一种利用Al-Si合金熔体机械搅拌去除Si中杂质P的方法技术

技术编号:11384145 阅读:137 留言:0更新日期:2015-05-01 09:50
本发明专利技术公开了一种利用Al-Si合金熔体机械搅拌去除Si中杂质P的方法。该方法是将原料Si与Al混合放入加热装置中,加热原料熔化形成Al-Si过共晶合金熔体,然后控温降温,在降温过程中待Si先行凝固形成网络状骨架后,选择特定温度点,利用机械搅拌将Si形成的网络状骨架打碎,再继续静置降温使Si片完成生长。本发明专利技术利用机械搅拌降低了Si片的大小,使杂质P有更大的表面积可以从生长的Si片表面扩散至Al-Si熔体中,从而提高了Al-Si合金提纯时的除P效果,具有生产效率高,能耗低,无污染,无额外投资,生产工艺和设备操作简单的优点,在行业内具有领先水平。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造太阳能电池用太阳级硅的提纯技术,具体的说是涉及一种利用Al-Si合金熔体机械搅拌去除Si中杂质P的方法
技术介绍
近年来太阳能光伏发电市场呈现快速增长,制造太阳能电池用的高纯太阳级硅料需求也快速增长。在传统的硅料提纯技术中,化学法一直是主流,化学法提纯的硅料纯度高,质量好,技术成熟,但是化学法提纯工艺复杂且较难控制,并且污染严重,投资大,成本高。而且采用化学方法提纯硅,在太阳能电池生产的产业链中,能源消耗和碳排放的占比高达50%以上。因此,开发具有低能耗,低排放,低成本的硅料提纯技术具有重要的意义。而Al-Si合金法提纯具有投资少,占地面积小,建厂快,能耗低,污染小,成本低的优点,因此是一种很有前途的提纯技术。作为太阳级的硅料,因为P是掺杂元素,含量必须降到1ppmw以下,而在冶金级硅料中P的含量通常在20-200ppmw,在硅凝固时,P的平衡分配系数高达0.35,无法用常规的定向凝固技术有效去除,因此,关键杂质元素P的去除是Al-Si合金法提纯硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用Al‑Si合金熔体机械搅拌去除Si中杂质P的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)配料:将工业硅与金属Al混合放入坩埚中,工业硅的比例占合金材料重量的20%‑70%,成分的配比可以使硅与铝形成过共晶合金;(2)加热熔炼:将坩埚放入加热炉中加热,直至硅和铝完全熔化为充分混合的合金液体,加热熔化温度为973‑1773K,然后将合金熔体冷却到稍微高于合金成分液相线的温度;(3)结晶和机械搅拌:控制熔体以0.167mK/s到0.167K/s的冷却速度从液相线温度开始降温, 硅会以片状的初晶硅晶体形式从熔体中析出,在降温到液相线下10‑200K时,对熔体施加机械搅拌,将析出的初晶硅搅碎后,继续静置...

【技术特征摘要】
1.一种利用Al-Si合金熔体机械搅拌去除Si中杂质P的方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)配料:将工业硅与金属Al混合放入坩埚中,工业硅的比例占合金材料重量的20%-70%,成分的配比可以使硅与铝形成过共晶合金;
(2)加热熔炼:将坩埚放入加热炉中加热,直至硅和铝完全熔化为充分混合的合金液体,加热熔化温度为973-1773K,然后将合金熔体冷却到稍微高于合金成分液相线的温度;
(3)结晶和机械搅拌:控制熔体以0.167mK/s到0.167K/s的冷却速度从液相线温度开始降温, 硅会以片状的初晶硅晶体形式从熔体中析出,在降温到液相线下10-200K时,对熔体施加机械搅拌,将析出的初晶硅搅碎后,继续静置降温直至初晶硅片完成生长;
(4)硅晶体与基体的分离:在凝固完成后用盐酸,...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈健班伯源李京伟张涛涛李彦磊戴松元
申请(专利权)人:中国科学院等离子体物理研究所
类型:发明
国别省市:安徽;34

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