一种双通道耦合器，包括有耦合器A和耦合器B，耦合器A的直通端与集成双通道耦合器直通端相连；耦合器A的耦合端与集成双通道耦合器输入端A相连；耦合器A的输入端与集成双通道耦合器输入端B相连；集成双通道耦合器输入端A与耦合器B的耦合端相连；耦合器B的输入端与集成双通道耦合器输入端B相连；耦合器B的直通端与集成双通道耦合器直通端相连；具有结构简单、易于推广和使用方便的特点。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于馈线
，具体涉及一种双通道耦合器。
技术介绍
MIMO技术是TD-LTE的主要关键技术，这项技术不仅可以提高信道容量对抗多径衰落，同时还可以提升系统总吞吐量和单用户吞吐量。作为高速数据业务需求明显的室内分布场景，其TD-LTE的网络建设也将采用基于双通道的MMO技术。在实际建网的过程当中，很多物业点已建有单通道分布系统(GSM/TD-SCDMA)，在新建另一路通道时很难保证与原已有通道的路径损耗完全一致，这样就会产生双通道功率不平衡的问题。双通道功率不平衡的情况，将会对系统的下行业务性能产生一定的影响，特别是在双通道功率不平衡程度超过3dB的时候，影响是比较明显的，影响的区域主要集中在双通道的边缘区域。因此，在TD-LTE室内分布的场景实际设计与建设中，应尽力量避免双通道不平衡情况的发生。目前，双路室分中的耦合器都是单个安装，在安装时所有接头需要人工制作，接头的工艺参差不齐，造成功率损耗不同。在每一个耦合器的安装处需要安装两个相同的器件，虽然是两个相同的器件，有可能是不同的生产厂家生产的，器件本省存在着差异，即就是相同的质量的器件也需要安装两次，耗费人力。
技术实现思路
为克服上述现有技术的不足，本技术的目的是提供一种双通道耦合器，具有结构简单、易于推广和使用方便的特点。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是:一种双通道耦合器，包括有耦合器A和耦合器B，耦合器A的直通端与集成双通道耦合器直通端相连；耦合器A的耦合端与集成双通道耦合器输入端A相连；耦合器A的输入端与集成双通道耦合器输入端B相连；集成双通道耦合器输入端A与耦合器B的耦合端相连；耦合器B的输入端与集成双通道耦合器输入端B相连；耦合器B的直通端与集成双通道耦合器直通端相连。所述的耦合器A和耦合器B之间设有信号屏蔽层。所述的集成双通道耦合器输入端A通过集成双通道耦合器内部连线与耦合器B的親合端相连；本技术的有益效果是:与现有技术相比，本技术采用双通道的耦合器，将目前的单通道的耦合器进行集成封装，即将两个普通的耦合器在一个盒子内进行组装，中间添加信号屏蔽层，内部通过标准的工艺进行接口的连接；采用集成的耦合器将原来每个接头需要制作两个接头的工作变成只做一个接头，大大减少了制作工艺带来的功率偏差。具有结构简单、易于推广和使用方便的特点。采用本技术很大程度的降低了施工困难，减少了建设的工程量，降低了由于施工过程中人为产生的通道之间功率不平衡的发生，同时避免了不同生产厂家的设备混用，或者在同一位置使用了不同型号的无源器件等问题，使建设双路室分变成和目前建设单路室分一样方便、灵活，为LTE后续的发展提供了有力的保障。【附图说明】图1为本技术的结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图对本技术的结构原理和工作原理作进一步详细说明。参见图1，一种双通道耦合器，包括有耦合器Al和耦合器B2，耦合器Al的直通端3与集成双通道耦合器直通端12相连；耦合器Al的耦合端4与集成双通道耦合器输入端A5相连；耦合器Al的输入端6与集成双通道耦合器输入端B7相连；集成双通道耦合器输入端A5与耦合器B2的耦合端9相连；耦合器B2的输入端10与集成双通道耦合器输入端B7相连；耦合器B2的直通端11与集成双通道耦合器直通端12相连。所述的親合器Al和親合器B2之间设有信号屏蔽层13。所述的集成双通道耦合器输入端A5通过集成双通道耦合器内部连线8与耦合器B2的耦合端9相连；本技术的工作原理是:使用两个同型号，同性能的耦合器封装到一个无源器件中，对外的接口是封装到一体的，采用机械化设备进行接头的封装制作，保证每一个接头到耦合器的工作部分损耗相等，使两个耦合器的性能一样。使过双通道耦合器的两路信号衰减值相等。【主权项】1.一种双通道耦合器，其特征在于，包括有耦合器A(I)和耦合器B(2)，耦合器A(I)的直通端(3)与集成双通道耦合器直通端(12)相连；耦合器A(I)的耦合端(4)与集成双通道耦合器输入端A (5)相连；耦合器A (I)的输入端(6)与集成双通道耦合器输入端B (7)相连；集成双通道耦合器输入端A (5)与耦合器B (2)的耦合端(9)相连；耦合器B (2)的输入端(10)与集成双通道耦合器输入端B (7)相连；耦合器B (2)的直通端(11)与集成双通道耦合器直通端(12)相连。2.根据权利要求1所述的一种双通道耦合器，其特征在于，所述的耦合器A(I)和耦合器B (2)之间设有信号屏蔽层(13)。3.根据权利要求1所述的一种双通道耦合器，其特征在于，所述的集成双通道耦合器输入端A(5)通过集成双通道耦合器内部连线(8)与耦合器B(2)的耦合端(9)相连。【专利摘要】一种双通道耦合器，包括有耦合器A和耦合器B，耦合器A的直通端与集成双通道耦合器直通端相连；耦合器A的耦合端与集成双通道耦合器输入端A相连；耦合器A的输入端与集成双通道耦合器输入端B相连；集成双通道耦合器输入端A与耦合器B的耦合端相连；耦合器B的输入端与集成双通道耦合器输入端B相连；耦合器B的直通端与集成双通道耦合器直通端相连；具有结构简单、易于推广和使用方便的特点。【IPC分类】H04B7-04【公开号】CN204272116【申请号】CN201420827126【专利技术人】闫红来 【申请人】西安外事学院【公开日】2015年4月15日【申请日】2014年12月22日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种双通道耦合器，其特征在于，包括有耦合器A(1)和耦合器B(2)，耦合器A(1)的直通端(3)与集成双通道耦合器直通端(12)相连；耦合器A(1)的耦合端(4)与集成双通道耦合器输入端A(5)相连；耦合器A(1)的输入端(6)与集成双通道耦合器输入端B(7)相连；集成双通道耦合器输入端A(5)与耦合器B(2)的耦合端(9)相连；耦合器B(2)的输入端(10)与集成双通道耦合器输入端B(7)相连；耦合器B(2)的直通端(11)与集成双通道耦合器直通端(12)相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：闫红来，
申请(专利权)人：西安外事学院，
类型：新型
国别省市：陕西;61
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