非晶质无机阴离子交换体、电子零件封装用树脂组合物及非晶质铋化合物的制造方法技术

技术编号:11234090 阅读:152 留言:0更新日期:2015-04-01 08:05
本发明专利技术的目的在于提供一种具有优异的阴离子交换性、对金属腐蚀性少的非晶质无机阴离子交换体,并提供一种可制造具有优异的阴离子交换性、对金属腐蚀性少的非晶质铋化合物的制造方法。本发明专利技术的非晶质无机阴离子交换体的特征在于:通过电子显微镜观察的平均一次粒径为1nm以上500nm以下,NO3含量为全体的1重量%以下,由式[1]所表示。本发明专利技术的非晶质铋化合物的制造方法的特征在于包含沉淀生成步骤,在该步骤中,将含有3价铋离子的酸性水溶液以高于0℃低于20℃的温度范围,调整pH为12以上,从而使沉淀生成,得到的非晶质铋化合物为式[1]所示,且NO3含量为1重量%以下,BiO(OH)[1]。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】非晶质无机阴离子交换体、电子零件封装用树脂组合物及非晶质铋化合物的制造方法
本专利技术涉及非晶质无机阴离子交换体、含有该非晶质无机阴离子交换体的电子零件封装用树脂组合物、电子零件封装用树脂、电子零件、清漆、粘着剂、糊剂及物品,以及非晶质铋化合物的制造方法。
技术介绍
大多LSI、IC、混合IC、晶体管、二极管和晶闸管以及它们的混合零件等电子零件,为了保护电子电路、封装不受来自外界的污染、水分等影响,通常使用电子零件封装用树脂组合物加以封装。这样的电子零件封装材抑制原材料中的离子性杂质或从外部侵入的水分造成的不良情形,同时要求阻燃性、高密合性、耐龟裂性及高体积电阻率等电气特性等各种特性。电子零件封装用树脂组合物中,大多使用与金属配线或半导体芯片的密合性很好、耐热性高的环氧树脂,封装用树脂组合物除了作为主成分的环氧化合物以外,大多由环氧化合物固化剂、固化促进剂、无机填充物、阻燃剂、颜料以及硅烷偶合剂等构成。环氧树脂为优秀的封装用树脂,但公知其含有少量离子性杂质,也公知离子性杂质可能腐蚀半导体芯片配线电路中所使用的铝等金属配线。另一方面,随着近年半导体电路的高集成化与高速化,电路工作时发生本文档来自技高网...
非晶质无机阴离子交换体、电子零件封装用树脂组合物及非晶质铋化合物的制造方法

【技术保护点】
一种非晶质无机阴离子交换体,其特征在于,通过电子显微镜观察的平均一次粒径为1nm以上500nm以下,NO3含量为全体的1重量%以下,并且由式[1]所表示,BiO(OH)  [1]。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.06.21 JP 2012-140109;2012.06.21 JP 2012-140101.一种非晶质铋化合物的制造方法,其特征在于,含有沉淀生成步骤,该步骤中,将含有3价铋离子的酸性水溶液以高于0℃低于20℃的温度范围,调整pH为12以上,从而使沉淀生成;得到的非晶质铋化合物为式[1]所示,且NO3含量为1重量%以下,BiO(OH)[1]。2.如权利要求1所述的非晶质铋化合物的制造方法,接续该沉淀生成步骤,进一步含有洗净步骤,该洗净步骤中,将沉淀洗净直至滤液的导电率为300μS/cm以下。3.如权利要求2所述的非晶质铋化合物的制造方法,其中,在该洗净步骤后,进一步含有干燥步骤,在该干燥步骤中,将沉淀的水分量干燥至5重量%以下。4.如权利要求1~3任一项所述的非晶质铋化合物的制造方法,其中,该沉淀生成步骤通过下述方法而实施:在pH12以上的水溶液中,投入含有3价铋离子的酸性水溶液并混合。5.如权利要求1所述的非晶质铋化合物的制造方法,该...

【专利技术属性】
技术研发人员:宫村健太郎饭沼知久大野康晴
申请(专利权)人:东亚合成株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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