掺杂钍的石榴石荧光体及利用此的发光装置制造方法及图纸

技术编号:11194951 阅读:112 留言:0更新日期:2015-03-26 00:21
本发明专利技术涉及掺杂钍的石榴石荧光体及利用此的发光装置。具体地,本发明专利技术将钍作为活性剂使用,与现有技术的将铈作为活性剂使用的荧光体相比,可以提供光特性及热稳定性更优秀的石榴石荧光体及将此用于光源的发光装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及掺杂钍的石榴石荧光体及利用此的发光装置。具体地,本专利技术将钍作为活性剂使用,与现有技术的将铈作为活性剂使用的荧光体相比,可以提供光特性及热稳定性更优秀的石榴石荧光体及将此用于光源的发光装置。【专利说明】掺杂钍的石榴石荧光体及利用此的发光装置
本专利技术涉及一种白色发光二极管用荧光体及把此利用为光源的发光装置。
技术介绍
目前,利用荧光材料和GaN或InGaN芯片的白色LED的制造方法有如下两种。 这些方法作为使用单一芯片的方法,是在蓝色LED芯片或NUV (近紫外线)LED芯 片上,涂抹荧光材料获得白色的方法。这些方法是在一个芯片上结合荧光材料的方法,是利 用由蓝色LED发出的蓝色光和以该光的一部分激发Y 3Al5012:Ce 3+(YAG :Ge)荧光材料所获黄 光,发出白光的方法。 如上所述,白色LED利用蓝色LED及把该LED发出的蓝光转化成黄色的荧光材料, 或者利用近紫外线LED及把所述近紫外线转化成蓝色、绿色及红色的荧光材料,获得白色 LED光。因此,用于白色LED元件的LED荧光材料是一种把LED发出的光转化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石榴石荧光体,其由以下化学式1表示,并作为活性剂掺杂钍。【化学式1】(L1‑x‑yThxMy)3N5O12(所述化学式1中,0<x<1,0≤y<1,x+y<1,L为选自由Y、Gd、Lu、Sc、La、Bi、Ir及Sb组成的组的1种以上,M选自由Pr、Tb、Sm、Se、U、Li及Na组成的组,N为选自由Al、Ga及In组成的组的1种以上。)

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:尹皓新朴胜赫赵儁夫惠碈郑圣经
申请(专利权)人:株式会社孚士丰
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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