【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
有机电致发光器件(OLED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典 型结构是在ITO玻璃上制备一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层,发光层上方有一层 低功函数的金属电极。当电极上加有电压时,发光层就产生光福射。 有机电致发光器件受到湿气和潮气侵蚀后,会引起有机电致发光器件内部元件的 材料发生老化进而失效,从而所述有机电致发光器件的寿命较短。
技术实现思路
基于此,有必要提供一种寿命较长的。 -种有机电致发光器件,包括依次层叠的阳极、发光层及阴极,其特征在于:所述 有机电致发光器件还包括封装盖,所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上,所 述封装盖包括形成于所述阴极表面的第一氮氧化硅层、形成于所述第一氮氧化硅层表面的 第一无机阻挡层、形成于所述第一无机阻挡层表面的第二氮氧化硅层及形成于所述第二氮 氧化硅层表面的第二无机阻挡层;所述第一无机阻挡层的材料的包括碲化物、氮化物及金 属合金,所述第二无机层的材料包括金属氧化物、氮化物及金属合金;所述碲化物选自三 締化铺、締化秘、締化镉、三締化二铟、締化锡及締化铅中的至少一种,所述氮化物选自四氮 化三硅、氮化铝、氮化硼、氮化铪、氮化钽及氮化钛中的至少一种,所述金属合金选自铝银合 金、钴铁合金、铝铬合金、金锗合金、镍钛合金及金锌合金中的至少一种,所述金属氧化物选 自偏铝酸镁、钛酸铋、铬酸镍、铬酸钴、镥酸铁及铝酸钇中的至少一种。 在其中一个实施例中,所述第一氮氧化娃层的厚度为150nm?200nm;所述第一无 机阻挡层的厚度为IO ...
【技术保护点】
一种有机电致发光器件,包括依次层叠的阳极、发光层及阴极,其特征在于:所述有机电致发光器件还包括封装盖,所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上,所述封装盖包括形成于所述阴极表面的第一氮氧化硅层、形成于所述第一氮氧化硅层表面的第一无机阻挡层、形成于所述第一无机阻挡层表面的第二氮氧化硅层及形成于所述第二氮氧化硅层表面的第二无机阻挡层;所述第一无机阻挡层的材料的包括碲化物、氮化物及金属合金,所述第二无机层的材料包括金属氧化物、氮化物及金属合金;所述碲化物选自三碲化锑、碲化铋、碲化镉、三碲化二铟、碲化锡及碲化铅中的至少一种,所述氮化物选自四氮化三硅、氮化铝、氮化硼、氮化铪、氮化钽及氮化钛中的至少一种,所述金属合金选自铝银合金、钴铁合金、铝铬合金、金锗合金、镍钛合金及金锌合金中的至少一种,所述金属氧化物选自偏铝酸镁、钛酸铋、铬酸镍、铬酸钴、镥酸铁及铝酸钇中的至少一种。
【技术特征摘要】
1. 一种有机电致发光器件,包括依次层叠的阳极、发光层及阴极,其特征在于:所述有 机电致发光器件还包括封装盖,所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上,所述 封装盖包括形成于所述阴极表面的第一氮氧化硅层、形成于所述第一氮氧化硅层表面的第 一无机阻挡层、形成于所述第一无机阻挡层表面的第二氮氧化硅层及形成于所述第二氮氧 化硅层表面的第二无机阻挡层;所述第一无机阻挡层的材料的包括碲化物、氮化物及金属 合金,所述第二无机层的材料包括金属氧化物、氮化物及金属合金;所述碲化物选自三碲化 锑、碲化铋、碲化镉、三碲化二铟、碲化锡及碲化铅中的至少一种,所述氮化物选自四氮化三 硅、氮化铝、氮化硼、氮化铪、氮化钽及氮化钛中的至少一种,所述金属合金选自铝银合金、 钴铁合金、铝铬合金、金锗合金、镍钛合金及金锌合金中的至少一种,所述金属氧化物选自 偏铝酸镁、钛酸铋、铬酸镍、铬酸钴、镥酸铁及铝酸钇中的至少一种。2. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一氮氧化硅层的厚 度为150nm?200nm ;所述第一无机阻挡层的厚度为lOOnm?200nm ;所述第二氮氧化娃层 的厚度为150nm?200nm ;所述第二无机阻挡层的厚度为lOOnm?200nm。3. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一无机阻挡层中所 述氮化物的质量百分含量为10%?40%,所述金属合金的质量百分含量为10%?30%,其余 为所述締化物。4. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第二无机阻挡层中所 述氮化物的质量百分含量为10%?40%,所述金属合金的质量百分含量为10%?30%,其余 为所述金属氧化物。5. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述封装盖与所述阳极配 合形成有收容腔,所述发光层及阴极均收容于所述收容腔。6. -种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 在阳极表面制备发光层; 在所述发光层表面制备阴极;及 在所述阴极表面制备封装盖,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:周明杰,钟铁涛,王平,陈吉星,
申请(专利权)人:海洋王照明科技股份有限公司,深圳市海洋王照明技术有限公司,深圳市海洋王照明工程有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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