溅射系统以及使用该系统制造显示器件的方法技术方案

溅射系统包括腔室、多个靶和衬底支架。靶被设置在腔室中。每个靶包括设置在其中的磁铁单元。衬底支架被配置在所述腔室中支承衬底。磁铁单元被配置成在靶之间生成磁场。磁铁单元中每个包括设置成两排的磁铁。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2013年7月25日提交的第10-2013-0088268号韩国专利申请的权益和优先权，该申请通过引用并入本文以用于所有目的，如同其已完全在本文中阐述。
示例性实施方式涉及配置成执行溅射工艺的溅射系统以及使用该溅射系统制造显示器件的方法。
技术介绍
传统的有机发光显示器件通常包括一个或多个薄膜晶体管(TFT)，其可以被利用在例如数码相机、视频相机、摄像机、个人数字助理、便携式信息终端、笔记本电脑、智能电话、平板电脑、柔性显示装置、工作站、电视等的多种电子装置中，以及被利用在例如汽车、消费类电子产品、广告牌、标志等的任何其他合适的产品中。这些有机发光显示器件可以包括可以被形成在底部衬底的表面上的第一电极和第二电极和中间层，中间层可以包括有机发光层，有机发光层可以被设置在第一电极与第二电极之间。应注意，可以利用薄膜封装(TFE)层来保护形成在衬底上的中间层。TFE可以利用例如薄膜沉积工艺(如化学气相沉积(CVD)工艺、物理气相沉积(PVD)工艺等)的任何合适的工艺来形成。PVD工艺通常包括溅射工艺、热蒸发工艺、电子束蒸发工艺等。 在上述的工艺之中，可以利用溅射工艺来形成TFE层而无需考虑底部衬底的材料。传统的溅射系统通常包括磁铁，磁铁可以至少部分地绕着靶被设置以增加溅射效果。也就是说，磁铁可以绕着靶接合以形成垂直于一个或多个其它电场的至少一个磁场，进而将电子的运动约束在靶的周边环境中，以及延伸电子的移动路径。如上述记载，这可以增加溅射效果。然而，应注意，至少部分地因磁铁的结构而使非放电可能发生在不期望的区域(亦即不是正常的放电区域)中。这可以导致靶的侵蚀中的非均匀性并且减少电弧的发生从而减少等离子体弧的密度。 在
技术介绍
部分公开的上述信息仅仅用于增强对本专利技术概念的背景的理解，因此其可能包含不形成本国本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
示例性实施方式涉及配置成防止异常放电并且执行更加稳定的溅射工艺的溅射系统，以及使用该溅射系统制造显示器件的方法。 附加的方面将被记载于下面的详细说明书中，并且部分地将通过公开而明确、或者可以通过本专利技术概念的实践来获悉。 根据示例性实施方式，溅射系统包括腔室、多个靶和衬底支架。靶被设置在腔室中。每个靶包括设置在其中的磁铁单元。衬底支架被配置成在腔室中支承衬底。磁铁单元被配置成在靶之间生成磁场。磁铁单元中每个包括设置成两排的磁铁。 根据示例性实施方式，方法包括:至少部分地使设置在腔室中的溅射靶被电偏置，溅射靶中每个分别用于容纳彼此相隔的磁铁，磁铁被配置成在溅射靶之间生成磁场；以及至少部分地使颗粒与偏置的溅射靶碰撞，该碰撞使沉积颗粒被弹离偏置的溅射靶。磁场将沉积颗粒的第一部分约束在位于偏置的溅射靶之间的空间中，并且允许沉积颗粒的第二部分被沉积在设置于腔室中的衬底上。 前面的一般性描述和下面的详细描述均为示例性和解释性的，并且旨在提供对于所要求保护的主题的进一步解释。 【附图说明】 被包括以提供对本专利技术概念的进一步理解且被并入本说明书中以构成本说明书的一部分的附图示出了本专利技术概念的示例性实施方式，并且与说明书一同用于解释本专利技术概念的原则。 图1为根据示例性实施方式的溅射系统的示意图。 图2为根据示例性实施方式的图1的溅射系统的剖视图，其中图1的溅射系统包括以第一状态设置的第一溅射蒸发源和第二溅射蒸发源。 图3为根据示例性实施方式的图2所示溅射系统的剖视图。 图4为根据示例性实施方式的溅射系统的剖视图，其中溅射系统包括以第二状态设置的第一溅射蒸发源和第二溅射蒸发源。 图5为根据示例性实施方式的图4所示溅射系统的磁场分布的视图。 图6为根据示例性实施方式的、使用溅射系统制造的显示器件的子像素的剖视图。 【具体实施方式】 用于解释目的的下面的说明书中，记载了大量的具体细节以提供对于多种示例性实施方式的透彻理解。然而，应明确，多种示例性实施方式可以在没有这些具体细节或者具有一个或多个等同配置的情况下被实践。在其它情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置以避免多种示例性实施方式之间不必要的混淆。 在附图中，为了清楚起见和描述性目的，层、膜、面板和区域等的尺寸和相对尺寸可以被夸大。并且，相同的附图标记表示相同的元件。 当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接至”另一元件或层、或者“接合至”另一元件或层时，其可以直接在其它元件或层上、直接连接至或直接接合至其它元件或层，或者可以存在有中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接至”另一元件或层、或者“直接接合至”另一元件或层时，不存在中间元件或层。对于本公开的目的而言，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z构成的群中的至少一个”可以被理解成仅X、仅Y、仅Z、或者X、Y和Z中两个或更多的任何组合，例如ΧΥΖ、ΧΥΥ、ΥΖ和ZZ0贯穿全文，相同的附图标记指向相同的元件。如本文所用，用词“和/或”包括相关所列项目中一个或多个的任何组合和所有组合。 虽然用词“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述多个元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受限于这些用词。这些用词被用于将一个元件、部件、区域、层和/或区域与另一个元件、部件、区域、层和/或部分区分开来。因此，在不背离本公开的教导的情况下下面所讨论的第一元件、部件、区域、层和/或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层和/或部分。 空间相对用词如“下方”、“下”、“下部”、“上方”、“上部”等可以在本文中用于描述性目的，并因此用于描述如图所示的一个元件或特征相对于另一元件或特征的关系。空间相对用词旨在除了附图中描绘的取向以外还包含使用、操作和/或制造中的设备的不同取向。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述成在其它元件或特征“下”或“下方”的元件将被转向成在其它元件或特征“上方”。因此，示例性用词“下”可以包含上和下的两种取向。此外，设备可以被另外定向(如转动90度或者以其它取向)，从而相应地解释本文中所使用的空间相对描述词。 本文中所使用的术语是描述特定实施方式的目的，并不旨在限制本专利技术。如本文所用，除非本文中另有明确指示，否则单数形式“一个”、“一种”及“此”亦旨在包括复数形式。此外，当用词“包括”、“包括有”、“包含”和/或“包含有”用于本说明书中时，是指所列特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其群的存在，并不是排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其群的存在或附加。 本文中参照作为理想的示例性实施方式和/或中间结构的示意图的截面示意图描述了多种示例性实施方式。而由于例如制造技术和/或公差所导致的示意图的形状变化是可以被预期的。因此，本文中所公开的示例性实施方式不应被解释成限制于区域的特定图示形状，而应被解释成包括由例如在制造中所导致的形状的偏差。例如，示出为矩形的注入区域将通常在其边缘处具有倒圆的特征或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区域至非注入区域的二元变化。相似地，通过注入而形成的掩埋区域可以导致掩埋区域与发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溅射系统，包括：腔室；多个靶，设置在所述腔室中，每个所述靶包括设置在其中的磁铁单元；以及衬底支架，配置成在所述腔室中支承衬底，其中，所述磁铁单元被配置成在所述靶之间生成磁场，以及其中，所述磁铁单元中每个包括设置成两排的磁铁。

【技术特征摘要】
2013.07.25 KR 10-2013-00882681.一种派射系统,包括: 腔室； 多个靶，设置在所述腔室中，每个所述靶包括设置在其中的磁铁单元；以及 衬底支架，配置成在所述腔室中支承衬底， 其中，所述磁铁单元被配置成在所述靶之间生成磁场，以及 其中，所述磁铁单元中每个包括设置成两排的磁铁。2.如权利要求1所述的溅射系统，其中， 所述靶包括第一靶和第二靶， 所述磁铁单元包括分别设置在所述第一靶和所述第二靶中的第一磁铁单元和第二磁铁单元，以及 所述第一磁铁单元和所述第二磁铁单元绕着在所述第一靶与所述第二靶之间延伸的虚轴线对称地布置。3.如权利要求2所述的溅射系统，其中， 所述第一磁铁单元包括第一磁铁和第二磁铁， 所述第二磁铁单元包括第三磁铁和第四磁铁，以及 所述第一磁铁、所述第二磁铁、所述第三磁铁和所述第四磁铁绕着所述虚轴线被对称地布置成北极、南极-南极、北极(NS-SN)的磁性布局。4.如权利要求2所述的溅射系统，其中， 所述第一磁铁单元包括第一磁铁和第二磁铁， 所述第二磁铁单元包括第三磁铁和第四磁铁，以及 所述第一磁铁、所述第二磁铁、所述第三磁铁和所述第四磁铁绕着所述虚轴线被对称地布置成南极、北极-北极、南极(SN-NS)的磁性布局。5.如权利要求2所述的溅射系统，其中， 当所述第一靶和所述第二靶被配置成以基本相同的电势被偏置时，所述第一靶和所述第二靶的所述布局和偏置生成包含绕着所述磁铁中的至少一些的闭环环形路径的磁场，以及 所述磁铁中的所述至少一些的磁矩指向基本相同的方向。6.如权利要求2所述的溅射系统，其中， 所述第一磁铁单元包括第一磁铁和第二磁铁， 所述第二磁铁单元包括第三磁铁和第四磁铁， 所述第一磁铁被设置在所述第二磁铁与所述虚轴线之间， 所述第三磁铁被设置在所述第四磁铁与所述虚轴线之间，以及所述第一磁铁和所述第三磁铁各自的长度小于所述第二磁铁和所述第四磁铁各自的长度。7.如权利要求2所述的溅射系统，其中， 所述第一磁铁单元和所述第二磁铁单元朝向彼此倾斜。8.如权利要求7所述的溅射系统，其中， 所述第一磁铁单元包括第一磁铁和第二磁铁， 所述第二磁铁单元包括第三磁铁和第四磁铁， 所述第一磁铁被设置在所述第二磁铁与所述虚轴线之间， 所述第三磁铁被设置在所述第四磁铁与所述虚轴线之间，以及所述第一磁铁和所述第三磁铁各自的长度小于所述第二磁铁和所述第四磁铁各自的长...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔丞镐，朴锺珍，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR