【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种双端流水线型复制位线电路,其特征在于,包括:第一反相器INV1,第二反相器INV2,第三反相器INV3,第一与非门NAND1,第一复制位线RBL、第二复制位线RBLB、第一预充PMOS管PR1、第二预充PMOS管PR2、第一D触发器DFF1到第N D触发器DFFN、第一控制电路CTL1到第N控制电路CTLN、第一充电PMOS管P1到第N充电PMOS管PN、每组K个共N/2组复制单元RC以及一组X个冗余单元DC;其中,N为偶数;PR信号连接第一预充PMOS管PR1和第二预充PMOS管PR2的栅极;第一预充PMOS管PR1和第二预充PMOS管PR2的源极接电源电压VDD,漏极分别接第一复制位线RBL和第二复制位线RBLB;第一充电PMOS管P1到第N充电PMOS管PN的栅极分别接Y1信号到YN,源极接电源电压VDD,偶数部分的漏极分别接第一复制位线RBL,奇数部分的漏极分别接第二复制位线RBLB;其中,Y1信号到YN分别为第一D触发器DFF1到第N D触发器DFFN的QB端输出信号;时钟信号线CLK与第一D触发器DFF1的时钟输入端CK和第一控制电路CTL1到第N控制电路CTLN的使能 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:彭春雨,陶有武,卢文娟,闫锦龙,陈军宁,李正平,谭守标,吴秀龙,蔺智挺,
申请(专利权)人:安徽大学,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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