一种低温宽频带低噪声放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种低温宽频带低噪声放大器，包括：用于降低场效应晶体管FET在宽频带内输入回波损耗和噪声的输入匹配电路、用于使低温宽频带低噪声放大器产生平坦高增益的级间匹配电路，以及用于降低FET在宽频带内输出回波损耗的输出匹配电路；其中，所述输入匹配电路、级间匹配电路与输出匹配电路依次串联。通过采用本发明专利技术公开的放大器，不仅可以保证在低温环境下稳定工作，而且在3.5—8GHZ的宽频带内，放大器能达到25dB的增益，同时增益平坦度小于2dB，并且保证放大器的噪声和回波损耗在宽频带内足够低。

【技术实现步骤摘要】
一种低温宽频带低噪声放大器
本专利技术涉及微波放大器
，尤其涉及一种低温宽频带低噪声放大器。
技术介绍
微波放大器是现代射频、微波系统中非常重要的组成部分，而低噪声微波放大器属于接收设备前端的重要组成部分，它的噪声抑制能力对接收机的整体噪声起决定性的作用。随着科技的发展，低噪声微波放大器也对更宽的频带和更大更平坦的增益提出了要求。特别在半导体量子点领域，尤其对于通过腔来测量量子点信号的实验中，要求系统电路人在极低温环境下工作，同时由于量子点的信号非常微弱，这时就要求放大器能尽可能的抑制噪声并提供足够大的增益来放大量子点信号；而且由于不同腔的谐振频率变化很大，就需要放大器有尽可能大的带宽。目前的低噪声放大器由于功耗过大，不能在低温下工作，或者工作频带过窄，或者噪声抑制能力不能达到要求，或者增益不够等原因而不能用于量子点测量实验中。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种低温宽频带低噪声放大器，能够在低温下宽频带内实现噪声抑制和信号放大。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：一种低温宽频带低噪声放大器，包括：用于降低场效应晶体管FET在宽频带内输入回波损耗和噪声的输入匹配电路、用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温宽频带低噪声放大器，其特征在于，包括：用于降低场效应晶体管FET在宽频带内输入回波损耗和噪声的输入匹配电路、用于使低温宽频带低噪声放大器产生平坦高增益的级间匹配电路，以及用于降低FET在宽频带内输出回波损耗的输出匹配电路；其中，所述输入匹配电路、级间匹配电路与输出匹配电路依次串联。

【技术特征摘要】
1.一种低温宽频带低噪声放大器，其特征在于，包括：用于降低场效应晶体管FET在宽频带内输入回波损耗和噪声的输入匹配电路、用于使低温宽频带低噪声放大器产生平坦高增益的级间匹配电路，以及用于降低FET在宽频带内输出回波损耗的输出匹配电路；其中，所述输入匹配电路、级间匹配电路与输出匹配电路依次串联；所述输入匹配电路包括：输入信号源、电阻R5、朗格耦合器lange1与8个微带线ML6-ML13；所述信号输入源、微带线ML6与朗格耦合器lange1的1端口依次串联，电阻R5、微带线ML7与朗格耦合器lange1的2端口依次串联，朗格耦合器lange2的3端口与微带线ML8串联，朗格耦合器lange2的4端口与微带线ML9串联，微带线ML8、ML10和ML11通过十字接口Cross1连接在一起，微带线ML9、ML12和ML13通过Cross2连接在一起。2.根据权利要求1所述的低温宽频带低噪声放大器，其特征在于，所述级间匹配电路包括：6个偏置电路T1-T6与6个微带线ML14-ML19；其中，偏置电路T1、微带线ML14、偏置电路T3与偏置电路T5依次串联，偏置电路T2、微带线ML15、偏置电路T4与偏置电路T6依次串联，微带线ML14、ML16与偏置电路T3通过丁字接口Tee3连接在一起，微带线ML15、ML17与偏置电路T4通过Tee4连接在一起，微带线ML18、偏置电路T3与T5通过Tee5连接在一起，微带线ML19、偏置电路T4与T6通过Tee6连接在一起。3.根据权利要求2所述的低温宽频带低噪声放大器，其特征在于，所述偏置电路用于使晶体管工作在足够低的功耗区间上以便在低温下也能正常工作。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭国平，郑智雄，李海鸥，曹刚，肖明，郭光灿，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34