述步骤2采用物理气相沉积、黄光、及蚀刻制程形成所述半反射层。所述步骤8采用蒸镀方法形成所述白光发光层。所述半反射层的材料为银或铜或二者的合金，所述阴极层的材料为铝，所述氧化物半导体层的材料为氧化铟镓锌，所述阳极层的材料为氧化铟锡，所述透明光阻层的材料为SiO2或Si3N4。本专利技术的有益效果：本专利技术的COA型WOLED结构，其平坦层上设有金属半反射层，半反射层上设有透明光阻层，并且红/绿/蓝色光阻层上所对应的透明光阻层具有不同的厚度，形成针对不同光色的最优化的微腔结构，从而利用微腔共振效应，有效提高经过彩色滤光片后的红/绿/蓝三原色的发光效率。本专利技术的COA型WOLED的制作方法，通过在平坦层上形成金属半反射层，并在半反射层上形成透明光阻层，并通过控制红/绿/蓝色光阻层上所对应的透明光阻层的厚度，以分别得到针对不同光色的最优化的微腔长度，从而利用微腔共振效应提高经过彩色滤光片后的红/绿/蓝三原色的发光效率，有效提高COA型WOLED器件的亮度。附图说明下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。附图中，图1为一种现有COA型WOLED结构的剖面示意图；图2为本专利技术COA型WOLED结构的红/绿/蓝色子像素区域的剖面示意图；图3为本专利技术COA型WOLED结构的剖面示意图；图4为本专利技术COA型WOLED的制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种COA型WOLED结构，其特征在于，包括红色子像素区域、绿色子像素区域、及蓝色子像素区域；所述红色子像素区域、绿色子像素区域、及蓝色子像素区域分别包括基板(1)、设于所述基板(1)上的栅极(2)、设于所述栅极(2)上的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上的岛状氧化物半导体层(4)、设于所述氧化物半导体层(4)上的岛状蚀刻阻挡层(5)、设于所述蚀刻阻挡层(5)上的源/漏极(6)、设于所述源/漏极(6)上的钝化保护层(7)、设于所述钝化保护层(7)上的红/绿/蓝色光阻层(71/72/73)、设于所述钝化保护层(7)上覆盖所述红/绿/蓝色光阻层(71/72/73)的平坦层(8)、设于所述平坦层(8)上并经由过孔(81)与所述源/漏极(6)相接触的半反射层(9)、设于所述半反射层(9)上的阳极层(10)、设于所述阳极层(10)上的像素定义层(11)、设于所述像素定义层(11)上的光阻间隔物(12)、设于所述阳极层(10)与像素定义层(11)上的白光发光层(13)、设于所述白光发光层(13)上的阴极层(14)、及设于所述阴极层(14)上的封装盖板(15)；所述红色子像素区域和绿色子像素区域的半反射层(9)与阳极层(10)之间分别设有透明光阻层(91)，并且所述红色子像素区域的透明光阻层(91)的厚度大于所述绿色子像素区域的透明光阻层(91)的厚度。...

【技术特征摘要】
1.一种COA型WOLED结构，其特征在于，包括红色子像素区域、绿色子像素区域、及蓝色子像素区域；所述红色子像素区域、绿色子像素区域、及蓝色子像素区域分别包括基板(1)、设于所述基板(1)上的栅极(2)、设于所述栅极(2)上的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上的岛状氧化物半导体层(4)、设于所述氧化物半导体层(4)上的岛状蚀刻阻挡层(5)、设于所述蚀刻阻挡层(5)上的源/漏极(6)、设于所述源/漏极(6)上的钝化保护层(7)、设于所述钝化保护层(7)上的红/绿/蓝色光阻层(71/72/73)、设于所述钝化保护层(7)上覆盖所述红/绿/蓝色光阻层(71/72/73)的平坦层(8)、设于所述平坦层(8)上并经由过孔(81)与所述源/漏极(6)相接触的半反射层(9)、设于所述半反射层(9)上的阳极层(10)、设于所述阳极层(10)上的像素定义层(11)、设于所述像素定义层(11)上的光阻间隔物(12)、设于所述阳极层(10)与像素定义层(11)上的白光发光层(13)、设于所述白光发光层(13)上的阴极层(14)、及设于所述阴极层(14)上的封装盖板(15)；所述红色子像素区域和绿色子像素区域的半反射层(9)与阳极层(10)之间分别设有透明光阻层(91)，并且所述红色子像素区域的透明光阻层(91)的厚度大于所述绿色子像素区域的透明光阻层(91)的厚度。2.如权利要求1所述的COA型WOLED结构，其特征在于，所述半反射层(9)的材料为银或铜或二者的合金，所述阴极层(14)的材料为铝。3.如权利要求1所述的COA型WOLED结构，其特征在于，所述半反射层(9)的厚度为1～100nm。4.如权利要求1所述的COA型WOLED结构，其特征在于，所述红色子像素区域的透明光阻层(91)的厚度为20～300nm，所述绿色子像素区域的透明光阻层(91)的厚度为20～250nm。5.如权利要求1所述的COA型WOLED结构，其特征在于，所述氧化物半导体层(4)的材料为氧化铟镓锌，所述阳极层(10)的材料为氧化铟锡。6.如权利要求1所述的COA型WOLED结构，其特征在于，所述透明光阻层(91)的材料为SiO2或Si3N4。7.一种COA型WOLED的制作方法，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：石龙强，邹清华，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44