树脂组合物、预浸料以及层叠板制造技术

技术编号:11062622 阅读:74 留言:0更新日期:2015-02-19 09:37
本发明专利技术提供可简易且重现性良好地实现不仅放热特性优异、成形性和机械钻加工性也良好、且外观也优异的层叠板或印刷电路板等的树脂组合物、使用了其的预浸料以及覆金属箔层叠板等。一种树脂组合物,其含有氰酸酯化合物(A)、环氧树脂(B)、第一无机填充材料(C)、第二无机填充材料(D)以及钼化合物(E),第一无机填充材料(C)与第二无机填充材料(D)的平均粒径之比为1:0.02~1:0.2。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】树脂组合物、预浸料以及层叠板
本专利技术涉及树脂组合物、预浸料以及层叠板等,尤其涉及不仅放热特性优异、成形性和机械钻加工性良好且外观也优异的印刷电路板用的树脂组合物等。
技术介绍
近年来,电子仪器或通信机、个人电脑等中广泛使用的半导体的高集成化·高功能化·高密度安装化逐渐加速,与以前相比,针对印刷电路板的特性要求正在提高。尤其是,要求相对于半导体的发热的印刷电路板的放热技术。这是因为,随着半导体的高功能化,由半导体产生的热量变大,且由于高集成化·高密度安装化的影响而成为热容易贮留在内部的构成。一般来说,印刷电路板的绝缘层中可使用的环氧树脂等热固化性树脂自身的导热率低。因而,为了提高印刷电路板的导热率,提出了如下导热性树脂组合物:其通过将80~95重量%的具有特定粒径分布的混合填料(无机填充材料)配混在热固化性树脂中,从而使固化物的导热率为3~10W/mK(参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2001-348488号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而,如上述专利文献1那样地向热固化性树脂组合物中填充大量无机填充材料时,虽然能够提高导热率,但热固化性树脂的体积比率变少,因此成形性恶化、树脂与无机填充材料之间容易产生裂纹、空隙。另外,大量填充有无机填充材料的印刷电路板存在加工性差这一缺点,尤其是用机械钻进行孔加工时,存在钻头的磨耗、折损显著这一问题。本专利技术是鉴于上述课题而进行的,其目的在于,提供可简易且重现性良好地实现不仅放热特性优异、成形性或机械钻加工性良好、且外观也优异的层叠板、印刷电路板等的树脂组合物。另外,本专利技术的其它目的在于,提供放热特性、成形性、机械钻加工性和玻璃化转变温度优异的预浸料、层叠板、覆金属箔层叠板以及印刷电路板等。用于解决问题的方案本专利技术人等为了解决所述问题而进行了深入研究,结果发现,通过使用含有氰酸酯化合物(A)、环氧树脂(B)、第一无机填充材料(C)、第二无机填充材料(D)以及钼化合物(E),且第一无机填充材料(C)与第二无机填充材料(D)的平均粒径之比为1:0.02~1:0.2的树脂组合物,可解决上述课题,从而完成了本专利技术。即,本专利技术提供以下的<1>~<23>。<1>一种树脂组合物,其含有氰酸酯化合物(A)、环氧树脂(B)、第一无机填充材料(C)、第二无机填充材料(D)和钼化合物(E),前述第一无机填充材料(C)与前述第二无机填充材料(D)的平均粒径之比为1:0.02~1:0.2。<2>根据上述<1>所述的树脂组合物,其中,前述第一无机填充材料(C)与前述第二无机填充材料(D)的质量比为1:0.03~1:0.5。<3>根据上述<1>或<2>所述的树脂组合物,其中,相对于前述氰酸酯化合物(A)与前述环氧树脂(B)的合计100质量份,前述第一无机填充材料(C)和前述第二无机填充材料(D)合计包含200~800质量份。<4>根据上述<1>~<3>中任一项所述的树脂组合物,其中,相对于前述氰酸酯化合物(A)与前述环氧树脂(B)的合计100质量份,包含0.1~20质量份的前述钼化合物(E)。<5>根据上述<1>~<4>中任一项所述的树脂组合物,其中,前述第一无机填充材料(C)为氧化镁和/或勃姆石。<6>根据上述<1>~<5>中任一项所述的树脂组合物,其中,前述第一无机填充材料(C)具有0.5~10μm的平均粒径。<7>根据上述<1>~<6>中任一项所述的树脂组合物,其中,前述第二无机填充材料(D)为选自由氧化铝、氧化镁、氮化硼以及氮化铝组成的组中的至少1种。<8>根据上述<1>~<7>中任一项所述的树脂组合物,其中,前述第二无机填充材料(D)为球形。<9>根据上述<1>~<8>中任一项所述的树脂组合物,其中,相对于树脂组合物的总体积,前述第一无机填充材料(C)、前述第二无机填充材料(D)以及前述钼化合物(E)合计包含40~70体积%。<10>根据上述<1>~<9>中任一项所述的树脂组合物,其中,前述钼化合物(E)具有由钼化合物形成的芯颗粒和在该芯颗粒的表面的至少一部分形成的无机氧化物。<11>根据上述<1>~<10>中任一项所述的树脂组合物,其中,前述氰酸酯化合物(A)为选自由萘酚芳烷基型氰酸酯化合物、酚醛清漆型氰酸酯化合物以及联苯芳烷基型氰酸酯化合物组成的组中的至少1种。<12>根据上述<11>所述的树脂组合物,其中,前述萘酚芳烷基型氰酸酯化合物用下述通式(1)表示,前述酚醛清漆型氰酸酯化合物用下述通式(2)表示,前述联苯芳烷基型氰酸酯化合物用下述通式(3)表示。[化学式1](式中,R各自独立地表示氢原子或甲基,n表示1~50的整数。)[化学式2](式中,R各自独立地表示氢原子或甲基,n表示1~50的整数。)[化学式3](式中,R各自独立地表示氢原子或甲基,R1各自独立地表示氢原子、碳数2以下的烷基或芳基,n表示1~50的整数。)<13>根据上述<1>~<12>中任一项所述的树脂组合物,其中,相对于前述氰酸酯化合物(A)与前述环氧树脂(B)的合计100质量份,包含10~90质量份的前述氰酸酯化合物(A)。<14>根据上述<1>~<13>中任一项所述的树脂组合物,其中,前述环氧树脂(B)为选自由联苯芳烷基型环氧树脂、聚氧亚萘基型环氧树脂、三苯酚甲烷型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、双酚A酚醛清漆型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、溴化苯酚酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、苯酚芳烷基型环氧树脂以及萘酚芳烷基型环氧树脂组成的组中的至少1种。<15>根据上述<1>~<14>中任一项所述的树脂组合物,其还含有硅烷偶联剂(F)。<16>根据上述<15>所述的树脂组合物,其中,相对于前述氰酸酯化合物(A)与前述环氧树脂(B)的合计100质量份,包含3~30质量份的前述硅烷偶联剂(F)。<17>根据上述<1>~<16>中任一项所述的树脂组合物,其还含有马来酰亚胺化合物(G)。<18>根据上述<17>所述的树脂组合物,其中,相对于前述氰酸酯化合物(A)、前述环氧树脂(B)以及前述马来酰亚胺化合物(G)的合计100质量份,包含5~75质量份的前述马来酰亚胺化合物(G)。<19>根据上述<17>或<18>所述的树脂组合物,其中,前述马来酰亚胺化合物(G)为选自由双(4-马来酰亚胺基苯基)甲烷、2,2-双(4-(4-马来酰亚胺基苯氧基)-苯基)丙烷以及双(3-乙基-5-甲基-4-马来酰亚胺基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种树脂组合物,其含有氰酸酯化合物(A)、环氧树脂(B)、第一无机填充材料(C)、第二无机填充材料(D)和钼化合物(E),所述第一无机填充材料(C)与所述第二无机填充材料(D)的平均粒径之比为1:0.02~1:0.2。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.03.30 JP 2012-0807221.一种树脂组合物,其含有氰酸酯化合物(A)、环氧树脂(B)、第一无机填充材料(C)、第二无机填充材料(D)和钼化合物(E),所述第一无机填充材料(C)与所述第二无机填充材料(D)的平均粒径之比为1:0.02~1:0.2,其中,所述第一无机填充材料(C)与所述第二无机填充材料(D)的质量比为1:0.03~1:0.5,所述第二无机填充材料(D)为选自由氧化铝、氧化镁、氮化硼以及氮化铝组成的组中的至少1种。2.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,相对于所述氰酸酯化合物(A)与所述环氧树脂(B)的合计100质量份,所述第一无机填充材料(C)和所述第二无机填充材料(D)合计包含200~800质量份。3.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,相对于所述氰酸酯化合物(A)与所述环氧树脂(B)的合计100质量份,包含0.1~20质量份的所述钼化合物(E)。4.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,所述第一无机填充材料(C)为氧化镁和/或勃姆石。5.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,所述第一无机填充材料(C)具有0.5~10μm的平均粒径。6.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,所述第二无机填充材料(D)为球形。7.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,相对于树脂组合物的总体积,所述第一无机填充材料(C)、所述第二无机填充材料(D)以及所述钼化合物(E)合计包含40~70体积%。8.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,所述钼化合物(E)具有由钼化合物形成的芯颗粒和在该芯颗粒的表面的至少一部分形成的无机氧化物。9.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,所述氰酸酯化合物(A)为选自由萘酚芳烷基型氰酸酯化合物、酚醛清漆型氰酸酯化合物以及联苯芳烷基型氰酸酯化合物组成的组中的至少1种。10.根据权利要求9所述的树脂组合物,其中,所述萘酚芳烷基型氰酸酯化合物用下述通式(1)表示,所述酚醛清漆型氰酸酯化合物用下述通式(2)表示,所述联苯芳烷基型氰酸酯化合物用下述通式(3)表示,[化学式1]式(1)中,R各自独立地表示...

【专利技术属性】
技术研发人员:斋藤千里植山大辅十龟政伸马渕义则加藤祯启
申请(专利权)人:三菱瓦斯化学株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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