有机发光装置制造方法及图纸

技术编号:11170289 阅读:67 留言:0更新日期:2015-03-19 10:07
一种有机发光装置包括:第一电极;第二电极,与第一电极相对;以及有机层,位于第一电极和第二电极之间,有机层包括发射层,发射层包括由下面的式1表示的至少一种硅烷类化合物和由下面的式20表示的至少一种蒽类化合物。其中,在上面的式1和式20中,进一步定义了R1至R6、R11至R16、L1至L4、Ar1、Ar2、a、b、c、d、i、j、l、k和n。

【技术实现步骤摘要】
有机发光装置 通过引用将于2013年8月22日在韩国知识产权局提交的名称为Organic Light-EmittingDevice(有机发光装置)的第10-2013-0099918号韩国专利申请的全部 内容并入本文。
-个或更多个实施例涉及一种有机发光装置。
技术介绍
作为自发射装置的有机发光装置(OLED)具有诸如宽视角、优异的对比度、快速响 应、高亮度、优异的驱动电压特性的优点,并能够提供多色图像。 典型的OLED具有的结构包括顺序地堆叠在基板上的阳极、空穴传输层(HTL)、发 射层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极。在这方面,HTUEML和ETL是由有机化合物形成的 有机薄膜。 具有上述结构的OLED的工作原理如下。当在阳极和阴极之间施加电压时,从阳极 注入的空穴经由HTL移动到EML,从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在 EML中复合,从而产生激子。当激子从激发态降至基态时,发射光。
技术实现思路
实施例针对一种有机发光装置,所述有机发光装置包括:第一电极;第二电极,与 第一电极相对;以及有机层,位于第一电极和第二电极之间,有机层包括发射层,发射层包 括由下面的式1表示的至少一种硅烷类化合物和由下面的式20表示的至少一种蒽类化合 物。 <Α ι>
有机发光装置

【技术保护点】
一种有机发光装置,其特征在于,所述有机发光装置包括:第一电极;第二电极,与第一电极相对;以及有机层,位于第一电极和第二电极之间,有机层包括发射层,发射层包括由下面的式1表示的至少一种硅烷类化合物和由下面的式20表示的至少一种蒽类化合物:其中,在上面的式1和式20中,n为0或1;R1至R6均独立地选自于取代的或未取代的C1‑C60烷基、取代的或未取代的3元至10元非缩合环基、以及其中的至少两个环彼此稠合的取代的或未取代的缩合环基,其中,当n为0时,R1至R3中的至少一个为其中的至少两个环彼此稠合的取代的或未取代的缩合环基,当n为1时,R1至R6中的至少一个为其中的至少两个环彼此稠合的取代的或未取代的缩合环基;L1至L4均独立地选自于取代的或未取代的C3‑C10亚环烷基、取代的或未取代的C3‑C10亚环烯基、取代的或未取代的C3‑C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3‑C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6‑C60亚芳基、以及取代的或未取代的C2‑C60亚杂芳基;c和d均独立地为1至3的整数;R11至R16均独立地选自于氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代的或未取代的C1‑C60烷基、取代的或未取代的C2‑C60烯基、取代的或未取代的C2‑C60炔基、取代的或未取代的C1‑C60烷氧基、取代的或未取代的C3‑C10环烷基、取代的或未取代的C3‑C10环烯基、取代的或未取代的C3‑C10杂环烷基、取代的或未取代的C3‑C10杂环烯基、取代的或未取代的C6‑C60芳基、取代的或未取代的C6‑C60芳氧基、取代的或未取代的C6‑C60芳硫基、取代的或未取代的C2‑C60杂芳基、‑N(Q1)(Q2)和‑Si(Q3)(Q4)(Q5),其中,Q1至Q5均独立地选自于氢原子、C1‑C10烷基、C6‑C20芳基和C2‑C20杂芳基;a和b均独立地为1至4的整数;l和k均独立地为1至3的整数;i和j均独立地为0至3的整数;以及Ar1和Ar2均独立地为由下面的式7A至式7F表示的基团中的一个:其中,在上面的式7A至式7F中,Z31至Z44均独立地选自于氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代的或未取代的C1‑C60烷基、取代的或未取代的C2‑C60烯基、取代的或未取代的C2‑C60炔基、取代的或未取代的C1‑C60烷氧基、取代的或未取代的C3‑C10环烷基、取代的或未取代的C3‑C10环烯基、取代的或未取代的C3‑C10杂环烷基、取代的或未取代的C3‑C10杂环烯基、取代的或未取代的C6‑C60芳基、取代的或未取代的C6‑C60芳氧基、取代的或未取代的C6‑C60芳硫基、取代的或未取代的C2‑C60杂芳基、‑N(Q51)(Q52)和‑Si(Q53)(Q54)(Q55),其中,Q51至Q55均独立地选自于氢原子、C1‑C10烷基、C6‑C20芳基和C2‑C20杂芳基;w1是1至4的整数;w2是1至5的整数;以及*指示与L3或L4的结合位,或当i或j为0时,*指示与蒽核心的结合位。...

【技术特征摘要】
2013.08.22 KR 10-2013-00999181. 一种有机发光装置,其特征在于,所述有机发光装置包括:第一电极;第二电极,与 第一电极相对;W及有机层,位于第一电极和第二电极之间,有机层包括发射层,发射层包 括由下面的式1表示的至少一种娃焼类化合物和由下面的式20表示的至少一种意类化合 物:其中,在上面的式1和式20中, n为0或1 ; Ri至Re均独立地选自于取代的或未取代的Ci-Ce。焼基、取代的或未取代的3元至10元 非缩合环基、W及其中的至少两个环彼此稠合的取代的或未取代的缩合环基,其中,当n为 0时,Ri至Rs中的至少一个为其中的至少两个环彼此稠合的取代的或未取代的缩合环基,当 n为1时,Ri至馬中的至少一个为其中的至少两个环彼此稠合的取代的或未取代的缩合环 基; Li至L4均独立地选自于取代的或未取代的C3-C1。亚环焼基、取代的或未取代的C3-C1。 亚环帰基、取代的或未取代的C3-C1。亚杂环焼基、取代的或未取代的C3-C1。亚杂环帰基、取 代的或未取代的Ce-Ce。亚芳基、W及取代的或未取代的C2-Ce。亚杂芳基; C和d均独立地为1至3的整数; Rii至Rie均独立地选自于氨原子、気原子、团素原子、轻基、氯基、硝基、氨基、脉基、脱、 踪、駿基或其盐、賴酸基或其盐、磯酸基或其盐、取代的或未取代的Ci-Ce。焼基、取代的或未 取代的C2-Ce。帰基、取代的或未取代的C2-Ce。快基、取代的或未取代的Ci-Ce。焼氧基、取代的 或未取代的C3-C1。环焼基、取代的或未取代的C3-C1。环帰基、取代的或未取代的C3-C1。杂环 焼基、取代的或未取代的C3-C1。杂环帰基、取代的或未取代的Ce-Ce。芳基、取代的或未取代的Ce-Ce。芳氧基、取代的或未取代的Ce-Ce。芳硫基、取代的或未取代的C2-Ce。杂芳基、-N(Qi) 怕2)和-Si化)怕4)怕5),其中,Qi至Qs均独立地选自于氨原子、Ci-Ci。焼基、〔6-〔2。芳基和 C厂C20杂芳基; a和b均独立地为1至4的整数; 1和k均独立地为1至3的整数; i和j均独立地为0至3的整数;W及 Ari和Ar2均独立地为由下面的式7A至式7F表示的基团中的一个:其中,在上面的式7A至式7F中, Z31至Z44均独立地选自于氨原子、気原子、团素原子、轻基、氯基、硝基、氨基、脉基、脱、 踪、駿基或其盐、賴酸基或其盐、磯酸基或其盐、取代的或未取代的Ci-Ce。焼基、取代的或未 取代的C2-Ce。帰基、取代的或未取代的C2-Ce。快基、取代的或未取代的Ci-Ce。焼氧基、取代的 或未取代的C3-C1。环焼基、取代的或未取代的C3-C1。环帰基、取代的或未取代的C3-C1。杂环焼基、取代的或未取代的Cs-Ci。杂环帰基、取代的或未取代的Ce-Ce。芳基、取代的或未取代 的Q-Ce。芳氧基、取代的或未取代的Q-Ce。芳硫基、取代的或未取代的C2-Ce。杂芳基、-N(QJ 怕52)和-Si化3)怕54)怕55),其中,Qsi至Q55均独立地选自于氨原子、Cl-Cl。焼基、Ce-C2。芳基 和Cg-Cg。杂方基; wl是1至4的整数; w2是1至5的整数;W及 *指示与Lg或L4的结合位,或当i或j为0时,*指示与意核也的结合位。2.如权利要求1所述的有机发光装置,其特征在于,式1中的Ri至Re均独立地选自于: i) Ci-C2。焼基、环丙基、环下基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环戊帰基、环戊二帰 基、环己帰基、环己二帰基、环庚二帰基、喔吩基、巧喃基、化咯基、咪哇基、化哇基、异喔哇 基、异嗯哇基、喔哇基、嗯哇基、嗯二哇基、喔二哇基、H哇基、苯基、化巧基、化嗦基、嚼巧基、 化嗦基、H嗦基、并环戊二帰基、巧基、蔡基、甘菊环基、庚搭帰基、联苯基、引达省基、寇基、 巧基、螺巧基、巧哇基、意基、非那帰基、菲基、巧基、英意基、并四苯基、晒基、戊芬基、并六苯 基、二苯并巧喃基、二苯并喔吩基、吩喔嗦基、吩嗯嗦基、二氨吩嗦基、吩喔嗯基和菲巧基;W 及 ii) 均取代有从気原子、团素原子、轻基、氯基、硝基、氨基、脉基、脱、踪、駿基或其盐、 賴酸基或其盐、磯酸基或其盐、Ci-Cw焼基、C2-Ce。帰基、C2-Cw快基、Ci-Ce。焼氧基、C3-C1。环 焼基、C3-C1。环帰基、C3-C1。杂环焼基、C3-C1。杂环帰基、Ce-Ce。芳基、Cg-Ce。芳氧基、Cg-Ce。芳 硫基、C2-Cw杂芳基和-N(Q。)脚2)中选择的至少一者的Ci-Cw焼基、环丙基、环下基、环戊 基、环己基、环庚基、环辛基、环戊帰基、环戊二帰基、环己帰基、环己二帰基、环庚二帰基、喔 吩基、巧喃基、化咯基、咪哇基、化哇基、异喔哇基、异嗯哇基、喔哇基、嗯哇基、嗯二哇基、喔 二哇基、H哇基、苯基、化巧基、化嗦基、嚼巧基、化嗦基、H嗦基、并环戊二帰基、巧基、蔡基、 甘菊环基、庚搭帰基、联苯基、引达省基、寇基、巧基、螺巧基、巧哇基、意基、非那帰基、菲基、 巧基、英意基、并四苯基、晒基、戊芬基、并六苯基、二苯并巧喃基、二苯并喔吩基、吩喔嗦基、 吩嗯嗦基、二氨吩嗦基、吩喔嗯基和菲巧基,其中,Qii和Qi2均独立地为氨原子、Ci-Ci。焼基、 〔6-〔20芳基或〔厂〔20杂芳基, 其中,当n为0时Ri至Rs中的至少一个或者当n为1时Ri至Re中的至少一个均独立 地选自于: i) 并环戊二帰基、巧基、蔡基、甘菊环基、庚搭帰基、联苯基、引达省基、寇基、巧基、螺巧 基、巧哇基、意基、非那帰基、菲基、巧基、英意基、并四苯基、晒基、戊芬基、并六苯基、二苯并 巧喃基、二苯并喔吩基、吩喔嗦基、吩嗯嗦基、二氨吩嗦基、吩喔嗯基和菲巧基;W及 ii) 均取代有从気原子、团素原子、轻基、氯基、硝基、氨基、脉基、脱、踪、駿基或其盐、賴 酸基或其盐、磯酸基或其盐、Ci-Cw焼基、C2-Ce。帰基、C2-Cw快基、Ci-Ce。焼氧基、C3-C1。环焼 基、C3-C1。环帰基、C3-C1。杂环焼基、C3-C1。杂环帰基、Ce-Ce。芳基、Cg-Ce。芳氧基、Cg-Ce。芳硫 基、C2-Ce。杂芳基和-N(Q。)怕12)中选择的至少一者的并环戊二帰基、巧基、蔡基、甘菊环基、 庚搭帰基、联苯基、引达省基、寇基、巧基、螺巧基、巧哇基、意基、非那帰基、菲基、巧基、英意 基、并四苯基、晒基、戊芬基、并六苯基、二苯并巧喃基、二苯并喔吩基、吩喔嗦基、吩嗯嗦基、 二氨吩嗦基、吩喔嗯基和菲巧基,其中,Qii和Qi2均独立地为氨原子、Ci-Ci。焼基、Q-Cw芳基 或杂芳基。3.如权利要求1所述的有机发光装置,其特征在于,在式1中,Ri至Re均独立地选自 于: i) 甲基、己基、正丙基、异丙基、正下基、异下基、叔下基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基和 癸基; ii) 均取代有从気原子、团素原子、轻基、氯基、硝基、氨基、脉基、脱、踪、駿基或其盐、賴 酸基或其盐、磯酸基或其盐、Ci-Cw焼基、Cg-Ceci帰基、Cg-Cw快基、Ci-Cw焼氧基、C3-C1。环焼 基、C3-C10环帰基、C3-C10杂环焼基、C3-C10杂环帰基、Ce-Ceo芳基、Ce-Ceo芳氧基、Ce-Ceo芳硫基、 C2-Ce。杂芳基和-N(Q。)怕12)中选择的至少一者的甲基、己基、正丙基、异丙基、正了基、异了 基、叔了基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基和癸基,其中,Qii和均独立地为氨原子、Ci-Ci。焼 基、Ce-Cgci芳基或Cg-Cgci杂芳基; iii) 由下面的式2A至式2T表示的基团;W及 iv) 由下面的式3A至式3R表示的基团, 其中,当n为0时Ri至Rs中的至少一个或者当n为1时Ri至Re中的至少一个均独立 地选自于由下面的式3A至式3R表示的基团:其中,在式2A至式2T和式3A至式3R中, R21至R27均独立地选自于氨原子、気原子、团素原子、轻基、氯基、硝基、氨基、脉基、脱、 踪、駿基或其盐、賴酸基或其盐、磯酸基或其盐、Ci-Ce。焼基、C2-Ce。帰基、C2-Ce。快基、Ci-Ce。焼 氧基、Cs-Cw环焼基、Cs-Cin环帰基、Cs-Cw杂环焼基、Cs-Cin杂环帰基、Ce-Cen芳基、Cg-Ceo芳 氧基、Ce-Ce。芳硫基、C2Ce。杂芳基和-N化1)化2),其中,〇21和〇22均独立地为氨原子、Ci-Ci。 焼基、芳基或杂芳基; P和U均独立地为1至3的整数; q为1或2 ; r和X均独立地为1至5的整数; S和V均独立地为1至4的整数; t为1至了的整数; W为1至9的整数; y为1至6的整数;W及 *指示与Si原子的结合位。4.如权利要求1所述的有机发光装置,其特征在于,式1中的Ri至Re均独立地为选自 于下述中的一个: 甲基、己基、正丙基、异丙基、正下基、异下基、叔下基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基和癸 基; 均取代有気原子、团素原子、轻基、氯基、硝基、氨基、脉基、脱、踪、駿基或其盐、賴酸基 或其盐、磯酸基或其盐、苯基、蔡基和意基中的至少一者的甲基、己基、正丙基、异丙基、正下 基、异下基、叔下基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基和癸基; 由下面的式2G表示的基团;W及 由下面的式4A至式4J表示的基团, 其中,当n为0时Ri至Rs中的至少一个或者当n为1时Ri至Re中的至少一个均独立 地选自于由下面的式4A至式4J表示的基团:其中,在上面的式2G和式4A至式4J中, R21至R25均独立地选自于氨原子、気原子、团素原子、轻基、氯基、硝基、氨基、脉基、脱、 踪、駿基或其盐、賴酸基或其盐、磯酸基或其盐、Ci-C,。焼基、Ci-C,。焼氧基、苯基、蔡基、意 基、二甲基巧基、苯基-巧哇基、巧基、盧基、苯并喔哇基、苯并嗯哇基、苯基-苯并咪哇基 或-N化1)化2),其中,和Q22均独立地为氨原子、Ci-Ci。焼基、苯基、蔡基或意基; r和X均独立地为1至5的整数; V为1至4的整数; t为1至了的整数;w为1至9的整数; y为1至6的整数;W及 *指示与Si原子的结合位。5. 如权利要求1所述的有机发光装置,其特征在于,式1和式20中的Li至L4均独立 地选自于由下面的式5A至式5J表示的基团:其中,在式5A至式5J中,Rsi至Rw均独立地选自于氨原子、気原子、团素原子、轻基、氯 基、硝基、氨基、脉基、脱、踪、駿基或其盐、賴酸基或其盐、磯酸基或其盐、Ci-Ce。焼基、C2-Ce。 帰基、Cg-Ce。快基、Ci-Ce。焼氧基、C3-C1。环焼基、C3-C1。环帰基、C3-C1。杂环焼基、C3-C1。杂环 帰基、Cg-Ce。芳基、Cg-Ce。芳氧基、Cg-Ce。芳硫基、Cg-Ce。杂芳基和-N(Q3iHQ32),其中,〇31和〇32 均独立地为氨原子、Ci-Ci。焼基、Q-C2。芳基或C2-C2。杂芳基; *指示与式1和式20中的意核也的结合位, *'指示与式1中的Si的结合位或式20中的Ari或Af2的结合位。6. 如权利要求1所述的有机发光装置,其特征在于,式1和式20中的R。至Rie均独立 地选自于: UCe-Ce。芳基;W及 U)取代有気原子、团素原子、轻基、氯基、硝基、Ci-Ce。焼基...

【专利技术属性】
技术研发人员:金世勋金美更金润姬金东铉赵桓熙秋昌雄权淳基李允智
申请(专利权)人:三星显示有限公司庆尚大学校产学协力团
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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