加工对象物切断方法技术

该加工对象物切断方法具备如下工序：以单晶蓝宝石基板(31)的背面(31b)作为基板(31)中的激光(L)的入射面，将激光(L)的聚光点(P)对准于基板(31)内，并使聚光点(P)沿着以与基板(31)的m面和背面(31b)平行的方式设定的多条切断预定线(52)的各条相对地移动，由此沿着各线(52)在基板(31)内形成改质区域(72)，并且使龟裂(82)到达背面(31b)。在该工序中，在以表面(31a)的龟裂(82)的蛇行量为m的情况下，满足ΔY＝(tanα)·(t-Z)±[(d/2)-m]。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】加工对象物切断方法
本专利技术涉及用于将具备单晶蓝宝石基板的加工对象物切断成各个发光元件部来制造多个发光元件的加工对象物切断方法。
技术介绍
作为上述
中的现有的加工对象物切断方法，在专利文献1中记载了如下方法：通过切割或者划片在蓝宝石基板的表面和背面形成分离槽，并且通过激光的照射在蓝宝石基板内形成多段加工变质部，并沿着分离槽和加工变质部切断蓝宝石基板。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-245043号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题然而，为了将具备具有与c面形成达偏角(offangle)的角度的表面和背面的单晶蓝宝石基板的加工对象物切断成各发光元件部，通过激光的照射在单晶蓝宝石基板内形成改质区域，从沿着与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的多条切断预定线的各条形成的改质区域所产生的龟裂会到达发光元件部，由此有应制造的发光元件的成品率下降的情况。在此，本专利技术的目的是提供一种能够防止从沿着与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的多条切断预定线的各条形成的改质区域所产生的龟裂到达发光元件部的加工对象物切断方法。解决技术问题的手段本专利技术人等为了达到上述目的而反复专心研究的结果，彻底查明：从沿着与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的多条切断预定线的各条形成的改质区域所产生的龟裂到达发光元件部的事实起因于单晶蓝宝石基板中的m面与r面的关系。即，从沿着与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的切断预定线形成的改质区域所产生的龟裂的伸展方向相比于m面的影响更强烈地受到相对于m面倾斜的r面的影响，而朝r面的倾斜方向拉引，其结果，有该龟裂到达发光元件部的情况。本专利技术人等基于该认识进一步反复研究，从而完成本专利技术。即，本专利技术的一个侧面的加工对象物切断方法，是将具备具有与c面形成达偏角的角度的表面和背面的单晶蓝宝石基板、以及在表面上包含矩阵状排列的多个发光元件部的元件层的加工对象物切断成各个发光元件部来制造多个发光元件的加工对象物切断方法，具备：以背面作为单晶蓝宝石基板中的激光的入射面，将激光的聚光点对准于单晶蓝宝石基板内，并使聚光点沿着以与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的方式设定的多条第1切断预定线的各条相对地移动，由此沿着各条第1切断预定线在单晶蓝宝石基板内形成第1改质区域，并且使从第1改质区域产生的第1龟裂到达背面的第1工序；以及在第1工序之后，沿着各条第1切断预定线使外力作用于加工对象物，由此使第1龟裂伸展，并沿着各第1切断预定线切断加工对象物的第2工序，在第1工序中，在相邻接的发光元件部间从在与m面平行的方向上延伸的格线(street)区域的中心线至将聚光点对准的位置为止的从与背面垂直的方向看的情况下的距离为ΔY，单晶蓝宝石基板的厚度为t，从背面至将聚光点对准的位置为止的距离为Z，格线区域的宽度为d，表面中的第1龟裂的蛇行量为m，垂直于背面的方向与第1龟裂伸展的方向所形成的角度为α的情况下，以满足ΔY＝(tanα)·(t-Z)±[(d/2)-m]的方式，以背面作为入射面，将聚光点对准于单晶蓝宝石基板内，使聚光点沿着各条第1切断预定线相对地移动。在该加工对象物切断方法中，在以与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的方式设定的多条第1切断预定线的各条中，以满足ΔY＝(tanα)·(t-Z)±[(d/2)-m]的方式将激光照射在加工对象物，在单晶蓝宝石基板内形成第1改质区域，并且使从第1改质区域产生的第1龟裂到达单晶蓝宝石基板的背面。由此，即使从第1改质区域产生的第1龟裂的伸展方向朝r面的倾斜方向拉引，也可以在单晶蓝宝石基板的表面将第1龟裂收在格线区域内。因此，根据该加工对象物切断方法，能够防止从沿着与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的多条切断预定线的各条形成的改质区域所产生的龟裂到达发光元件部。另外，偏角为包含0°的情况的偏角。在该情况下，单晶蓝宝石基板的表面和背面与c面平行。在此，在第2工序中，也可以沿着各第1切断预定线从表面侧将刀缘抵接在加工对象物，沿着各条第1切断预定线使外力作用于加工对象物。由此，由于外力以到达单晶蓝宝石基板的背面的第1龟裂裂开的方式作用于加工对象物，因此能够沿着第1切断预定线容易地且精度高地切断加工对象物。另外，加工对象物切断方法也可以进一步具备：在第2工序之前，以背面作为入射面，将聚光点对准于单晶蓝宝石基板内，并使聚光点沿着以与单晶蓝宝石基板的a面和背面平行的方式设定的多条第2切断预定线的各条相对地移动，由此沿着各第2切断预定线在单晶蓝宝石基板内形成第2改质区域的第3工序；以及在第1工序和第3工序之后，沿着各条第2切断预定线使外力作用于加工对象物，由此使从第2改质区域产生的第2龟裂伸展，并沿着各条第2切断预定线切断加工对象物的第4工序。由此，能够沿着第1切断预定线和第2切断预定线容易地且精度高地切断加工对象物。另外，第3工序只要是在第2工序之前，便可以在第1工序之前实施，也可以在第1工序之后实施。另外，第4工序只要是在第1工序和第3工序之后，便可以在第4工序之前实施，也可以在第4工序之后实施。专利技术的效果根据本专利技术，可以提供一种能够防止从沿着与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的多条切断预定线的各条形成的改质区域所产生的龟裂到达发光元件部的加工对象物切断方法。附图说明图1是改质区域的形成所使用的激光加工装置的概略结构图。图2是成为改质区域的形成的对象的加工对象物的平面图。图3是沿着图2的加工对象物的III-III线的截面图。图4是激光加工后的加工对象物的平面图。图5是沿着图4的加工对象物的V-V线的截面图。图6是沿着图4的加工对象物的VI-VI线的截面图。图7是成为本专利技术的一个实施方式的加工对象物切断方法的对象的加工对象物的平面图。图8是图7的加工对象物的单晶蓝宝石基板的单位晶格图。图9是用于说明本专利技术的一个实施方式的加工对象物切断方法的加工对象物的截面图。图10是说明图7的加工对象物的格线区域用的加工对象物的平面图。图11是用于说明本专利技术的一个实施方式的加工对象物切断方法的加工对象物的截面图。图12是用于说明本专利技术的一个实施方式的加工对象物切断方法的加工对象物的截面图。图13是用于说明本专利技术的一个实施方式的加工对象物切断方法的加工对象物的截面图。图14是用于说明本专利技术的一个实施方式的加工对象物切断方法的加工对象物的截面图。符号的说明：1…加工对象物，10…发光元件，31…单晶蓝宝石基板，31a…表面，31b…背面，32…发光元件部，33…元件层，38…格线区域，44…刀缘，51…切断预定线(第2切断预定线)，52…切断预定线(第1切断预定线)，71…改质区域(第2改质区域)，72…改质区域(第1改质区域)，81…龟裂(第2龟裂)，82…龟裂(第1龟裂)，CL…中心线，L…激光，P…聚光点。具体实施方式以下，就本专利技术的优选的实施方式，参照附图详细说明。另外，在各图中对于相同或相当部分赋予相同符号，并省略重复的说明。在本专利技术的一个实施方式的加工对象物切断方法中，通过沿着切断预定线将激光照射于加工对象物，从而沿着切断预定线在加工对象物的内部形成改质区域。在此，首先，就该改质区域的形成，参照图1～图6进行说明。如图1所示，激光加工装置100具备将激光L脉冲振荡的激光光源101、以将激光L的光轴(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种加工对象物切断方法，其特征在于，是用于将加工对象物切断成各个发光元件部来制造多个发光元件的加工对象物切断方法，所述加工对象物具备具有与c面形成达偏角的角度的表面和背面的单晶蓝宝石基板、以及在所述表面上包含矩阵状排列的多个发光元件部的元件层，具备：第1工序，其以所述背面作为所述单晶蓝宝石基板中的激光的入射面，将所述激光的聚光点对准于所述单晶蓝宝石基板内，使所述聚光点沿着以与所述单晶蓝宝石基板的m面和所述背面平行的方式设定的多条第1切断预定线的各条相对地移动，由此沿着各条所述第1切断预定线在所述单晶蓝宝石基板内形成第1改质区域，并且使从所述第1改质区域产生的第1龟裂到达所述背面；以及第2工序，其在所述第1工序之后，沿着各条所述第1切断预定线使外力作用于所述加工对象物，由此使所述第1龟裂伸展，并沿着各条所述第1切断预定线切断所述加工对象物，在所述第1工序中，在以在相邻接的所述发光元件部间从在与所述m面平行的方向上延伸的格线区域的中心线至将所述聚光点对准的位置为止的从与所述背面垂直的方向看的情况下的距离为ΔY，所述单晶蓝宝石基板的厚度为t，从所述背面至将所述聚光点对准的位置为止的距离为Z，所述格线区域的宽度为d，所述表面的所述第1龟裂的蛇行量为m，垂直于所述背面的方向与所述第1龟裂伸展的方向所形成的角度为α的情况下，以满足ΔY＝(tanα)·(t‑Z)±[(d/2)‑m]的方式，以所述背面作为所述入射面，将所述聚光点对准于所述单晶蓝宝石基板内，使所述聚光点沿着各所述第1切断预定线相对地移动。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.08.22 JP 2012-1834951.一种加工对象物切断方法，其特征在于，是用于将加工对象物切断成各个发光元件部来制造多个发光元件的加工对象物切断方法，所述加工对象物具备单晶蓝宝石基板、以及元件层，所述单晶蓝宝石基板具有与c面形成角度的表面和背面，该角度是达到偏角的角度，所述元件层在所述表面上包含矩阵状排列的多个发光元件部，具备：第1工序，其以所述背面作为所述单晶蓝宝石基板中的激光的入射面，将所述激光的聚光点对准于所述单晶蓝宝石基板内，使所述聚光点沿着以与所述单晶蓝宝石基板的m面和所述背面平行的方式设定的多条第1切断预定线的各条相对地移动，由此沿着各条所述第1切断预定线在所述单晶蓝宝石基板内形成第1改质区域，并且使从所述第1改质区域产生的第1龟裂到达所述背面；以及第2工序，其在所述第1工序之后，沿着各条所述第1切断预定线使外力作用于所述加工对象物，由此使所述第1龟裂伸展，并沿着各条所述第1切断预定线切断所述加工对象物，在所述第1工序中，在以在相邻接的所述发光元件部间从在与所述m面平行的方向上延伸的格线区域的中心线至将所述聚光点对准的位置为止的从与所述背面垂直的方向看的情况下的距离为ΔY，所述单晶蓝宝石基板的厚度为t...

【专利技术属性】
技术研发人员：田力洋子，山田丈史，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP