【技术实现步骤摘要】
一种高亮度近紫外LED及其制备方法
本专利技术涉及半导体光电子
,尤其涉及一种采用MOCVD(金属有机化合物气相外延)技术制备具有阱宽渐变电流扩展层的高亮度近紫外LED。
技术介绍
紫外LED是发射紫外光的二极管。一般指发光中心波长在400nm以下的LED。紫外LED(UVLED)主要应用在生物医疗、防伪鉴定、净化(水、空气等)领域、计算机数据存储和军事等方面。而且随着技术的发展,新的应用会不断出现以替代原有的技术和产品,紫外LED有着广阔的市场应用前景,如紫外LED光疗仪是未来很受欢迎的医疗器械,但是目前技术还处于成长期。半导体紫外光源作为半导体照明后的又一重大产业方向,已经引起了半导体光电行业的广泛关注。美国、日本、韩国、台湾等无不投入巨大的力量以求占据行业的制高点。如日亚化工、台湾光宏等是目前主要的紫外光源研发和生产单位。与蓝光不同,目前紫外LED正处于技术发展期,在专利和知识产权方面限制较少,利于占领、引领未来的技术制高点。国内在紫外LED的装备、材料和器件方面都有了一定的积累,目前正在积极的向应用模块发展。但紫外LED技术面临的首要问题是其光效低,如何有效提高紫外LED的光效成为大家关注的焦点问题。为了提高近紫外光LED的发光效率,研究人员采用在n-GaN中生长SiN插入层的方法,来降低n-GaN外延层的位错密度,有源区采用InGaN/AlGaN量子阱结构来提高载流子限制效果,以减少载流子从有源区的泄露。然而采用SiN插入层法不能消除有源区低温生长产生的V型位错;而且采用有源区InGaN/AlGaN量子阱结构会增加量子阱和垒层之间的应力失配 ...
【技术保护点】
一种高亮度近紫外发光二极管,其特征在于,该发光二极管外延为层状叠加结构,从下向上的材料依次为:图形化蓝宝石衬底、低温GaN成核层、高温非掺杂GaN缓冲层、n型GaN层、n‑Inx1Ga1‑x1N/Aly1Ga1‑y1N量子阱结构的应力释放层、低温n‑Aly1Ga1‑y1N电流扩展层、InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱发光层、p‑Aly2Inx2Ga1‑x2‑y2N电子阻挡层、高温p型GaN层、p型InGaN接触层,其中,n‑Inx1Ga1‑x1N/Aly1Ga1‑y1N应力释放层的周期数为5‑15,随着应力释放层生长周期数的增加,n‑Inx1Ga1‑x1N/Aly1Ga1‑y1N超晶格应力释放层中势阱Inx1Ga1‑x1N层的厚度从3nm阶梯式变化到5nm,势垒Aly1Ga1‑y1N层厚度从30nm阶梯式变化为10nm,InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱发光层的周期数为5‑10,且n‑Inx1Ga1‑x1N/Aly1Ga1‑y1N超晶格应力释放层、低温n‑Aly1Ga1‑y1N电流扩展层和InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱发光层中0.01≤x1≤x≤ ...
【技术特征摘要】
1.一种高亮度近紫外发光二极管,其特征在于,该发光二极管外延为层状叠加结构,从下向上的材料依次为:图形化蓝宝石衬底、低温GaN成核层、高温非掺杂GaN缓冲层、n型GaN层、n-Inx1Ga1-x1N/Aly1Ga1-y1N量子阱结构的应力释放层、低温n-Aly1Ga1-y1N电流扩展层、InxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱发光层、p-Aly2Inx2Ga1-x2-y2N电子阻挡层、高温p型GaN层、p型InGaN接触层,其中,n-Inx1Ga1-x1N/Aly1Ga1-y1N应力释放层的周期数为5-15,随着应力释放层生长周期数的增加,n-Inx1Ga1-x1N/Aly1Ga1-y1N超晶格应力释放层中势阱Inx1Ga1-x1N层的厚度从3nm阶梯式变化到5nm,势垒Aly1Ga1-y1N层厚度从30nm阶梯式变化为10nm,InxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱发光层的周期数为5-10,且n-Inx1Ga1-x1N/Aly1Ga1-y1N超晶格应力释放层、低温n-Aly1Ga1-y1N电流扩展层和InxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱发光层中0.01≤x1≤x≤0.1,0.01≤y1≤y≤0.1;p-Aly2Inx2Ga1-x2-y2N电子阻挡层中0.01≤x2≤x≤0.1;0.01≤y2≤y≤0.1。2.如权利要求1所述的高亮度近紫外发光二极管,其特征在于,n型GaN层厚度范围为2-4微米,掺杂Si,掺杂浓度为1018-1019cm-3。3.如权利要求1所述的高亮度近紫外发光二极管,其特征在于,n-Aly1Ga1-y1N电流扩展层的厚度为50-150nm,掺杂Si,掺杂浓度1018-1019cm-3。4.如权利要求1所述的高亮度近紫外发光二极管,其特征在于,InxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱发光层中InxGa1-xN量子阱层的厚度范围为2-3nm;AlyGa1-yNl垒层的厚度范围为10-20nm。5.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,p-Aly2Inx2Ga1-x2-y2N电子阻挡层厚度范围为20nm-40nm,掺杂Mg,掺杂浓度为1017-1018cm-3。6.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,高温p型GaN层厚度范围为100nm-200nm,掺杂Mg,掺杂浓度为1017-1018cm-3。7.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,p型InGaN接触层厚度范围为2nm-4nm,掺杂Mg,掺杂浓度大于1018cm-3。8.权利要求1所述的高亮...
【专利技术属性】
技术研发人员:贾传宇,于彤军,殷淑仪,张国义,童玉珍,
申请(专利权)人:北京大学,
类型:发明
国别省市:北京;11
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