一种铕铽共掺杂锶酸盐发光薄膜及其制备方法和电致发光器件技术

本发明专利技术提出一种铕铽共掺杂锶酸盐发光薄膜及其制备方法和电致发光器件，所述铕铽共掺杂锶酸盐发光薄膜的化学通式为Sr2MO4：xEu3+，yTb3+；其中：Sr2MO4是基质，Eu3+和Tb3+离子为稀土发光离子；x的取值范围为0.01~0.05；y的取值范围为0.01~0.08；M为Ce、Pb或Pr。本发明专利技术采用磁控溅射设备制得铕铽共掺杂锶酸盐发光薄膜，所述铕铽共掺杂锶酸盐发光薄膜在480nm和580nm位置有很强的发光峰，具有良好的发光性能。所述铕铽共掺杂锶酸盐发光薄膜实现了反光材料由荧光粉到发光薄膜的过渡，增加了发光薄膜的种类。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电材料
，尤其涉及铕铽共掺杂锶酸盐发光薄膜及其制备方法。本专利技术还涉及应用所述铕铽共掺杂锶酸盐发光薄膜的电致发光器件。
技术介绍
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。锶酸盐类发光材料是作为LED荧光粉的热门研究材料。紫外激发蓝色荧光粉已经可以作为商用的产品，并在不断的改善研发中。但是，用铕铽共掺杂锶酸盐类发光材料制备成电致发光的薄膜，仍未见报道。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种铕铽共掺杂锶酸盐发光薄膜。针对上述专利技术目的，本专利技术提出一种铕铽共掺杂锶酸盐发光薄膜，其化学通式为Sr2MO4：xEu3+，yTb3+；其中，Sr2MO4是基质，Eu、Tb是激活元素，Eu3+和Tb3+离子为稀土发光离子；x的取值范围为0.01～0.05，优选为0.02；y的取值范围为0.01～0.08，优选为0.04；M为Ce、Pb或P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铕铽共掺杂锶酸盐发光薄膜，其特征在于，所述铕铽共掺杂锶酸盐发光薄膜的化学通式为Sr2MO4：xEu3+，yTb3+；其中：Sr2MO4是基质， Eu3+和Tb3+离子为稀土发光离子；x的取值范围为0.01~0.05，y的取值范围为0.01~0.08；M为Ce、Pb或Pr。

【技术特征摘要】
1.一种铕铽共掺杂锶酸盐发光薄膜，其特征在于，所述铕铽共掺杂锶酸盐发光薄膜的化学通式为Sr2MO4：xEu3+，yTb3+；其中：
Sr2MO4是基质， Eu3+和Tb3+离子为稀土发光离子；
x的取值范围为0.01~0.05，y的取值范围为0.01~0.08；
M为Ce、Pb或Pr。
2.如权利要求1所述的铕铽共掺杂锶酸盐发光薄膜，其特征在于，x取值为0.02，y取值为0.04。
3.一种铕铽共掺杂锶酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（a）按照摩尔比2：1：x/2：y/4，分别称取SrO、MO2、Eu2O3和Tb4O7粉体，经过混合均匀后，在900 ~ 1300℃下烧结，制成靶材；
（b）将步骤（a）中得到的靶材装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体内，再把衬底装入所述真空腔体内，并将所述真空腔体的真空度设置在 1.0×10-3Pa ~ 1.0×10-5Pa之间；
（c）调整磁控溅射设备镀膜的工艺参数：将所述靶材与所述衬底之间的距离调整为45~95mm，将所述磁控溅射镀膜设备的工作气体调整为10~35sccm流量的氩气，将所述氩气的压强调整为0.2~4Pa，将所述衬底的温度调整为250℃~750℃；接着通过所述磁控溅射镀膜设备和所述靶材在所述衬底进行镀膜，得到薄膜样品；
（d）将步骤（c）制得的薄膜样品于500℃~800℃下真空退火处理1~3h，得...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，陈吉星，王平，钟铁涛，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44