【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种GaN基外延材料位错缺陷的测定方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、将磷酸溶液或者磷酸和硫酸的混合溶液加热至溶液沸腾；步骤二、将氮化镓样品放入沸腾的酸中腐蚀20～30分钟；步骤三、取出样品，将样品进行化学清洗并干燥；步骤四、采用荧光显微镜观察样品，将荧光显微镜的光源转换到强光源，并设为暗场模式，目镜中观察到的材料表面呈现黑色，由于位错形成的不同大小的凹坑的斜面和底部反射入射光，形成大小不同的光斑，统计样品上光斑的数量，得到不同位错总数，将相应的位错总数除以该放大倍数下的观察面积，得到对应的位错密度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈刚毅，梅劲，
申请(专利权)人：广东德豪润达电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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