充放电控制电路以及电池装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供充放电控制电路以及电池装置，在双向导通型场效应晶体管截止时漏电流较低，能够稳定地进行工作，而不会使控制电路的控制复杂化。充放电控制电路具有：开关电路，其控制双向导通型场效应晶体管的栅极；第一晶体管，其漏极与双向导通型场效应晶体管的漏极连接，栅极与双向导通型场效应晶体管的源极连接，源极以及背栅与开关电路的第一端子连接；以及第二晶体管，其漏极与双向导通型场效应晶体管的源极连接，栅极与双向导通型场效应晶体管的漏极连接，源极以及背栅与开关电路的第一端子连接，双向导通型场效应晶体管的背栅与开关电路的第一端子连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及检测二次电池的电压和异常的充放电控制电路以及电池装置，尤其涉及能够用一个充放电控制MOSFET进行控制的充放电控制电路以及电池装置。
技术介绍
图3示出现有的具有充放电控制电路的电池装置的电路图。现有的具有充放电控制电路的电池装置在二次电池101的负极侧，串联连接可双向导通截止的增强型N沟道MOSFET 306。在V+端子120以及V-端子121上连接有充电电路或负载，充放电电流通过该端子被提供给二次电池101或从二次电池101放出。控制电路102对二次电池101和增强型N沟道MOSFET 306的电压进行检测，并根据该电压值控制开关301、304、305的接通、断开。增强型N沟道MOSFET 306可在栅极端子的电位为正的阈值电压以上时，使漏极端子和源极端子之间双向导通，在栅极端子的电位小于阈值电压时，使漏极端子和源极端子之间成为截止状态。说明充电禁止状态。在V+端子120、V-端子121之间连接充电器时，增强型N沟道MOSFET 306的漏极端子-源极端子之间的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种充放电控制电路，其具有利用一个双向导通型场效应晶体管来控制二次电池的充放电的控制电路，其特征在于，该充放电控制电路具有：开关电路，其根据所述控制电路的输出来控制所述双向导通型场效应晶体管的栅极；第一晶体管，其漏极与所述双向导通型场效应晶体管的漏极连接，栅极与所述双向导通型场效应晶体管的源极连接，源极以及背栅与所述开关电路的第一端子连接；以及第二晶体管，其漏极与所述双向导通型场效应晶体管的源极连接，栅极与所述双向导通型场效应晶体管的漏极连接，源极以及背栅与所述开关电路的所述第一端子连接。

【技术特征摘要】
2013.09.20 JP 2013-1957751.一种充放电控制电路，其具有利用一个双向导通型场效应晶体管来控制二次
电池的充放电的控制电路，其特征在于，该充放电控制电路具有：
开关电路，其根据所述控制电路的输出来控制所述双向导通型场效应晶体管的栅
极；
第一晶体管，其漏极与所述双向导通型场效应晶体管的漏极连接，栅极与所述双
向导通型场效应晶体管的源极连接，源极以及背栅与所述开关电路的第一端子连接；
以及
第二晶体管，其漏极与所述双向导通型场效应晶体管的源极连接，栅极与所述双
向导通型场效应晶体管的漏极连接，源极以及背栅与所述开关电路的所述第一端子连
接。

【专利技术属性】
技术研发人员：阿部谕，樱井敦司，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP