【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】正型感光性组合物、薄膜晶体管及化合物
本专利技术涉及一种正型感光性组合物、薄膜晶体管及化合物
技术介绍
正型感光性组合物被广泛用于制造显示器、半导体等，提出了并对有一种以丙烯 酸树脂或苯酚树脂作为主要成分的正型抗蚀剂进行了商品化。 特别是作为用作永久抗蚀剂的正型感光性组合物，由于正型感光性组合物的固化 物（薄膜）在图案形成后作为功能膜残留于装置内，因此，提出了一种正型感光性组合物， 其以更具有耐久性的树脂即聚酰亚胺类聚合物（专利文献1)、硅类聚合物（专利文献2)等 材料作为基体。 然而，在绝缘膜等中使用使这些正型感光性组合物固化而得到的薄膜时，绝缘性 不充分，从而仍不能得到满足绝缘膜所要求的绝缘性的固化物即正型感光性组合物。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2011-033772号公报 专利文献2 :日本特开2011-022173号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题 本专利技术的目的在于，提供一种图案形成性及固化物（薄膜）的电绝缘可靠性优异 的正型感光性组合物、以及作为绝缘膜具备使该正型感光性组合物固化而得到的薄膜的薄 膜晶体管。 另外，本专利技术的目的在于，提供一种化合物，其可优选用于得到图案形成性及固化 物（薄膜）的电绝缘可靠性优异的正型感光性组合物。 用于解决问题的技术方案 本专利技术人等进行了潜心研究，结果发现，可通过以下的构成实现上述课题，从而完 成了本专利技术。 S卩，一种正型感光性组合物，其包含： (A) -个分子中包含烯基或SiH基的化...
【技术保护点】
一种正型感光性组合物，其包含：(A)一个分子中包含烯基或SiH基的化合物，其具有在酸存在下发生分解而显现酸性基团或羟基的结构；(B)一个分子中包含SiH基或烯基的化合物；(C)硅氢化催化剂；及(D)光产酸剂。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.07.04 JP 2012-150354;2012.10.18 JP 2012-230871. 一种正型感光性组合物，其包含： (A) -个分子中包含烯基或SiH基的化合物，其具有在酸存在下发生分解而显现酸性 基团或羟基的结构； (B) -个分子中包含SiH基或烯基的化合物； (C) 硅氢化催化剂；及 (D) 光产酸剂。2. 根据权利要求1所述的正型感光性组合物，其中， 所述成分（B)为不具有在酸存在下发生分解而显现酸性基团或羟基的结构的化合物。3. 根据权利要求1或2所述的正型感光性组合物，其中， 所述成分（A)为一个分子中包含SiH基的化合物，其具有在酸存在下发生分解而显现 酸性基团或羟基的结构， 所述成分（B)为一个分子中包含烯基的化合物。4. 根据权利要求1?3中任一项所述的正型感光性组合物，其中， 在所述成分（A)中，在酸存在下发生分解而显现酸性基团或羟基的结构是进行了官能 团保护的酚结构、或进行了官能团保护的羧酸结构。5. 根据权利要求4所述的正型感光性组合物，其中， 所述进行了官能团保护的酚结构为进行了官能团保护的双酚结构。6. 根据权利要求5所述的正型感光性组合物，其中， 所述进行了官能团保护的双酚结构是用三烷基甲硅烷基或丁氧基羰基进行了官能团 保护的双酚结构。7. 根据权利要求1?6中任一项所述的正型感光性组合物，其中， 所述成分（A)具有双酚结构。8. 根据权利要求7所述的正型感光性组合物，其中， 所述双酚结构为双酚S结构或双酚F结构。9. 根据权利要求4所述的正型感光性组合物，其中， 所述进行了官能团保护的羧酸结构为包含缩醛键的结构、或者包含羧酸叔酯键的结 构。10. 根据权利要求9所述的正型感光性组合物，其中， 所述包含羧酸叔酯键的结构是用脂肪族环结构进行了保护的羧酸叔酯结构。11. 根据权利要求10所述的正型感光性组合物，其中， 所述脂肪族环结构为金刚烷结构。12. 根据权利要求1?11中任一项所述的正型感光性组合物，其中， 所述成分（A)及所述成分（B)中至少一种为硅氧烷类化合物。13. 根据权利要求12所述的正型感光性组合物，其中， 所述成分（A)及所述成分（B)中至少所述成分（A)为硅氧烷类化合物，且所述成分（A) 具有环状硅氧烷结构。14. 根据权利要求12所述的正型感光性组合物，其中， 所述硅氧烷类化合物包含具有由6?24个Si原子形成的多面体骨架的聚硅氧烷结 构。15. 根据权利要求14所述的正型感光性组合物，其中， 所述具有多面体骨架的聚硅氧烷结构通过使具有由6?24个Si原子形成的多面体骨 架及烯基的聚硅氧烷化合物与具有SiH基的硅氧烷化合物进行硅氢化反应...
【专利技术属性】
技术研发人员：井手正仁，稻成浩史，北岛亚纪，田原孔明，真锅贵雄，
申请(专利权)人：株式会社钟化，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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