脱模用双轴取向聚酯膜制造技术

本发明专利技术提供一种脱模用双轴取向聚酯膜，其由3层构成，所述3层为表层(A层)、中间层(B层)、表层(C层)，所述A层含有相对于A层的重量而言为0.05重量％以上1.0重量％以下的无机粒子和/或有机粒子、且厚度为3.0μm以上8.0μm以下，所述无机粒子和/或有机粒子的体积平均粒径(dA)为0.1μm以上1.0μm以下、且莫氏硬度为7以下；所述B层含有无机粒子和/或有机粒子、且厚度为10.0μm以上35.0μm以下，所述无机粒子和/或有机粒子的体积平均粒径(dB)为0.3μm以上1.5μm以下、且莫氏硬度为7以下，莫氏硬度为7以下的无机粒子的含量相对于B层的重量而言为0.6质量％以上6重量％以下，有机粒子的含量相对于B层的重量而言为0.05重量％以上5重量％以下；所述C层含有相对于C层的重量而言为0.03重量％以上且小于1.0重量％的有机粒子、且厚度为0.5μm以上2.0μm以下，所述有机粒子的体积平均粒径(dC)为0.2μm以上1.0μm以下、且在粒度分布曲线中存在1个或2个峰，所述脱模用双轴取向聚酯膜满足式(1)，并且层整体的厚度为20μm以上40μm以下。dA<dC≦dB···式(1)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供一种脱模用双轴取向聚酯膜，其由3层构成，所述3层为表层(A层)、中间层(B层)、表层(C层)，所述A层含有相对于A层的重量而言为0.05重量％以上1.0重量％以下的无机粒子和/或有机粒子、且厚度为3.0μm以上8.0μm以下，所述无机粒子和/或有机粒子的体积平均粒径(dA)为0.1μm以上1.0μm以下、且莫氏硬度为7以下；所述B层含有无机粒子和/或有机粒子、且厚度为10.0μm以上35.0μm以下，所述无机粒子和/或有机粒子的体积平均粒径(dB)为0.3μm以上1.5μm以下、且莫氏硬度为7以下，莫氏硬度为7以下的无机粒子的含量相对于B层的重量而言为0.6质量％以上6重量％以下，有机粒子的含量相对于B层的重量而言为0.05重量％以上5重量％以下；所述C层含有相对于C层的重量而言为0.03重量％以上且小于1.0重量％的有机粒子、且厚度为0.5μm以上2.0μm以下，所述有机粒子的体积平均粒径(dC)为0.2μm以上1.0μm以下、且在粒度分布曲线中存在1个或2个峰，所述脱模用双轴取向聚酯膜满足式(1)，并且层整体的厚度为20μm以上40μm以下。dA<dC≦dB···式(1)。【专利说明】脱模用双轴取向聚酯膜
本专利技术涉及将双轴拉伸聚酯膜作为基底的脱模用基底膜。
技术介绍
随着近来的智能手机的普及，层合陶瓷电容器的小型高容量化正逐步发展。因此， 就用于制造层合陶瓷电容器的脱模膜而言，对平滑性高的、膜表面及内部不存在缺陷的聚 酯膜的需求迅速地增长。 关于高平滑的脱模用途的聚酯膜，公开了一种基底膜，其在构成形成陶瓷浆料的 表面的层中实质上不含粒子，且该表面的三维中心面粗糙度（SRa)为2?7nm，由此能够减 少生片上针孔的产生（专利文献1)。此外，还公开了通过减少膜表面的凹陷缺陷来抑制 涂布陶瓷浆料后所形成的、生片表面的缺陷从而提高陶瓷浆料的涂布性的技术（专利文献 2)。此外，膜的高平滑化会引起下述问题：膜带电，卷入由于静电导致附着于膜上的杂质，从 而产生凸起状缺陷。针对该问题，公开了通过将膜的卷绕工序设定为特定的条件来解决的 方法（专利文献3)。此外，为了能够获得高平滑性、削减杂质、降低生产成本，还公开了在不 同种类的3层结构的中间层中不配合微粒的方法（专利文献4)。 近年来，对层合陶瓷电容器要求高精度，因此对于用于制造层合陶瓷电容器的脱 模膜而言，也要求其在将陶瓷生片层合在薄膜上、且层合为多层时具有高的层合精度。因 此，对用于制造层合陶瓷电容器的脱模膜而言，要求作为膜的支承体的刚性和缓冲性。如果 对于脱模膜而言，作为膜的支承体的刚性和缓冲性不足，则在将生片切断的工序中，有时切 断无法准确地进行，或者切断面不稳定、生片的截面破裂。此外，在生片切断后的层合工序 中，有时也不能彻底均匀地加热，从而不能均匀地进行层合。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开2007-62179号公报 专利文献2:日本特开2007-210226号公报 专利文献3:日本特开2004-196873号公报 专利文献4:日本特开2004-196856号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种脱模用双轴取向聚酯膜，其在制造除面向于智能手机 以外也可以搭载于多功能移动终端的、层合陶瓷电容器时，使薄膜生片成型时的、陶瓷浆料 的涂布性、以及生片冲切性和生片层合特性之间的均衡性适宜。 本专利技术人等鉴于上述实际情况进行了深入研宄，结果发现，通过使膜的层合构成 适宜、并且对添加的粒子的种类和含量进行限定，能够得到适于薄膜生片成型的脱模聚酯 膜，从而完成了本专利技术。 即，本专利技术涉及下文所述第一专利技术、第二专利技术。以下，只要没有特别区分，则本专利技术 是指第一专利技术、第二专利技术。 第一专利技术为一种脱模用双轴取向聚酯膜，是由3层构成的聚对苯二甲酸乙二醇酯 膜，其特征在于， 所述3层为表层（A层）、中间层（B层）、表层（C层）， A层含有相对于A层的重量而言为0. 05重量％以上1. 0重量％以下的无机粒子和 /或有机粒子、且厚度为3. 0ym以上8. 0ym以下，所述无机粒子和/或有机粒子的体积平 均粒径（dA)为0.lym以上l.Oym以下、且莫氏硬度为7以下， B层是厚度为10. 0ym以上35. 0ym以下的层、且含有无机粒子和/或有机粒子， 所述无机粒子和/或有机粒子的体积平均粒径为〇. 3ym以上1. 5ym以下、且莫氏硬度为7 以下，莫氏硬度为7以下的无机粒子的含量相对于B层的重量而言为0. 6重量％以上6重 量％以下，莫氏硬度为7以下的有机粒子的含量相对于B层的重量而言为0. 05?5重量％， C层含有相对于C层的重量而言为0. 03重量％以上且小于1. 0重量％的有机粒 子、且厚度为0. 5ym以上2. 0ym以下，所述有机粒子的体积平均粒径（dC)为0. 2ym以上 1. 0ym以下、且在粒度分布曲线中存在1个或2个峰， A层、B层及C层含有的粒子的体积平均粒径为式（1)的关系，并且层整体的厚度 为20ym以上40ym以下， 【权利要求】1. 一种脱模用双轴取向聚醋膜，是由3层构成的聚对苯二甲酸己二醇醋膜，其特征在 于， 所述3层为表层（A层）、中间层炬层）、表层（C层）， A层含有相对于A层的重量而言为0. 05重量％ ^上1. 0重量％ ^下的无机粒子和/或 有机粒子、且厚度为3. 0 y m W上8. 0 y m W下，所述无机粒子和/或有机粒子的体积平均粒 径（dA)为0. lym W上l.Oym W下、且莫氏硬度为7 W下， B层含有无机粒子和/或有机粒子、且厚度为10. 0 ym W上35. 0 ym W下，所述无机粒 子和/或有机粒子的体积平均粒径（地）为0. 3 y m W上1. 5 y m W下、且莫氏硬度为7 W下， 莫氏硬度为7 W下的无机粒子的含量相对于B层的重量而言为0. 6重量％ ^上6重量％ W 下，莫氏硬度为7 W下的有机粒子的含量相对于B层的重量而言为0. 05重量％ ^上5重 量％^下， C层含有相对于C层的重量而言为0. 03重量％ ^上且小于1. 0重量％的有机粒子、且 厚度为0. 5 y m W上2. 0 y m W下，所述有机粒子的体积平均粒径（dC)为0. 2 y m W上1. 0 y m W下、且在粒度分布曲线中存在1个或2个峰， A层、B层及C层含有的粒子的体积平均粒径为式（1)的关系，并且层整体的厚度为 20]im !^上40^111 W下， dA<dC兰地--?式（1)。2. 如权利要求1所述的脱模用双轴取向聚醋膜，其特征在于，所述A层、B层、C层中含 有的有机粒子为选自交联聚苯己締树脂粒子、交联有机娃树脂粒子、交联丙締酸树脂粒子、 交联苯己締-丙締酸树脂粒子、交联聚醋粒子中的1种，所述A层、B层中含有的莫氏硬度 为7 W下的无机粒子为选自球状二氧化娃、娃酸侣中的1种。3. 如权利要求1或2所述的脱模用双轴取向聚醋膜，其特征在于，A层表面的中屯、线粗 趟度SRa(A)为3皿W上10皿W下，C层表面的中屯、线粗趟度SRa似为10皿W上30本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种脱模用双轴取向聚酯膜，是由3层构成的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜，其特征在于，所述3层为表层(A层)、中间层(B层)、表层(C层)，A层含有相对于A层的重量而言为0.05重量％以上1.0重量％以下的无机粒子和/或有机粒子、且厚度为3.0μm以上8.0μm以下，所述无机粒子和/或有机粒子的体积平均粒径(dA)为0.1μm以上1.0μm以下、且莫氏硬度为7以下，B层含有无机粒子和/或有机粒子、且厚度为10.0μm以上35.0μm以下，所述无机粒子和/或有机粒子的体积平均粒径(dB)为0.3μm以上1.5μm以下、且莫氏硬度为7以下，莫氏硬度为7以下的无机粒子的含量相对于B层的重量而言为0.6重量％以上6重量％以下，莫氏硬度为7以下的有机粒子的含量相对于B层的重量而言为0.05重量％以上5重量％以下，C层含有相对于C层的重量而言为0.03重量％以上且小于1.0重量％的有机粒子、且厚度为0.5μm以上2.0μm以下，所述有机粒子的体积平均粒径(dC)为0.2μm以上1.0μm以下、且在粒度分布曲线中存在1个或2个峰，A层、B层及C层含有的粒子的体积平均粒径为式(1)的关系，并且层整体的厚度为20μm以上40μm以下，dA<dC≦dB    ···式(1)。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：高木顺之，金子裕介，川上崇史，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP