磁片、磁片的制造方法及包含磁片的天线技术

本发明专利技术涉及磁片、磁片的制造方法以及包含磁片的天线。根据本发明专利技术的一个实施例提供一种磁片，作为将多个生片层压后烧结制成的磁片，是在所述多个生片中至少一个的两面或一面的部分区域形成异种材料层后进行层压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁片、磁片的制造方法及包含磁片的天线
[0001 ] 本专利技术涉及磁片、磁片的制造方法及包含磁片的天线。具体是，可通过异种材料层调节透磁率的磁片、磁片的制造方法以及包含磁片的天线。
技术介绍
磁体一般用于各种电磁屏蔽或导线的EMI抑制，但根据材料的合成，其种类和特性多样化而应用范围较广。目前，如天线、EMC Core、电感器、宽带变压器等RF配件方面对磁体的应用也比较活跃。 磁体还能以片(Sheet)状制成薄型。磁片的制造方法有多种，其中一种如下。首先采用固态反应法、湿法等各种方法制造粉末。然后将粉末和黏合物、增塑剂、分散剂等混合一起制成衆料(Slurry)。然后利用流延成型(Doctor Blade Casting)装备等设备涂薄以后烘干，完成至烘干阶段的片一般称为生片(green sheet)。然后生片还可以经过烧结过程。烧结时可以将多个生片层压在一起进行烧结，也可以只烧成一张生片。 如此制造磁体或磁片后用于PF配件的理由是磁体存在透磁率特性。磁体的透磁率值一般依赖于组成磁体的成分和制造工艺，因此为改变透磁率特性，采用了改变原料的组成成分或者调节制造工艺上的各种热处理温度等方法。但目前除了这些方法，急需开发一种可以轻松地调节透磁率的技术。 此外，根据传统技术，尚未实现透磁率只在一个磁片的一部分区域不同地显示的技术。但目前在一个磁片内同时安装功能相互不同的各种RF配件，或者在不同的带工作的天线同时被安装，为这些配件不同地应用透磁率，须只在磁片的部分区域调节透磁率值。
技术实现思路
技术问题 本专利技术的一个目的在于提供一种增加在生片上形成异种材料层的工艺以容易地调节磁片透磁率值的技术。 此外，本专利技术的一个目的在于提供一种透磁率值只在磁片的一部分区域不同地显示的技术。 此外，本专利技术的一个目的在于提供一种透磁率值只在一部分区域不同地显示的磁片上装配辐射体的天线。 技术方案 根据本专利技术的一个实施例提供一种磁片，作为将多个生片层压后烧结制成的磁片，其特征在于，是在所述多个生片中至少一个的两面或一面的部分区域形成异种材料层后进行层压。 此外，提供一种磁片，其特征在于，所述异种材料层是涂敷用异种材料粉末和有机溶剂混合的浆糊而形成。 此外，提供一种磁片，其特征在于，所述异种材料层包含钴成分。 此外，提供一种磁片，其特征在于，所述异种材料层是在所述多个生片中至少一个的两面或一面的部分区域涂敷钴浆而形成。 此外，提供一种磁片，其特征在于，所述钴浆是氧化钴(II ) (CoO)、氧化钴(III)(Co2O3)、氧化钴(IV) (CoO2)、四氧化三钴(Co3O4)中的至少一个与有机溶剂混合而成。 根据本专利技术的一个实施例提供一种磁片制造方法，其特征在于，作为层压多个生片后烧结形成的磁片制造方法，包括:层压所述多个生片之前，在所述多个生片中至少一个的两面或一面的部分区域形成异种材料层的步骤。 此外，提供一种磁片制造方法，其特征在于，所述异种材料层是涂敷将异种材料粉末和有机溶剂混合的浆糊而形成。 此外，提供一种磁片制造方法，其特征在于，所述异种材料层包含钴成分。 此外，提供一种磁片制造方法，其特征在于，所述异种材料层是在所述多个生片中至少一个的两面或一面的部分区域涂敷钴浆而形成。 此外，提供一种磁片制造方法，其特征在于，所述钴浆是氧化钴(II ) (CoO)、氧化钴(III) (Co2O3)、氧化钴(IV) (CoO2)、四氧化三钴(Co3O4)中的至少一个与有机溶剂混合而成。 根据本专利技术一个实施例提供一种天线，包括:磁片；粘贴在所述磁片上且粘贴于所述异种材料层形成的区域被投射的面的第一辐射体；及粘贴在所述磁片上且粘贴于所述异种材料层未形成的区域被投射的面的第二辐射体。 根据本专利技术的一个实施例提供一种磁片，作为层压多个生片后烧结制造的磁片，其特征在于，包括:第一层，在所述多个生片中至少一个的两面或一面上形成异种材料层后层压，但所述异种材料层是在所述多个生片中至少一个的两面或一面的部分区域形成；及第二层，在所述多个生片中至少一个的两面或一面中未形成所述第一层的部分区域形成，但其成分与所述第一层的组成成分不同。 此外，提供一种磁片，其特征在于，所述异种材料层是涂敷将异种材料粉末和有机溶剂混合的浆糊而形成。 根据本专利技术的一个实施例提供一种磁片制造方法，作为层压多个生片后烧结形成的磁片的制造方法，其特征在于，包括:层压所述多个生片之前，在所述多个生片中至少一个的两面或一面上形成异种材料层的步骤；并且，所述异种材料层包括:第一层，在所述多个生片中至少一个的两面或一面的部分区域形成；及第二层，在所述多个生片中至少一个的两面或一面中未形成所述第一层的部分区域形成，但其成分与所述第一层的组成成分不同。 此外，提供一种磁片制造方法，其特征在于，所述异种材料层是涂敷将异种材料粉末和有机溶剂混合的浆糊而形成。 此外，提供一种天线，其特征在于，包括:磁片；粘贴在所述磁片上且粘贴于所述第一层形成的区域被投射的面的第一辐射体；及粘贴在所述磁片上且粘贴于所述第二层形成的区域被投射的面的第二辐射体。 有益效果 根据本专利技术的实施例，其有益效果在于，增加在磁片上形成异种材料层的工艺而易于调节磁片的透磁率值。 根据本专利技术的一个实施例，其有益效果在于，可以使透磁率值只在磁片的一部分区域不同地显示。 【附图说明】 图1是根据本专利技术一个实施例的磁片的透视图； 图2是将根据本专利技术第一实施例的磁片以层压生片前状态分离显示的分离透视图； 图3示出了根据本专利技术一个实施例的磁片的与频率对比的透磁率值的图表。 图4是根据本专利技术一个实施例的磁片的制造方法的顺序图； 图5示出了根据本专利技术第一实施例的磁片和含此的天线的一个例子的平面图； 图6是将根据本专利技术第二实施例的磁片以层压生片之前状态分离显示的分离透视图； 图7示出了根据本专利技术第二实施例的磁片和含此的天线的一个例子的平面图； 图8是将根据本专利技术各种实施例的磁片以层压生片之前状态分离显示的分离透视图； 图9是说明根据本专利技术第三实施例的磁片的频率对比的透磁率值的示意图； 图10示出了根据本专利技术第四实施例的磁片和含此的天线的一个例子的平面图。 最佳实施方式 为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。 本专利技术中使用的术语仅用以说明实施例，并不是对本专利技术进行限制。本说明书中的单数形式，在文句中没有特别提示的前提下，也包含复数形式。说明书中使用的“包括”或者“具有”等用语指定说明书中叙述的特征、数字、步骤、动作、构件、配件或这些组成的存在，并不是排除一个或其以上的其它特征或数字、数字、步骤、动作、构件、配件或这些组合的存在或附加的可能性。 下面参照附图，对专利技术的各种实施例详细进行描述。但，有关的公知技术或者结构的具体说明使本专利技术宗旨变得模糊则省略该说明。 图1示出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁片，其特征在于，作为将多个生片层压后烧结制成的磁片，是在所述多个生片中至少一个的两面或一面的部分区域形成异种材料层后进行层压。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.05.10 KR 10-2012-0049542;2012.05.10 KR 10-2011.一种磁片，其特征在于， 作为将多个生片层压后烧结制成的磁片，是在所述多个生片中至少一个的两面或一面的部分区域形成异种材料层后进行层压。2.根据权利要求1所述的磁片，其特征在于， 所述异种材料层是涂敷异种材料粉末和有机溶剂混合的浆糊而形成。3.根据权利要求1所述的磁片，其特征在于， 所述异种材料层包含钴成分。4.根据权利要求3所述的磁片，其特征在于， 所述异种材料层是在所述多个生片中至少一个的两面或一面的部分区域涂敷钴浆而形成。5.根据权利要求4所述的磁片，其特征在于， 所述钴浆是氧化钴(II ) (CoO)、氧化钴(III) (Co2O3)、氧化钴(IV ) (CoO2)、四氧化三钴(Co3O4)中的至少一个与有机溶剂混合而成。6.一种磁片制造方法，作为层压多个生片后烧结形成的磁片制造方法，其特征在于， 包括:层压所述多个生片之前，在所述多个生片中至少一个的两面或一面的部分区域形成异种材料层的步骤。7.根据权利要求6所述的磁片制造方法，其特征在于， 所述异种材料层是涂敷将异种材料粉末和有机溶剂混合的浆糊而形成。8.根据权利要求6所述的磁片制造方法，其特征在于， 所述异种材料层包含钴成分。9.根据权利要求8所述的磁片制造方法，其特征在于， 所述异种材料层是在所述多个生片中至少一个的两面或一面的部分区域涂敷钴浆而形成。10.根据权利要求9所述的磁片制造方法，其特征在于， 所述钴浆是氧化钴(II ) (CoO)、氧化钴(III) (C...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳秉勋，成元模，安元基，赵光默，
申请(专利权)人：EMW有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR