制备无机发光材料的方法技术

本发明专利技术涉及制备具有提高发射效率的铕掺杂碱土金属硅氮化物或碱土金属硅氧氮化物的方法。此外，本发明专利技术涉及可通过本发明专利技术制备方法得到的铕掺杂碱土金属硅氮化物或碱土金属硅氧氮化物，和本发明专利技术铕掺杂碱土金属硅氮化物或碱土金属硅氧氮化物作为转换无机发光材料的用途。此外，本发明专利技术还涉及包含本发明专利技术铕掺杂碱土金属硅氮化物或碱土金属硅氧氮化物的发光器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制备无机发光材料的方法本专利技术涉及制备具有提高的发射效率的铕掺杂碱土金属硅氮化物(siliconitride)或硅氧氮化物(silicooxynitride)的方法。此外，本专利技术涉及可通过本专利技术制备方法得到的铕掺杂碱土金属硅氮化物或硅氧氮化物，和本专利技术铕掺杂碱土金属硅氮化物或硅氧氮化物作为转换无机发光材料的用途。此外，本专利技术涉及包含本专利技术铕掺杂碱土金属硅氮化物或硅氧氮化物的发光器件。可在蓝色和/或UV谱区中激发的无机荧光粉作为无机发光材料转换LED，简称pc-LED的转换无机发光材料获得越来越大的重要性。同时，许多转换无机发光材料体系是已知的，例如碱土金属原硅酸盐、硫代镓酸盐、石榴石和氮化物，其各自用Ce3+或Eu2+掺杂。特别地，最后提到的氮化物无机发光材料，例如M2Si5N8：Eu(M＝Ca、Sr和/或Ba)或MAISiN3：Eu(M＝Ca和/或Sr)目前是广泛研究的对象，因为这些材料具有600nm以上的发射波长，因此对生产色温＜4000K的暖白色pc-LED而言是重要的。目前已知的制备M2Si5N8：Eu的方法简单地汇总在下面，其中M代表碱土金属：(1)(2本文档来自技高网...

【技术保护点】
提高铕掺杂碱土金属硅氮化物或铕掺杂碱土金属硅氧氮化物的辐射诱导发射效率和/或改变其发射波长的方法，其包括步骤：(a)制备铕掺杂碱土金属硅氮化物或铕掺杂碱土金属硅氧氮化物和碱土金属氮化物的混合物，其中铕掺杂碱土金属硅氮化物或铕掺杂碱土金属硅氧氮化物和碱土金属氮化物中的碱土金属可以是相同或不同的；和(b)将混合物在非氧化条件下煅烧。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.07.13 EP 12005188.31.提高铕掺杂碱土金属硅氮化物或铕掺杂碱土金属硅氧氮化物的辐射诱导发射效率和/或改变其发射波长的方法，其包括步骤：(a)制备铕掺杂碱土金属硅氮化物或铕掺杂碱土金属硅氧氮化物和碱土金属氮化物的混合物，其中铕掺杂碱土金属硅氮化物或铕掺杂碱土金属硅氧氮化物和碱土金属氮化物中的碱土金属是相同或不同的；和(b)将混合物在非氧化条件下煅烧，其中所用铕掺杂碱土金属硅氮化物或铕掺杂碱土金属硅氧氮化物通过步骤(a')制备，其中步骤(a')包括将包含铕源、硅源和碱土金属氮化物的混合物在非氧化条件下煅烧且在步骤(a)之前。2.根据权利要求1的方法，其中混合物中的铕掺杂碱土金属硅氮化物或铕掺杂碱土金属硅氧氮化物与碱土金属氮化物的重量比在2:1至20:1范围内。3.根据权利要求1的方法，其中碱土金属氮化物中的碱土金属与铕掺杂碱土金属硅氮化物或铕掺杂碱土金属硅氧氮化物中的碱土金属不同。4.根据权利要求2的方法，其中碱土金属氮化物中的碱土金属与铕掺杂碱土金属硅氮化物或铕掺杂碱土金属硅氧氮化物中的碱土金属不同。5.制备后处理的铕掺杂碱土金属硅氮化物或铕掺杂碱土金属硅氧氮化物的方法，其包括以下步骤：(i)合成铕掺杂碱土金属硅氮化物或铕掺杂碱土金属硅氧氮化物；和(ii)将包含步骤(i)中所得的铕掺杂碱土金属硅氮化物或铕掺杂碱土金属硅氧氮化物以及碱土金属氮化物的混合物在非氧化条件下煅烧，其中步骤(i)中的铕掺杂碱土金属硅氮化物或铕掺杂碱土金属硅氧氮化物的合成通过将包含铕源、硅源和碱土金属氮化物的混合物在非氧化条件下煅烧而进行。6.根据权利要求5的方法，其中步骤(i)中所得的铕掺杂碱土金属硅氮化物或铕掺杂碱土金属硅氧氮化物与步骤(ii)的混合物中的碱土金属氮化物的重量比在2:1至20:1范围内。7.根据权利要求1-6中任一项的方法，其中铕掺杂碱土金属硅氮化物或铕掺杂碱土金属硅氧氮化物或者后处理的铕掺杂碱土金属硅氮化物或铕掺杂碱土金属硅氧氮化物为通式(I)或(II)的化合物，EAdEucEeNfOx·mSiO2·nSi3N4(I)其中所用符号和指数具有以下含义：EA为至少一种碱土金属；E为至少一种来自第四主族的元素；0.80≤d≤1.995；0.005≤c≤0.2；4.0≤e≤6.00；5.00≤f≤8.70；0≤x≤3.00；0≤m≤2.50；0≤n≤0.50；其中指数具有以下关系：2d+2c+4e＝3f+2x；Ba1-a-b-cSraCabEucSi7N10·mSiO2·nSi3N4(II)其中所用指数具有以下含义：0≤a≤1；0≤b≤1；0.01≤c≤0.2；0≤m≤2.50；0≤n≤0.50；且a+b+c≤1。8.根据权利要求7的方法，其中在式(I)中E为Si。9.根据权利要求7的方法，其中在式(II)中0.02≤c≤0.1。10.根据权利要求1-6中任一项的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·沃斯格罗内，H·温克勒，R·派特里，A·本克尔，C·汉佩尔，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE