一种晶体硅太阳能电池PN结的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种晶体硅太阳能电池PN结的制备方法，它包括以下步骤：（a）沉积：将清洗制绒的硅片置于760~800℃条件下，向其中通入POCl3、N2和O2组成的混合气体，反应1~15min，所述N2的流量为1~30slm，所述O2的流量为500~1500sccm，所述POCl3和所述O2的流量比为2~5:1；（b）推进：将经过步骤（a）处理后的硅片置于800～840℃条件下，向其中通入O2，持续时间为1~20min，所述O2的流量为3000~30000sccm；（c）退火：将经过步骤（b）处理后的硅片置于700～760℃条件下，向其中通入O2，持续10~30min即可，所述O2的流量为3000~30000sccm。这样能够增加PN结的内建电势差，降低电池片表面浓度，减少表面复合，提高其开路电压，同时提升其填充因子。

【技术实现步骤摘要】

 本专利技术属于太阳能电池领域，具体涉及一种晶体硅太阳能电池PN结的制备方法。
技术介绍
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置，以光电效应工作的薄膜式太阳能电池为主流，太阳光照在半导体PN结上，能量大于硅禁带宽度的光子形成新的空穴-电子对，在PN结电场的作用下，光生空穴由N区流向P区，光生电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。近年来，随着丝网浆料以及网版技术的不断进步，太阳能电池片的烧结窗口不断变宽，对应的扩散表面浓度可以降的相对较低。一般而言，提高方阻可以有效降低太阳能电池的表面浓度，提升电池的开路电压和短路电流，但同时与表面距离大于0.1μm深度区域的衬底内掺杂浓度也相应降低，而且由于传统扩散工艺均在扩散炉内完成，由于炉管内各个温区温度设置往往不一致，很难保证整管电池片的结深均匀性，因而不利于和后续烧结工序的匹配，造成电池片的转换效率无法得到有效提升。而且现有的PN结的制备方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池PN结的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：（a）沉积：将清洗制绒的硅片置于760～800℃条件下，向其中通入POCl3、N2和O2组成的混合气体，反应1~15min，所述N2的流量为1~30slm，所述O2的流量为500~1500sccm，所述POCl3和所述O2的流量比为2~5:1；（b）推进：将经过步骤（a）处理后的硅片置于800～840℃条件下，向其中通入O2，持续时间为1~20min，所述O2的流量为3000~30000sccm；（c）退火：将经过步骤（b）处理后的硅片置于700～760℃条件下，向其中通入O2，持续10~30min即可，所述O2的流量为3000...

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳能电池PN结的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：
（a）沉积：将清洗制绒的硅片置于760～800℃条件下，向其中通入POCl3、N2和O2组成的混合气体，反应1~15min，所述N2的流量为1~30slm，所述O2的流量为500~1500sccm，所述POCl3和所述O2的流量比为2~5:1；
（b）推进：将经过步骤（a）处理后的硅片置于800～840℃条件下，向其中通入O2，持续时间为1~20min，所述O2的流量为3000~30000sccm；
（c）退火：将经过步骤（b）处理后的硅片置于700～760℃条件...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴晓伟，蒋文杰，连维飞，魏青竹，倪志春，
申请(专利权)人：中利腾晖光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32