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钨酸碲铯晶体及其助熔剂生长方法与应用技术

技术编号:11360319 阅读:129 留言:0更新日期:2015-04-29 11:09
本发明专利技术涉及钨酸碲铯晶体的助熔剂法生长与应用。钨酸碲铯晶体,化学式为Cs2TeW3O12,属于六方晶系,空间群为P63,紫外-可见-近红外透过光谱和中红外透过光谱显示,该晶体在430~5350nm的波长范围内均有透过,且在未镀膜的情况下其透过率可达到80%以上;用Nd:YAG激光器产生的波长为1064nm的红外激光入射晶体,产生强烈的绿光。与已有文献报道Cs2TeW3O12多晶的合成技术相比,本发明专利技术在国际上首次提出采用助熔剂法生长高质量Cs2TeW3O12单晶并首次成功解析了其晶体结构,同时得到了尺寸足以满足应用的Cs2TeW3O12单晶。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种钨酸碲铯晶体,化学式为Cs2TeW3O12,属于六方晶系,空间群为P63,紫外‑可见‑近红外透过光谱和中红外透过光谱显示,该晶体在430~5350nm的波长范围内均有透过,且在未镀膜的情况下其透过率可达到80%以上;用Nd:YAG激光器产生的波长为1064nm的红外激光入射晶体,产生强烈的绿光。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陶绪堂赵鹏孙友轩张承乾夏盛清
申请(专利权)人:山东大学
类型:发明
国别省市:山东;37

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