一种基板结构、封装结构及其制造方法。基板结构包括一介电结构、一导电结构、一金属加强层与一导电凸块。介电结构具有相对的一第一介电表面与一第二介电表面，以及一介电开口。导电结构具有相对的一第一导电表面与一第二导电表面。第一导电表面与第一介电表面实质上共平面并形成一第一接垫。第二导电表面从介电开口露出以形成一第二接垫。金属加强层配置在介电结构的第二介电表面上。导电凸块配置在介电开口中，并物性且电性连接第二导电表面。导电凸块具有一凸的曲表面。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种用以连接焊料凸块的导电凸块的。
技术介绍
半导体工业是近年来发展速度最快的高科技工业之一，随着电子技术的日新月异，高科技电子产业的相继问世，使得更人性化、功能更佳的电子产品不断地推陈出新，并朝向轻、薄、短、小的趋势设计。然而，封装技术中，趋势所需的微小间距的导电迹线工艺良率低。薄的基板结构一般有结构太软而难以处理的问题。覆晶技术使用的底胶工艺成本高。此外，焊料凸块有易脱落的问题。
技术实现思路
本专利技术是有关于一种，能改善上述缺点至少一者。 根据一实施例，提出一种基板结构，包括一介电结构、一导电结构、一金属加强层与一导电凸块。介电结构具有相对的一第一介电表面与一第二介电表面，以及一介电开口。导电结构具有相对的一第一导电表面与一第二导电表面。第一导电表面与第一介电表面实质上共平面并形成一第一接垫。第二导电表面从介电开口露出以形成一第二接垫。金属加强层配置在介电结构的第二介电表面上。导电凸块配置在介电开口中，并物性且电性连接第二导电表面。导电凸块具有一凸的曲表面。 根据另一实施例，提出一种封装结构，包括一基板结构、一焊料凸块、一芯片与一封装体。基板结构具有相对的一第一基板表面与一第二基板表面，并包括一介电结构、一导电结构与一导电凸块。介电结构具有相对的一第一介电表面与一第二介电表面，以及一介电开口。导电结构具有相对的一第一导电表面与一第二导电表面。第一导电表面与第一介电表面实质上共平面。第二导电表面从介电开口露出。导电凸块配置在介电开口中，并物性且电性第二导电表面。导电凸块具有一凹的曲表面。焊料凸块填充介电开口，物性并电性接触导电凸块，并突出于介电结构的第二介电表面。芯片电性连接至第一导电表面。封装体覆盖芯片。 根据再另一实施例，提出一种基板结构的制造方法，包括以下步骤。提供一介电结构，具有相对的一第一介电表面与一第二介电表面，以及一介电开口。配置一导电结构，导电结构具有相对的一第一导电表面与一第二导电表面。第一导电表面与第一介电表面实质上共平面。形成一金属加强层于第二介电表面上。形成一导电凸块于介电开口中，并物性且电性连接从介电开口露出的第二导电表面。 为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下: 【附图说明】 图1绘示根据一实施例的基板结构的剖面图。 图2绘示根据一实施例的基板结构的剖面图。 图3绘示根据一实施例的基板结构的剖面图。 图4绘示根据一实施例的基板结构的剖面图。 图5绘示根据一实施例的基板结构的剖面图。 图6绘示根据一实施例的封装结构的剖面图。 图7绘示根据一实施例的封装结构的剖面图。 图8绘示根据一实施例的封装结构的剖面图。 图9A至图9S绘示根据一实施例的封装结构的制造方法。 图1OA至图1OG绘示根据一实施例的封装结构的制造方法。 图1lA至图1lM绘示根据一实施例的封装结构的制造方法。 图12A至图12N绘示根据一实施例的封装结构的制造方法。 主要元件符号说明: 901:开口 102U02A,202,202A,302,302A,402,1202:基板结构 903:光阻层 104、304:介电结构 905:光阻层 106、306:导电结构 907:开口 108、108A、308、308A:导电凸块 909:开口 110:介电层 911:开口 112、312:第一介电表面 1113:光阻层 114、314:第二介电表面 1115:开口 116、316:介电开口 1117:光阻层 118、318:第一导电迹线 1119:光阻层 1121:开口 122、322、722:第一导电表面 124、324:第二导电表面 126、126A、326、326A:垫表面 128、228:导电柱 130、330、1230:金属加强层 131、331:第一接垫 132、232、532:散热垫 133:第二接垫 734:焊料 135:间隙 236:表面处理层 537、737:间隙 539:焊料 240:表面处理层 342:第一介电层 344:第二介电层 346:导电通孔 348:第二导电迹线 350:第三介电表面 352:第二接垫 954:黏着层 560:焊料凸块 562、762:芯片 564:封装体 566、766:第一基板表面 668:打线 570、670、770:封装结构 572:曲表面 574:侧表面 576:邻接处 772:曲表面 774:侧表面 776:邻接处 377:导电开口 778:接垫 780:导电柱 982:载板 984:第一载板表面 988:第二载板表面 990:导电膜 992:光阻层 994:图案开口 996:光阻层 998:开口 【具体实施方式】 请参照图1，其绘示根据一实施例的基板结构102的剖面图。基板结构102包括一介电结构104、一导电结构106、一导电凸块108与一金属加强层130。 于此例中，介电结构104为一介电层110，具有相对的一第一介电表面112与一第二介电表面114，以及一介电开口 116。于一实施例中，介电层110包括预浸体(prepreg;PP)、二氟化铵树脂(Ajinomoto build-up film; ABF)、防焊层(Solder Resistlayer)、液晶高分子聚合物(Liquid Crystal Polymer; LCP)、聚酰亚胺(Polyimide; PI),然本揭露并不限于此。 于此例中，导电结构106为一单层的金属层结构，其包括一第一导电迹线118。第一导电迹线118具有一第一导电表面122及一第二导电表面124。第一导电表面122与介电层110的第一介电表面112实质上共平面，且第一导电表面122的一部分形成一第一接垫131。第二导电表面124从介电开口 116露出的部分形成一第二接垫133。 于实施例中，第一导电迹线118可制成微小的间距，例如15μπι，且良率高。 导电凸块108配置在介电开口 116中，并物性且电性连接从介电开口 116露出的第二接垫133 (第二导电表面124)。导电凸块108实质上自第二介电表面114凹陷。导电凸块108具有一垫表面126,位于介电开口 116中，并露出于介电开口 116。于此例中，垫表面126为从导电凸块108凸起的曲表面,此垫表面126与介电结构104之间具有一间隙135，导电凸块108能提供封装时保护电路图案避免受到蚀刻作用而减薄其厚度进而影响其电性表现，将于之后进一步说明。 一导电柱128可配置突出于导电结构106的第一接垫131 (第一导电表面122)上，并电性连接导电结构106。于一实施例中，导电柱128的材质是铜，然本揭露并不限于此。 金属加强层130可配置在介电结构104的第二介电表面114上。于一实施例中，金属加强层130的材质是铜，然本揭露并不限于此。于一实施例，金属加强层130是由厚度12 μ m的铜箔形成，其能提供足够的支撑力量，以利厚度薄且没有使用核心基材的基板结构10本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基板结构，其特征在于，包括：一介电结构，具有相对的一第一介电表面与一第二介电表面，以及一介电开口；一导电结构，具有相对的一第一导电表面与一第二导电表面，该第一导电表面与该第一介电表面实质上共平面并形成一第一接垫，该第二导电表面从该介电开口露出以形成一第二接垫；一金属加强层，配置在该介电结构的该第二介电表面上；以及一导电凸块，配置在该些介电开口中，并物性且电性连接该第二导电表面，其中该导电凸块具有一凸的曲表面。
【技术特征摘要】
1.一种基板结构，其特征在于，包括: 一介电结构，具有相对的一第一介电表面与一第二介电表面，以及一介电开口 ； 一导电结构，具有相对的一第一导电表面与一第二导电表面，该第一导电表面与该第一介电表面实质上共平面并形成一第一接垫，该第二导电表面从该介电开口露出以形成一第二接垫； 一金属加强层，配置在该介电结构的该第二介电表面上；以及一导电凸块，配置在该些介电开口中，并物性且电性连接该第二导电表面，其中该导电凸块具有一凸的曲表面。2.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，该导电凸块实质上自该第二介电表面凹陷。3.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，该导电凸块的该曲表面与该介电结构之间具有一间隙。4.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，该导电结构包括一第一导电迹线及一第二导电迹线，该第一导电迹线具有自该第一介电表面露出的该第一导电表面，且该第二导电迹线具有从该些介电开口露出的该第二导电表面。5.如权利要求4所述的基板结构，其特征在于，该导电结构更包括一导电通孔，穿过该介电结构，并电性连接该第一导电迹线及该第二导电迹线。6.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，更包括一导电柱，该导电柱自该第一导电表面突出。7.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，该金属加强层更包括一导电开口，该导电开口对应于该第二接垫的位置。8.—种封装结构,其特征在于,包括: 一基板结构，具有相对的一第一基板表面与一第二基板表面，并包括: 一介电结构，具有相对的一第一介电表面与一第二介电表面，以及一介电开口 ； 一导电结构，具有相对的一第一导电表面与一第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈天赐，陈光雄，王圣民，李育颖，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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