基于铝/纳晶硅/铜薄膜的热电材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于铝/纳晶硅/铜薄膜的热电材料及其制备方法，该热电材料是先在玻璃衬底上从下往上依次沉积60～140nm的铝薄膜、150～350nm的氢化非晶硅薄膜、35～90nm的铜薄膜，然后在氮气氛围中退火。本发明专利技术热电材料所需材料储量丰富，价格低廉，不含有毒元素，制备工艺简单，克服了以往热电材料所需材料储量少、含有有毒元素、制备工艺复杂等问题，且相对于典型的热电材料(如：Bi2Te3、Ca3Co4O9等)低温时(100℃以下)短路电流、开路电压较大。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于铝/纳晶硅/铜薄膜的热电材料的制备方法，其特征在于它由下述步骤组成：(1)利用热蒸发法在玻璃衬底上沉积一层厚度为60～140nm的铝薄膜；(2)利用等离子增强化学气相沉积法在铝薄膜上沉积一层厚度为150～350nm的氢化非晶硅薄膜；(3)利用热蒸发法在氢化非晶硅薄膜上沉积一层厚度为35～90nm的铜薄膜，得到铝/氢化非晶硅/铜薄膜材料；(4)将铝/氢化非晶硅/铜薄膜材料在氮气气氛中500～600℃退火40～60分钟，得到基于铝/纳晶硅/铜薄膜的热电材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高斐，周松杰，郑逍遥，王皓石，李付贤，武慧君，武怡，刘生忠，
申请(专利权)人：陕西师范大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61