一种应用于毫米波微带天线的垂直耦合馈电结构制造技术

本发明专利技术涉及一种应用于毫米波微带天线的垂直耦合结构，包括微带贴片天线、底层介质基片衬底、衬底挖腔结构、带有缝隙的接地板、顶层介质基片衬底、共面波导转微带馈线。所述微带贴片天线在所述两层介质基片衬底底侧；所述衬底挖腔结构指底层介质基片衬底上挖腔；所述缝隙耦合口径位于两层介质基片中间；所述共面波导转微带馈线在顶层介质基片上表面。本发明专利技术能够解决工作频率在毫米波频段时天线与射频电路的层间垂直互连问题。具有无焊点、无寄生辐射，可获得均匀的辐射方向图，克服了传统单一馈电方式带来的不利影响及设计上的局限性等优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种应用于毫米波微带天线的垂直耦合结构，包括微带贴片天线(1)、底层介质基片衬底(2)、衬底挖腔结构(3)、带有缝隙的接地板(4)、顶层介质基片衬底(5)、共面波导转微带馈线(6)。所述微带贴片天线(1)在所述底层介质基片衬底(2)底测；所述衬底挖腔结构(3)是指在底层介质基片衬底(2)上挖腔；所述的带有缝隙的接地板(4)位于两层介质基片衬底的中间，位于其面波导转微带馈线的垂直下方；所述共面波导转微带馈线(6)在顶层介质基片(5)的上表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙芸，孙晓玮，崔恒荣，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31