一种ADC设计参数与性能指标量化模型的建立方法技术

本发明专利技术涉及模拟集成电路技术，特别涉及一种ADC设计参数与性能指标量化模型的建立方法。本发明专利技术为先分别建立预放大器的输出节点模型、预放大器的小信号模型和预放大器的失配模型三个ADC性能指标模型；再根据三个ADC性能指标模型建立ADC设计参数与性能指标量化模型；所述ADC设计参数与性能指标量化模型用于接收ADC设计参数，输出ADC性能指标量化模型。本发明专利技术的有益效果为，在已知预防大器增益和带宽、输入电压范围、输入共模电平、失调电压的标准差σ(VOS)这些基本指标的情况下，输入设计参数即可获得由这些参数构成的ADC的性能指标，极大的简化了设计流程。本发明专利技术尤其适用于ADC设计。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种ADC设计参数与性能指标量化模型的建立方法，其特征在于，先依次分别建立预放大器的输出节点模型、预放大器的小信号模型和预放大器的失配模型三个ADC性能指标模型；再根据三个ADC性能指标模型建立ADC设计参数与性能指标量化模型；所述ADC设计参数与性能指标量化模型用于接收ADC设计参数，输出ADC性能指标，具体方法为：将预放大器阵列的过驱动电压值和静态电流值输入预放大器的输出节点模型后获得节点的共模电压值；将MOS管的器件特征值输入预放大器的小信号模型后获得预放大器阵列每级的增益和带宽以及失调电压的标准差；所述预放大器的失配模型根据器件特性和预放大器的小信号模型获得的失调电压的标准差，输出系统失调电压值的分布；其中，所述预放大器的输出节点模型包括预放大器的单个输出节点模型和边缘输出节点模型；所述预放大器的单个输出节点模型为根据单个预放大器的输出节点进行建立；所述预放大器的边缘输出节点模型为根据预放大器边缘结构的输出节点进行建立；所述预放大器的单个输出节点模型包括第一级预放大器单个输出节点模型和第二级预放大器单个输出节点模型；所述预放大器的边缘输出节点模型包括第一级预放大器边缘输出节点模型和第二级预放大器边缘输出节点模型；所述预放大器的小信号模型为根据单个预放大器结构中功率MOS管分别建立；所述预放大器的小信号模型包括第一级预放大器小信号模型和第二级预放大器小信号模型；所述预放大器的失配模型由阈值电压失配模型、MOS管宽长比系数失配模型、负载电阻失配模型和插值电阻的失配模型构成。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐鹤，彭勇，傅晓锦，富浩宇，路祥，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51