【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种MnO2‑SnO2/石墨纳米片阵列复合电极材料的制备方法，是以电化学活化剥离得到的石墨纳米片阵列作为基底，以MnCl2·4H2O、NaNO3和SnCl4·5H2O的混合溶液作为电镀液，以石墨纳米片基底作为工作电极，铂网作为对电极，饱和甘汞电极作为参比电极，在温度为50~80℃，‑0.3~ ‑0.8 V的电位下沉积1~10min；电沉积结束后，用水冲洗，干燥，得到MnO2‑SnO2/石墨纳米片阵列复合电极材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡中爱，陈婵娟，任小英，强睿斌，胡海雄，吴红英，
申请(专利权)人：西北师范大学，
类型：发明
国别省市：甘肃;62
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