【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种掩埋层的制作方法，包括：通过向衬底表面的第一区域注入五族元素形成N型掺杂区，以及通过向所述衬底表面的第二区域注入三族元素形成P型掺杂区；在所述衬底表面上制作外延层，使所述N型掺杂区和P型掺杂区成为N型掩埋层和P型掩埋层；其特征在于，制作外延层之后，所述方法还包括：进行高温扩散。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：潘光燃，石金成，高振杰，王焜，文燕，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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