氧化锌压敏陶瓷及其制备方法和氧化锌压敏电阻及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种氧化锌压敏陶瓷及其制备方法和氧化锌压敏电阻及其制备方法，其基体组分包括ZnO、Bi2O3和Co2O3，通过助溶剂V2O5、CaF2和玻璃化剂Ba(NO3)2的添加，降低了陶瓷烧结温度，有效地促进烧结过程中的晶粒生长，从而降低压敏电压阈值；通过界面优化剂Na2WO4和Li2MoO4的添加，优化了晶界组成和结构，提高了材料压敏系数和性能，提高非线性系数，降低漏电流密度。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】氧化锌压敏陶瓷及其制备方法和氧化锌压敏电阻及其制备 方法
本专利技术涉及一种压敏陶瓷及其压敏电阻，尤其涉及一种氧化锌压敏陶瓷及其制备 方法和氧化锌压敏电阻及其制备方法。
技术介绍
氧化锌压敏陶瓷是一种多功能新型陶瓷材料，它是以氧化锌为主体，添加若干其 他氧化物改性的烧结体材料，由于氧化锌压敏电阻具有非线性系数高、响应时间快、漏电流 小、制造成本低廉等优点，广泛应用于电力线路、电子通信、集成电路以及其它领域。低压压 敏电阻主要用于低压用半导体器件的过压保护，在电路中与用电器并联，当工作电压正常 时，其电阻值很高，仅允许微安级的漏电流通过，对电路设备几乎没有影响；当工作电压过 载时，其阻值急剧降低、分流作用急剧增强，对电子和电器设备的安全起到保护作用。 现有的低压氧化锌压敏电阻具有烧结温度、压敏电压阈值过高，非线性系数小、漏 电流密度小等不足。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提出一种烧结温度低、压敏电压小、非线性系数高、 漏电流密度小的氧化锌压敏陶瓷及制备方法以及其制备的氧化锌压敏电阻及制备方法。 本专利技术一方面提供了一种氧化锌压敏陶瓷，其组分包括ZnCKBi2O3和Co203，其特征 在于：还包括V205。 本专利技术第二方面提供了所述氧化锌压敏陶瓷的制备方法，其制备步骤包括： 步骤一，按以下摩尔百分比提供烘干的粉体，其中， ZnO 94. 5 -98% ； Bi2O3 0 ?1 % ; Co2O3 0 ?1 % ; V2O5 0 ?2 % ; CaF2 0 ?1 % ; Ba(NO3)2 0 ?0? 5 % ; Na2WO4 0 ?0? 5 % ; Li2MoO4 0 ?0. 5 % ; 步骤二，将步骤一提供的烘干粉体，加入润滑剂，球磨； 步骤三，将步骤二得到的粉体烘干后，预烧，得到粉末； 步骤四，将步骤三得到的粉末压制成生胚体； 步骤五，将步骤四得到的生胚体升温至800 ~ 1200 °C，保温，冷却后得到氧化锌压敏 陶瓷。 本专利技术第三方面提供了一种氧化锌压敏电阻，其包括氧化锌压敏陶瓷层以及设置 于氧化锌压敏陶瓷层上、下两侧的银电极，其特征在于：所述氧化锌压敏陶瓷层材料采用所 述的氧化锌压敏陶瓷。 本专利技术第四方面提供了所述氧化锌压敏电阻的制备方法，其制备步骤包括： 步骤一，按以下摩尔百分比提供烘干的粉体，其中， ZnO 94. 5 ~ 98% ； Bi2O3 0 ~ 1 % ； Co2O3 0 ~ 1 % ； V2O5 0 ~ 2 % ； CaF2 0 ~ 1 % ； Ba(NO3) 2 0 ~ 0. 5 % ； Na2WO4 0 ~ 0. 5 % ； Li2MoO4 0 ~ 0. 5 % ； 步骤二，将步骤一提供的烘干粉体，加入润滑剂，球磨； 步骤三，将步骤二得到的粉体烘干后，预烧，得到粉末； 步骤四，将步骤三得到的粉末压制成生胚体； 步骤五，将步骤四得到的生胚体升温至800~1200 °C，保温，冷却后得到氧化锌压敏陶 瓷； 步骤六，将步骤五得到的氧化锌压敏陶瓷上下表面打磨，两面涂银浆烧结后作为电极， 得到氧化锌压敏电阻。 本专利技术与现有技术相比所带来的有益效果是： 本专利技术提供的氧化锌压敏陶瓷及制备方法以及其制备的氧化锌压敏电阻及制备方法， 通过助溶剂V205、CaF2和玻璃化剂Ba(NO3) 2的添加，降低了陶瓷烧结温度，有效地促进烧结 过程中的晶粒生长，从而降低压敏电压阈值；通过界面优化剂Na2WOJPLi一〇04的添加，优 化了晶界组成和结构，提高了材料压敏系数和性能，提高非线性系数，降低漏电流密度。【具体实施方式】 本专利技术一方面提供了一种氧化锌压敏陶瓷，其组分包括ZnCKBi2O3和Co2O3，还包括 V2O5。 作为对本专利技术的一种改进，所述氧化锌压敏陶瓷组分还包括CaF2。 作为对本专利技术的进一步改进，所述氧化锌压敏陶瓷组分还包括Ba(NO3) 2和Na2W04。 作为对本专利技术的更进一步改进，所述氧化锌压敏陶瓷组分还包括Li2M〇04。 优选的，所述氧化锌压敏陶瓷组分摩尔百分比如下： ZnO 94. 5 -98% ； Bi2O3 0 ~ 1 % ； Co2O3 0 ~ 1 % ； V2O5 0 ?2 % ; CaF2 0 ?I% ; Ba(NO3)2 0 ?0? 5 % ; Na2WO4 0 ?0? 5 % ; Li2MoO4 0 ?0. 5 %。 本专利技术第二方面提供了所述氧化锌压敏陶瓷的制备方法，其制备步骤包括： 步骤一，按以下摩尔百分比提供烘干的粉体，其中， ZnO 94. 5 -98% ； Bi2O3 0 ?1 % ; Co2O3 0 ?1 % ; V2O5 0 ?2 % ; CaF2 0 ?1 % ; Ba(NO3)2 0 ?0? 5 % ; Na2WO4 0 ?0? 5 % ; Li2MoO4 0 ?0. 5 % ; 步骤二，将步骤一提供的烘干粉体，加入润滑剂，球磨； 步骤三，将步骤二得到的粉体烘干后，预烧，得到粉末； 步骤四，将步骤三得到的粉末压制成生胚体； 步骤五，将步骤四得到的生胚体升温至800~1200°C，保温，冷却后得到氧化锌压敏陶 瓷。 作为对本专利技术的一种改进，所述氧化锌压敏陶瓷的制备方法中，所述步骤二中球 磨速率为280?320r/min，时间为22?26h;所述步骤三中预烧温度为500?700 °C， 时间为1?3h;所述步骤五中升温速率为4?6°C/min，保温时间为3?5h。所述范围 内的球磨速率和球磨时间有利于粉末的充分混合，提高粉体的均匀性，降低漏电流密度。所 述范围内的预烧温度和预烧时间能够促进晶粒生长，降低压敏电压梯度。所述范围内的升 温速率和保温时间有利于杂质向晶界偏析，提高非线性系数。 本专利技术第三方面提供了一种氧化锌压敏电阻，包括氧化锌压敏陶瓷层以及设置于 氧化锌压敏陶瓷层上、下两侧的银电极，其特征在于：所述氧化锌压敏陶瓷层材料为前文所 述的氧化锌压敏陶瓷。 本专利技术第四方面提供了所述氧化锌压敏电阻的制备方法，其制备步骤包括： 步骤一，按以下摩尔百分比提供烘干的粉体，其中， ZnO 94. 5 -98% ； Bi2O3 0 ~ 1 % ； Co2O3 0 ~ 1 % ； V2O5 0 ~ 2 % ； CaF2 0 ~ 1 % ； Ba(NO3) 2 0 ~ 0. 5 % ； Na2WO4 0 ~ 0. 5 % ； Li2MoO4 0 ~ 0. 5 % ； 步骤二，将步骤一提供的烘干粉体，加入润滑剂，球磨； 步骤三，将步骤二得到的粉体烘干后，预烧，得到粉末； 步骤四，将步骤三得到的粉末压制成生胚体； 步骤五，将步骤四得到的生胚体升温至800 ~ 1200°C，保温，冷却后得到氧化锌压敏陶 瓷； 步骤六，将步骤五得到的氧化锌压敏陶瓷上下表面打磨，两面涂银浆烧结后作为电极， 得到氧化锌压敏电阻。 以下结合具体实施例介绍本专利技术的氧化锌压敏陶瓷及制备方法以及其制备的氧 化锌压敏电阻及制备方法。 实施例一 步骤一，按以下摩尔百分比提供烘干的粉体，其中， ZnO 98% ； Bi2O3 1 %； Co2O3 1 % ； 步骤二，将步骤一提供的烘干粉体，以无水乙醇为润滑剂，氧化锆球为球磨介质，在球 磨机中以300r/min的速率本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化锌压敏陶瓷，其组分包括ZnO、Bi2O3和Co2O3，其特征在于：还包括V2O5。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐卓，杨昌平，石大为，黄秋安，徐玲芳，
申请(专利权)人：湖北大学，南京铱方巨人新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42