一种低功耗的大电流高频LD脉冲驱动电路制造技术

本发明专利技术涉及一种低功耗的大电流高频LD脉冲驱动电路，其包括开关电源、变压器、防反二极管、三极管、充电电容、耦合电容、第一电阻、第二电阻、激光二极管、触发器；开关电源接于变压器的原边输入，变压器的副边输出接于防反二极管的阳极，防反二极管的阴极接于三极管的集电极；充电电容一端接于三极管的集电极，另一端接于激光二极管的阴极，激光二极管的阳极接地；耦合电容一端接触发器，另一端与第一电阻的一端相接；第一电阻的另一端分别与第二电阻的一端、三极管的基极相接；第二电阻的另一端接地，三极管的发射极接地。采用本发明专利技术提出的低功耗的大电流高频LD脉冲驱动电路，可以降低功耗，同时提高激光二极管发出的脉冲的重复频率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体电路领域，具体涉及一种低功耗的大电流高频LD(LASER DIODE激光二极管)脉冲驱动电路。
技术介绍
现有技术中的LD脉冲驱动电路如图1所示，其主要包括三极管B11、充电电容C11、激光二极管LD、耦合电容C12以及电阻R11、电阻R12、电阻R13等。当触发信号TRIGGER没有到来之前，三极管B11截止，200V高压通过电阻R11对充电电容C11充电，直到充电电容C11达到200V，整个电路达到稳态；当触发信号TRIGGER到来时，三极管导通，充电电容C11上刚刚充的电通过三极管B11放电，产生脉冲大电流，从而驱动激光二极管LD发出大功率脉冲光，脉冲宽度一般在10ns～20ns左右。这是典型的线性驱动电路。三极管B11导通的时候，除了充电电容C11放电的脉冲电流通过三极管B11之外，还有200V高压电源会加载到三极管B11和串联的电阻R11上，这部分电流是持续的电流。为了保护三极管B11不被烧毁，工程上电阻R11的值一般取得很大(3kOhms～10kO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功耗的大电流高频LD脉冲驱动电路，其特征在于，包括开关电源、变压器、防反二极管、三极管、充电电容、耦合电容、第一电阻、第二电阻、激光二极管、触发器；所述开关电源接于所述变压器的原边输入，所述变压器的副边输出接于所述防反二极管的阳极，所述防反二极管的阴极接于所述三极管的集电极；所述充电电容一端接于所述三极管的集电极，另一端接于所述激光二极管的阴极，所述激光二极管的阳极接地；所述耦合电容一端接触发器，另一端与所述第一电阻的一端相接；所述第一电阻的另一端分别与所述第二电阻的一端、所述三极管的基极相接；所述第二电阻的另一端接地，所述三极管的发射极接地。

【技术特征摘要】
1.一种低功耗的大电流高频LD脉冲驱动电路，其特征在于，包括开关电源、变压器、
防反二极管、三极管、充电电容、耦合电容、第一电阻、第二电阻、激光二极管、触发器；
所述开关电源接于所述变压器的原边输入，所述变压器的副边输出接于所述防反二极管
的阳极，所述防反二极管的阴极接于所述三极管的集电极；
所述充电电容一端接于所述三极管的集电极，另一端接于所述激光二极管的阴极，所述
激光二极管的阳极接地；
所述耦合电容一端接触发器，另一端与所述第一电阻的一端相接；所述第一电阻的另一
端分别与所述第二电阻的一端、所述三极管的基极相接；所述第二电阻的另一端接地，所述
三极管的发射极接地。
2.根据权利要求1所述的低功耗的大电流高频LD脉冲驱动电路，其特征在于，所述开
关电源包括脉宽调制器、开关驱动器、场效应管和电压源；
所述脉宽调制器和所述开关驱动器电连接后接于所述场效应管的栅极，所述场效应管漏
极接于所述电压源的负极，所述电压源的正极接于所述变压器的原边输入正端，所述场效应
管漏极接于所述变压器的原边输入负端。
3.根据权利要求1所述的低功耗的大电流高频LD脉冲驱动电路，其特征在于，所述开
关电源包括脉宽调制器、开关驱动器、三极管和电压源；
所述脉宽调制器和所述开关驱动器电连接后接于所述三极管的基极，所述三极管的集电
极接于所述电压源的负极，所述电压源的正极接于所述变压器的原边输入正端，所述三极管
的发射极接于所述变压器的原边输入负端。
4.根据权利要求2或3所述的低功耗的大电流高频LD脉冲驱动电路，其特征在于，所
述触发器包括触发单元和三极管驱动器，二者电连接。
5.根据权利要求2或3所述的低功耗的大电流高频LD脉冲驱动电路，其特征在于，所
述电压源为5V电压源。
6.一种低...

【专利技术属性】
技术研发人员：张石，鲁佶，
申请(专利权)人：张石，
类型：发明
国别省市：广东;44