【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种铜化学机械抛光液,特别适用于低下压力的铜化学机械精抛光液。
技术介绍
集成电路制造过程中,对铜的化学机械抛光(CMP)压力通常在20.685kPa左右,但Low-k(低介电质)材料的引入促使其向10.3425kPa以下发展。铜的互连线采用镶嵌工艺制造,即:先光刻刻蚀沟槽,在沟槽内填充铜阻挡层(钽、氮化钽、钨等),再填充铜,形成铜导线并覆盖在低k介质层(Low-k介质层)上。然后通过化学机械抛光将Low-k介质层上多余的铜与阻挡层除去,在沟槽里留下铜互连线。铜的化学机械抛光过程一般分为3个步骤,见图1,集成电路制造过程中铜膜CMP过程示意图:首先,快速去除衬底表面上大量的铜并留下一定厚度的铜,一般需除去约7000埃(\埃\,10的负10次方米,纳米的十分之一)厚度的铜膜,此步骤称为铜的粗抛光(P1);其次,用较低去除速率去除剩余的金属铜并停留在阻挡层,一般需除去约500埃厚度的铜膜,此步骤称为铜的精抛光(P2);最后,用阻挡层抛光液去除阻挡层及部分介电层和金属铜,一般需去除约200埃,此步骤成为阻挡层抛光(P3),最后可实现加工晶圆表面局部与全局的平坦化。专利CN103160207A、CN102477259A、CN1629238A、CN102477259A、CN1644640A、CN1787895A、CN1955239A、CN 102121127A、CN 102816531A、CN 102950537A< ...
【技术保护点】
一种适用于低下压力的铜化学机械精抛光液,其特征在于,其由研磨颗粒、络合剂、表面活性剂、氧化剂、抑菌剂和水组成;所述的抑菌剂为对羟基苯甲酸甲酯、羟乙基六氢均三嗪、三氯叔丁醇中的一种或几种,抑菌剂的含量为重量百分比0.001~1%;所述的研磨颗粒为二氧化硅、三氧化二铝或覆盖铝的二氧化硅高分子研磨颗粒中的一种或多种,研磨颗粒含量为重量百分比3~15%;所述的络合剂为乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸钠盐、乙二胺四乙酸钾盐、氨基三乙酸、氨基三乙酸钠盐、氨基三乙酸钾盐中的一种或多种,络合剂的含量为重量百分比1~5%;所述的表面活性剂为壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、十二烷基酚聚氧乙烯醚中的一种或多种,表面活性剂的含量为重量百分比0.01~1%;所述氧化剂为过氧化氢,过氧化氢的含量为重量百分比0.5~3%;用水补足含量至重量百分比100%。
【技术特征摘要】
1.一种适用于低下压力的铜化学机械精抛光液,其特征在于,其由研磨
颗粒、络合剂、表面活性剂、氧化剂、抑菌剂和水组成;
所述的抑菌剂为对羟基苯甲酸甲酯、羟乙基六氢均三嗪、三氯叔丁醇中的
一种或几种,抑菌剂的含量为重量百分比0.001~1%;
所述的研磨颗粒为二氧化硅、三氧化二铝或覆盖铝的二氧化硅高分子研磨
颗粒中的一种或多种,研磨颗粒含量为重量百分比3~15%;
所述的络合剂为乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸钠盐、乙二胺四乙酸钾盐、
氨基三乙酸、氨基三乙酸钠盐、氨基三乙酸钾盐中的一种或多种,络合剂的含
量为重量百分...
【专利技术属性】
技术研发人员:何彦刚,高宝红,张保国,武鹏,张金,刘伟娟,潘国峰,刘玉岭,
申请(专利权)人:河北工业大学,
类型:发明
国别省市:天津;12
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。