一种用于获取阵列基板中电容容值的结构体及方法技术

本发明专利技术公开了一种用于获取阵列基板中电容容值的结构体及方法，其中，该结构体包括：第一导电区域，其设置为与阵列基板中的第一导电层同层；第二导电区域，其设置为与阵列基板中的第二导电层同层，第二导电区域与第一导电区域部分或全部重叠；第一测量区域，其与第一导电区域连接；第二测量区域，其与第二导电区域连接。利用该结构体能够实现在对子像素中相应电容容值的检测，这为判断子像素以及液晶面板的性能和质量提供了数据依据。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，具体地说，涉及一种用于获取阵列基板中电容容 值的结构体及方法。
技术介绍
液晶显示器具有高画质、体积小、重量轻、低电压驱动以及低功率消耗等优点，其 现已被广泛地应用于各种IT数码产品中，例如汽车导向系统、工程工作站、监视器、便携式 信息终端、电子终端、电子书刊、笔记本计算机以及大型直视式平板电视机等。 传统的液晶面板主要包括薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光基板以及设置在这两个 基板之间的液晶层。然而，这种显示面板的解析度较差、像素的开口率较低，并且彩色滤波 基板与薄膜晶体管阵列基板接合时容易出现对位误差。 近年来，液晶面板技术中又发展出了将彩色滤光层直接整合于薄膜晶体管阵列基 板中（ColorFilteronArray，简称为COA)的技术。如图1所示，基于COA技术生产的液 晶面板主要包括C0A基板101、对向基板102以及配置在这两个基板之间的液晶层103。其 中，C0A基板101包括玻璃基板104、氮化硅绝缘层105、电容电极106、第一氮化硅钝化保护 层107、彩色滤光层108、第二氮化硅钝化保护层109和像素电极110。由于C0A基板101中 已经整合有彩色滤光层108,因此对向基板102此时不含有彩色滤光层。在C0A技术中，彩 色滤光层是直接形成于薄膜晶体管阵列基板上的，所以彩色滤波基板与薄膜晶体管阵列基 板接合时也就不会产生对位误差。此外，C0A技术还还能够使得所得到的液晶面板具有更 好的解析度和更高的像素开口率。 在C0A基板中，彩色滤光层108设置在电容电极106与像素电极110之间。然而， 由于彩色滤光层的介电常数是会随温度变化的，因此这也就会导致由存储电极和像素电极 构成的存储电容的电容值不稳定，使得C0A基板生产过程中存储存储电容的电容值无法满 足要求。所以就需要一种能够在生产过程中获取阵列基板中存储电容的电容值的装置。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是为了解决如何获取阵列基板中电容容值的问题。为 了解决上述问题，本专利技术的实施例首先提供了一种用于获取阵列基板中电容容值的结构 体，所述结构体包括： 第一导电区域，其设置为与阵列基板中的第一导电层同层； 第二导电区域，其设置为与所述阵列基板中的第二导电层同层，所述第二导电区 域与第一导电区域部分或全部重叠； 第一测量区域，其与所述第一导电区域连接； 第二测量区域，其与所述第二导电区域连接。 根据本专利技术的一个实施例，所述第一导电层为电容电极所处的导电层，所述第二 导电层为像素电极所处的导电层。 根据本专利技术的一个实施例，所述第一导电层为公共电极所处的导电层，所述第二 导电层为像素电极所处的导电层。 根据本专利技术的一个实施例，所述第一测量区域与第一导电区域同层，且/或，第二 测量区域与第二导电区域同层。 根据本专利技术的一个实施例，所述第二测量区域与第一测量区域同层，其通过过孔 与所述第二导电区域连接。 根据本专利技术的一个实施例，所述第一导电区域和/或第二导电区域的形状为圆 形。 根据本专利技术的一个实施例，所述第一测量区域与第二测量区域的几何尺寸相同。 根据本专利技术的一个实施例，所述第一测量区域与第二测量区域间隔预设距离。 根据本专利技术的一个实施例，所述第一导电区域与第一测量区域之间存在第一匹配 网络；且/或， 所述第二导电区域与第二测量区域之间存在第二匹配网络。 本专利技术还提供了一种用于获取阵列基板中电容容值的方法，所述方法包括： 在阵列基板上形成如上任一项所述的结构体； 通过所述结构体中第一测量区域和第二测量区域，测量得到所述结构体中第一导 电区域与第二导电区域所形成的电容的容值； 根据所得到的容值和所述第一导电区域与第二导电区域的重叠面积，以及阵列基 板中子像素的像素电极与公共电极或电容电极的重叠面积，计算得到所述子像素的像素电 极与公共电极或电容电极所形成的电容的容值。 本专利技术所提供的结构体与阵列基板中子像素的相应部位（例如，子像素的像素电 极与公共电极所形成的结构体，或是子像素的像素电极与电容电极所形成的结构体等）的 结构相同。所以测量得到该结构体所形成的电容容值后，根据该结构体所形成的电容的基 板面积（即第一导电区域与第二导电区域的重叠面积）和子像素中相应电容的极板面积 (即该子像素的像素电极与公共电极的重叠面积，或是该像素的像素电极与电容电极的重 叠面积），即可得到该子像素中相应电容的容值，从而实现在对子像素中相应电容容值的检 测，这为判断该子像素以及液晶面板的质量。 本专利技术所提供的获取阵列基板中电容容值的方法在液晶面板的预设位置处形成 与阵列基板中子像素结构相同的结构体，通过测量该结构体所形成的电容容值来确定出子 像素中相应部位的电容容值。该方法实现了对液晶面板中子像素中电容容值的测量，从而 为根据电容容值来对液晶面板的性能参数以及生产状态进行分析提供了数据基础。 本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变 得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利 要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要的附图做简单的介绍： 图1是基于COA技术的液晶面板的结构示意图； 图2是根据本专利技术第一个实施例的结构体的示意图； 图3是图2所示的结构体中第一区域的结构示意图； 图4是根据本专利技术一个实施例的获取阵列基板中电容容值的方法的流程图。【具体实施方式】 以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式，借此对本专利技术如何应用 技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明 的是，只要不构成冲突，本专利技术中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合， 所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。 同时，在以下说明中，出于解释的目的而阐述了许多具体细节，以提供对本专利技术实 施例的彻底理解。然而，对本领域的技术人员来说显而易见的是，本专利技术可以不用这里的具 体细节或者所描述的特定方式来实施。 图2示出了本实施例所提供的用于获取阵列基板中电容容值的结构体的示意图。 从图2中可以看出，本实施例所提供的结构体包括区域201、第一测量区域202和 第二测量区域203。结合图3所示出的区域201的结构示意图可以看出，本实施例所提供的 结构体的区域201包括第一导电区域204和第二导电区域205。本实施例所提供的结构体 的结构与阵列基板中子像素的相应部位的结构相同，即结构体的第一导电区域204与阵列 基板中的电容电极同层，第二导电区域205与阵列基板中的像素电极同层，第一导电区域 204与第二导电区域205之间存在有彩色滤光层206以及钝化保护层。 本实施例中，第一导电区域204与第二导电区域205全部重叠，即二者分布在阵列 基板不同材料层的相同位置处，并且二者具有相同的几何尺寸。所以，由第一导电区域204 与第二导电区域205所形成的电容的极板面积也就是第一导电区域204或第二导电区域 205的面积。 需要说明的是，在本专利技术的其他实施例中，第一导电区当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于获取阵列基板中电容容值的结构体，其特征在于，所述结构体包括：第一导电区域，其设置为与阵列基板中的第一导电层同层；第二导电区域，其设置为与所述阵列基板中的第二导电层同层，所述第二导电区域与第一导电区域部分或全部重叠；第一测量区域，其与所述第一导电区域连接；第二测量区域，其与所述第二导电区域连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阙祥灯，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44