高分子化合物的制造方法及高分子化合物技术

本发明专利技术的高分子化合物的制造方法包括下述工序(a)、(b)。工序(a)：在酸催化剂或碱催化剂的存在下得到高分子化合物的工序。工序(b)：使工序(a)所得到的含有高分子化合物的溶液接触阴离子交换树脂和阳离子交换树脂的混合树脂的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术的高分子化合物的制造方法包括下述工序(a)、(b)。工序(a)：在酸催化剂或碱催化剂的存在下得到高分子化合物的工序。工序(b)：使工序(a)所得到的含有高分子化合物的溶液接触阴离子交换树脂和阳离子交换树脂的混合树脂的工序。【专利说明】高分子化合物的制造方法及高分子化合物
本专利技术涉及高分子化合物的制造方法及高分子化合物。 本申请以2012年6月26日在日本提出申请的特愿2012-142968号和2012年12 月3日在日本提出申请的特愿2012-264381号为基础主张优先权，在此引用其内容。
技术介绍
在半导体元件、液晶元件等的制造工序中，在基板上形成抗蚀剂膜，曝光该抗蚀剂 膜，显影，形成抗蚀剂图案。 近年来，由于光刻技术的进步，抗蚀剂图案的微细化在急速进行。作为微细化的手 法，有照射光的短波长化。具体地，照射光可从g线（波长：438nm)和i线（波长：365nm) 朝着波长300nm以下的DUV(Deep Ultra Violet，深紫外光）短波长化。现在，KrF准分子 激光（波长：248nm)光刻技术和ArF准分子激光（波长：193nm)光刻技术正被引入。 此外，关于更短波长的EUV (波长：13. 5nm)的光刻技术也在被研宄。此外，关于电 子束光刻技术、在水等液体中进行曝光的浸液光刻技术也在被努力研宄。 在光刻工序中，除上述的抗蚀剂膜之外，正在使用防反射膜、间隙填充膜、外涂层 膜等种种的薄膜。这些膜的形成中一般使用含有高分子化合物的膜。 此处，在高密度集成电路、电脑芯片和电脑硬盘等的制造中产生金属污染时，常常 导致缺陷的增加和产量损失，成为引起性能低下的主要原因。 例如，等离子体工艺中，在用于光刻工序的高分子化合物中存在钠和铁等金属杂 质（例如金属离子、金属粉体、过渡金属络合物等）时，等离子体剥离时可能会产生金属污 染。 由于光刻技术等精细加工技术的发展，电子设备变得更为精巧，这些各种问题，变 得难以完全解决。常常观察到由于非常低含量的金属杂质的存在，半导体设备的性能和稳 定性降低。其主要原因，可确认特别是在于用于光刻工序的高分子化合物中含有的钠等轻 金属、或铁等重金属。进一步地，也很清楚高分子化合物中的不足IOOppb的金属杂质的浓 度，对这类电子设备的性能和稳定性带来恶劣影响。 以往，高分子化合物中的金属杂质浓度是通过选择满足严格的杂质浓度规格的原 料、或进行彻底的流程管理以使高分子化合物的制造阶段中不混入金属杂质来管理的。但 是，伴随着金属杂质浓度的严格规范化，需要通过彻底的管理金属杂质的混入的方法进行 高分子化合物的制造。 作为降低高分子化合物中的金属杂质的方法，被提出的有使高分子化合物溶液通 过不含强酸性离子交换基、且含有产生ZETA电位（ζ电位）的电荷控制剂的过滤器的方法 (专利文献1)。 此外，提出有将使高分子化合物溶液与阳离子交换树脂接触的工序（Tl)、使高分 子化合物溶液与阳离子交换树脂和阴离子交换树脂的混合树脂接触的工序（T2)、使高分子 化合物溶液通过含有带正ZETA电位的物质的过滤器的工序（T3)组合实施的方法（专利文 献2)。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本专利特表2010-189563号公报 专利文献1 :日本专利特开2010-209338号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 在酸催化剂或碱催化剂的存在下将单体聚合得到高分子化合物时，在得到的高分 子化合物中，在金属杂质之外，酸催化剂或碱催化剂会变为杂质残存。该酸催化剂或碱催化 剂杂质也会与金属杂质同样地影响半导体设备的性能和稳定性。 此外，通常，在酸催化剂的存在下将单体聚合时，用作为反应终止剂的碱性化合物 使聚合反应停止。另一方面，在碱催化剂的存在下将单体聚合时，用作为反应终止剂的酸性 化合物使聚合反应停止。这些反应终止剂也会变为杂质残存于高分子化合物中，影响半导 体设备的性能和稳定性。 如此一来，在酸催化剂的存在下得到高分子化合物时，高分子化合物中含有源自 酸催化剂的杂质和源自反应终止剂（碱性化合物）的杂质。另一方面，在碱催化剂的存在 下得到高分子化合物时，高分子化合物中存在源自碱催化剂的杂质和源自反应终止剂（酸 性化合物）的杂质。因此，也需要降低高分子化合物中的这些杂质的浓度。 此外，源自酸催化剂及反应终止剂（酸性化合物）的杂质统称为"酸杂质"，源自碱 催化剂及反应终止剂（碱性化合物）的杂质统称为碱杂质。 然而，如专利文献1所述的方法，使用特定的过滤器时，要想充分降低高分子化合 物中的金属杂质浓度、和酸及碱杂质浓度这两者，需要使用多个过滤器。因此，过滤器的使 用数量越增多，换算为每个过滤器时的高分子化合物的生产率会降低。此外，用于除去金属 杂质的过滤器价格高，因而使用多个过滤器也伴随有制造成本的上升。 专利文献2涉及（甲基）丙烯酸系共聚物的制法，没有记载能降低酸和碱杂质浓 度的要点。 本专利技术鉴于上述内容而做成，目的在于提供一种能生产率良好地制造金属杂质浓 度较低、且酸和碱杂质浓度也充分被降低的高分子化合物的制造方法、和金属杂质浓度较 低且酸和碱杂质浓度也充分被降低的高分子化合物。 解决课题的手段 本专利技术人等专心研宄的结果，着眼于对高分子化合物提纯的顺序。也就是说，发现 了：通过使含有在酸催化剂或碱催化剂的存在下得到的高分子化合物的溶液或含有将该高 分子化合物通过再沉淀法提纯后的高分子化合物的溶液接触阴离子交换树脂和阳离子交 换树脂的混合树脂，能够生产率良好地制造金属杂质浓度被降低自不待言、酸和碱杂质浓 度也被充分降低的高分子化合物。另外，还找出了若使含有高分子化合物的溶液接触混合 树脂后通过特定的过滤器，则可进一步降低金属杂质的浓度、酸和碱杂质的浓度，以至于完 成了本专利技术。 SP，本专利技术含有以下形态。 〈1> 一种高分子化合物的制造方法，其包括下述工序（a)、（b)， 工序（a):在酸催化剂或碱催化剂的存在下得到高分子化合物的工序； 工序（b):使工序（a)所得到的含有高分子化合物的溶液与混合了阴离子交换树 脂和阳离子交换树脂的混合树脂接触的工序。 〈2>根据〈1>所述的高分子化合物的制造方法，所述阴离子交换树脂和阳离子交 换树脂的质量比（阴离子交换树脂/阳离子交换树脂）为60/40?99/1。 〈3>根据〈1>或〈2>所述的高分子化合物的制造方法，所述高分子化合物的侧链上 加成有交联剂。 〈4>根据〈1>?〈3>中任意一项所述的高分子化合物的制造方法，所述高分子化合 物是聚酯系高分子化合物。 〈5>根据〈1>?〈4>中任意一项所述的高分子化合物的制造方法，所述酸催化剂是 磺酸。 〈6>根据〈1>?〈4>中任意一项所述的高分子化合物的制造方法，所述碱催化剂是 叔胺。 〈7>根据〈1>?〈6>中任意一项所述的高分子化合物的制造方法，进一步包括下述 工序（c)， 工序（C):使工序（b)中得到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高分子化合物的制造方法，其包括下述工序(a)、(b)，工序(a)：在酸催化剂或碱催化剂的存在下得到高分子化合物的工序；工序(b)：使含有工序(a)所得到的高分子化合物的溶液与混合了阴离子交换树脂和阳离子交换树脂的混合树脂接触的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：土屋征司，前田晋一，
申请(专利权)人：三菱丽阳株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP