本发明专利技术提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和封装层，所述阳极导电基板和封装层形成封闭空间，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层容置在所述封闭空间内，所述封装层包括依次层叠的碳氮化硅层和无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为二氧化钛、二氧化锆或二氧化铪，本发明专利技术方法尤其适用于封装柔性有机电致发光器件。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和封装层，所述阳极导电基板和封装层形成封闭空间，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层容置在所述封闭空间内，所述封装层包括依次层叠的碳氮化硅层和无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为二氧化钛、二氧化锆或二氧化铪，本专利技术方法尤其适用于封装柔性有机电致发光器件。【专利说明】
本专利技术涉及电子器件相关领域，尤其涉及。
技术介绍
有机电致发光器件（0LED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典 型结构是在IT0玻璃上制备几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有低功函数 的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光福射。 0LED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被业内 人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一 项崭新的照明和显示技术，0LED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由 于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了 0LED的产业化进程，使得 0LED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。 柔性产品是有机电致发光器件的发展趋势，但目前普遍存在寿命短，因此封装的 好坏直接影响器件的寿命。传统技术中采用玻璃盖或金属盖进行封装，其边沿用紫外聚合 树脂密封，但这种方法中使用的玻璃盖或金属盖体积往往较大，增加了器件的重量，并且该 方法不能应用于柔性有机电致放光器件的封装。
技术实现思路
为克服上述现有技术的缺陷，本专利技术提供了一种有机电致发光器件及其制备方 法。该有机电致发光器件可有效地减少水汽、氧对有机电致发光器件的侵蚀，保护有机电致 发光器件的有机功能材料和电极免遭破坏，对柔性0LED器件的寿命有显著的提高。本专利技术 方法适用于封装以导电玻璃基板制备的有机电致发光器件，也适用于封装以塑料或金属为 基底制备的柔性有机电致发光器件。 本专利技术方法尤其适用于封装柔性有机电致发光器件。 -方面，本专利技术提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、空 穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和封装层，所述阳极导电 基板和封装层形成封闭空间，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入 层和阴极层容置在所述封闭空间内，所述封装层包括依次层叠的碳氮化硅层和无机阻挡 层，所述无机阻挡层的材质为二氧化钛（Ti02)、二氧化锆（Zr02)或二氧化铪（Hf0 2)。 和所述阴极层相邻的是所述碳氮化硅层，所述无机阻挡层设置在所述碳氮化硅层 上。 所述碳氮化硅层具有优异的抗氧化性能，超高的硬度和优异的抗腐蚀性能；采用 等离子体增强化学气相沉积法沉积速率快，薄膜厚度和成份的均匀性好，有利于无机阻挡 层在所述碳氮化硅层表面上的成膜。 无机阻挡层的材质为二氧化钛（Ti02)、二氧化锆（Zr02)或二氧化铪（Hf02)，致密 性高，可有效的防止水氧的侵蚀。 优选地，所述碳氮化娃层的厚度为100?150nm，所述无机阻挡层的厚度为15? 20nm。 优选地，所述碳氮化硅层和所述无机阻挡层交替层叠3?5次。 所述碳氮化硅层和所述无机阻挡层交替层叠，一方面可以有效缓解层无机阻挡层 产生的内应力，减小对封装效果的影响，另一方面，延长了水、氧渗透路径，可以达到优良的 封装效果，有效减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，延长器件寿命。 优选地，所述阳极导电基板为导电玻璃基板或导电有机薄膜基板。 更优选地，所述阳极导电基板为氧化铟锡（IT0)导电玻璃基板。 优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钥（M〇03)、三氧化钨（W03)和五氧化二钒 (V2〇5)中的一种掺杂到1，1-二苯基]环己烷（TAPC)、 4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（!'0^)或乂^-(1-萘基)，州'-二苯基-4,4'-联 苯二胺（NPB)形成的混合材料，掺杂质量分数为25%?35%，更优选地，所述空穴注入层的 材质为三氧化钥（M〇03)掺杂到NPB形成的混合材料，所述M〇03在NPB中的掺杂质量分数为 25%。 优选地，所述空穴传输层材质为1，1-二苯基] 环己烷（了4?〇、4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（1'0^)或乂^-(1-萘基），州'-二 苯基-4, 4' -联苯二胺（NPB)，更优选地，所述空穴传输层的材质为4, 4'，4' ' -三（咔 唑-9-基）三苯胺（TCTA)。 优选地，所述发光层的材质为客体材料掺杂到主体材料形成的混合材料,所述客 体材料为4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡 喃（DCJTB)、双（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱（FIrpic)、双（4, 6-二氟苯基吡 啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6)、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮） 合铱（11'(1?〇)2^&(：))、三（1-苯基-异喹啉）合铱（11'(?1卩)3)或三（2-苯基吡啶）合 铱（11~(--7)3)，所述主体材料为4,4'-二（9-咔唑）联苯（08?)、8-羟基喹啉铝（443)、 1，3,5-三（1-苯基-111-苯并咪唑-2-基）苯〇1^1)或1^-二苯基4州'-二（1-萘 基）-1，1' _联苯-4, 4' -二胺（NPB)，所述客体材料在所述主体材料中的掺杂质量分数为 1% ?15%。 更优选地，所述发光层的材质为Ir(ppy)3掺杂到TPBI形成的混合材料，所述 Ir (ppy) 3在TPBI中的掺杂质量分数为5%。 优选地，所述的电子传输层材质为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)、3_(联 苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)或N-芳基苯并咪唑（TPBI )， 更优选地，所述电子传输层的材质为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)。 优选地，所述电子注入层的材质为氟化铯（CsF)、叠氮化铯（CsN3)和氮化铯（Cs 3N) 中的一种掺杂到4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)、3-(联苯-4-基）-5-(4-叔丁基苯 基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)和N-芳基苯并咪唑（TPBI)中的一种形成的混合材料， 掺杂质量分数为5%?30% ;更优选地，所述电子注入层的材质为CsN3掺杂到Bphen形成的 混合材料，所述CsN3在Bphen中的掺杂质量分数为25%。 优选地，所述阴极层可以为非透明金属阴极(铝、银、金等）层或透明阴极层（介质 层/金属层/介质层等，如IT0/Ag/IT0、ZnS/Ag/ZnS等)。 更优选地，所述阴极层材质为铝。 另一方面，本专利技术提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤： (1)在洁净的阳极导电基板上采用真空蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传 输层、发光层、电子传输层本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和封装层，所述阳极导电基板和封装层形成封闭空间，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层容置在所述封闭空间内，所述封装层包括依次层叠的碳氮化硅层和无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为二氧化钛、二氧化锆或二氧化铪。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，钟铁涛，王平，张振华，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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