【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种GaSb/CdS异质结薄膜热光伏电池的制备方法，其特征在于包括以下步骤：衬底清洗的步骤，该步骤中是将衬底放入去离子水中，加入电子清洗剂，并超声清洗30min，取出后将水换掉，换成去离子水后再超声清洗10min；制备GaSb薄膜的步骤，该步骤是将单质Ga和Sb放在坩埚中，并在真空环境下分别加热蒸发，Ga和Sb在真空下发生化合反应，然后沉积在衬底上，然后再通过真空退火，改善薄膜的结晶质量；制备CdS薄膜的步骤，该步骤是将硫脲、乙酸镉、乙酸铵、氨水四种溶液混合并搅拌均匀，将制备好的GaSb薄膜样品放在样品架上并浸泡在制备CdS薄膜溶液中，再把溶液放入水浴锅中加热搅拌，反应后得到CdS薄膜；退火的步骤，该步骤是在真空条件下退火30min，退火温度为400℃；生成面电极和背电极的步骤，该步骤是采用磁控溅射法在样品正面生长ITO薄膜作为电极，使用金属铝薄膜作为背电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张德贤，吴限量，蔡宏琨，何炜瑜，乔在祥，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：天津;12
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