一种特殊膜系的绿色双银LOW-E玻璃制造技术

技术编号:10943890 阅读:83 留言:0更新日期:2015-01-22 20:18
一种特殊膜系的绿色双银LOW-E玻璃,包括玻璃基材,其特征在于:所述玻璃基材为白色浮法玻璃,其上表面由下而上依次设有Si3N4底层介质层、第一ZnO膜层、第一Ag层、第一NiCrOx膜层、第一ZnSnO3介质层、第二ZnO膜层、第二Ag层、第二NiCrOx膜层、第二ZnSnO3介质层、以及Si3N4顶层介质层。本发明专利技术具有如下优点:1、本发明专利技术结构简单,创造性地采用普通白色浮法玻璃作为玻璃基材,制造的绿色双银LOW-E玻璃,生产成本下降20%以上,成本较低。2、具有比传统LOW-E玻璃更低的辐射率,辐射率仅0.04,节能效果显著。

【技术实现步骤摘要】

:本专利技术涉及一种特殊膜系的绿色双银LOW-E玻璃
技术介绍
:LOW-E玻璃,是一种高端的低辐射玻璃,是在玻璃基材表面镀制包括银层在内的多层金属及其它化合物组成的膜系产品,具有节能减排及装饰幕墙的双重功效。而绿色玻璃作为镀膜玻璃的一个非常规品种,深受人们喜爱。随着节能指标要求越来越严,在很多城市双银LOW-E玻璃都已无法满足客户需求,再加上设计师对绿色产品的热宠,绿色双银LOW-E玻璃的市场需求庞大。但目前大多数厂家生产绿色双银LOW-E玻璃均采用绿色原片作为基底,生产成本较高。故有必要对现有的产品作出改进,以提供一种成本较低的绿色双银LOW-E玻璃。
技术实现思路
:本专利技术的目的在于提供一种特殊膜系的绿色双银LOW-E玻璃,其结构简单,成本较低。一种特殊膜系的绿色双银LOW-E玻璃,包括玻璃基材,其特征在于:所述玻璃基材为白色浮法玻璃,其上表面由下而上依次设有Si3N4底层介质层、第一ZnO膜层、第一Ag层、第一NiCrOx膜层、第一ZnSnO3介质层、第二ZnO膜层、第二Ag层、第二NiCrOx膜层、第二ZnSnO3介质层、以及Si3N4顶层介质层。本专利技术可通过如下方案进行改进:所述Si3N4底层介质层的厚度为50nm。所述第一ZnO膜层的厚度为18nm。所述第一Ag层的厚度为5nm,所述第二Ag层的厚度为11nm。所述第一NiCrOx膜层的厚度为1.2nm。所述第一ZnSnO3介质层的厚度为60nm。所述第二ZnO膜层的厚度为20nm。所述第二NiCrOx膜层的厚度为1nm。所述第二ZnSnO3介质层的厚度为30nm。所述Si3N4顶层介质层的厚度为50nm。本专利技术具有如下优点:1、本专利技术结构简单,创造性地采用普通白色浮法玻璃作为玻璃基材,制造的绿色双银LOW-E玻璃,生产成本下降20%以上,成本较低。2、具有比传统LOW-E玻璃更低的辐射率,辐射率仅0.04,节能效果显著。附图说明:图1为本专利技术结构剖视图。具体实施方式:如图所示,一种特殊膜系的绿色双银LOW-E玻璃,包括玻璃基材1,所述玻璃基材1为白色浮法玻璃,其上表面由下而上依次设有Si3N4底层介质层2、第一ZnO膜层3、第一Ag层4、第一NiCrOx膜层5、第一ZnSnO3介质层6、第二ZnO膜层7、第二Ag层8、第二NiCrOx膜层9、第二ZnSnO3介质层10、以及Si3N4顶层介质层11。进一步地,所述Si3N4底层介质层2的厚度为50nm。其采用磁控溅射镀膜工艺,用交流中频电源、以氩气为溅射气体、氮气作反应气体溅射硅铝靶(硅铝比为92:8)制备而成,其中,氩氮比为(400SCCM~420SCCM):(450SCCM~500SCCM),氩氮比是该膜层的核心,决定了成膜的质量。再进一步地,所述第一ZnO膜层3的厚度为18nm。其采用磁控溅射镀膜工艺,用中频交流电源溅射陶瓷Zn(AZO)靶、用氩气作为溅射气体、掺入少量氧气制备而成,其中,氩氧比为:(400SCCM~420SCCM):(20~40SCCM),为第一Ag层4作铺垫,降低辐射率。更进一步地,所述第一Ag层4的厚度为5nm,为功能层。其采用磁控溅射镀膜工艺,用直流电源溅射银靶、氩气作为溅射气体制备而成,氩气气体流量500~550SCCM。又进一步地,所述第一NiCrOx膜层5的厚度为1.2nm。其采用磁控溅射镀膜工艺,用直流电源溅射镍铬合金靶、用氩气作为溅射气体、掺入少量氧气制备而成,其中,氩氧比为:(400SCCM~420SCCM):(20~40SCCM),提高膜层耐磨性、提高透光率、提高钢化时抗高温氧化性。再进一步地,所述第一ZnSnO3介质层6的厚度为60nm,作为保护层。其采用磁控溅射镀膜工艺,用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氧气作反应气体溅射ZnSn(质量百分比Zn:Sn=50:50)靶制备而成,其中,氩氧比为(400SCCM~420SCCM):(450SCCM~500SCCM),氩氧比是该膜层的核心,决定了成膜的质量。更进一步地,所述第二ZnO膜层7的厚度为20nm。其采用磁控溅射镀膜工艺,用中频交流电源溅射陶瓷Zn(AZO)靶、用氩气作为溅射气体、掺入少量氧气制备而成,其中,氩氧比为:(400SCCM~420SCCM):(20~40SCCM),为第二Ag层8作铺垫,降低辐射率。又进一步地,所述第二Ag层8的厚度为11nm,为功能层。其采用磁控溅射镀膜工艺,用直流电源溅射银靶、氩气作为溅射气体制备而成,气体流量500~550SCCM。再进一步地,所述第二NiCrOx膜层9的厚度为1nm。其采用磁控溅射镀膜工艺,用直流电源溅射镍铬合金靶、用氩气作为溅射气体、掺入少量氧气制备而成,其中,氩氧比为:(400SCCM~420SCCM):(20~40SCCM),提高膜层耐磨性、提高透光率、提高钢化时抗高温氧化性。更进一步地,所述第二ZnSnO3介质层10的厚度为30nm,作为保护层。其采用磁控溅射镀膜工艺,用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氧气作反应气体溅射ZnSn(质量百分比Zn:Sn=50:50)靶制备而成,其中,氩氧比为(400SCCM~420SCCM):(450SCCM~500SCCM),氩氧比是该膜层的核心,决定了成膜的质量。又进一步地,所述Si3N4顶层介质层11的厚度为50nm。其采用磁控溅射镀膜工艺,用交流中频电源、以氩气为溅射气体、氮气作反应气体溅射硅铝靶(硅铝比为92:8)制备而成,其中,氩氮比为(400SCCM~420SCCM):(450SCCM~500SCCM),氩氮比是该膜层的核心,决定了成膜的质量。本专利技术结构简单,创造性地采用普通白色浮法玻璃作为玻璃基材,制造的绿色双银LOW-E玻璃,生产成本下降20%以上,成本较低。另外,本专利技术具有比传统LOW-E玻璃更低的辐射率,辐射率仅0.04,节能效果显著。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例,并非用来限定本专利技术实施的范围,凡依本专利技术专利范围所做的同等变化与修饰,皆落入本专利技术专利涵盖的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种特殊膜系的绿色双银LOW‑E玻璃,包括玻璃基材,其特征在于:所述玻璃基材为白色浮法玻璃,其上表面由下而上依次设有Si3N4底层介质层、第一ZnO膜层、第一Ag层、第一NiCrOx膜层、第一ZnSnO3介质层、第二ZnO膜层、第二Ag层、第二NiCrOx膜层、第二ZnSnO3介质层、以及Si3N4顶层介质层。

【技术特征摘要】
1.一种特殊膜系的绿色双银LOW-E玻璃,包括玻璃基材,其特征在于:
所述玻璃基材为白色浮法玻璃,其上表面由下而上依次设有Si3N4底层介质层、
第一ZnO膜层、第一Ag层、第一NiCrOx膜层、第一ZnSnO3介质层、第二ZnO
膜层、第二Ag层、第二NiCrOx膜层、第二ZnSnO3介质层、以及Si3N4顶层介
质层。
2.根据权利要求1所述的一种特殊膜系的绿色双银LOW-E玻璃,其特
征在于:所述Si3N4底层介质层的厚度为50nm。
3.根据权利要求1所述的一种特殊膜系的绿色双银LOW-E玻璃,其特
征在于:所述第一ZnO膜层的厚度为18nm。
4.根据权利要求1所述的一种特殊膜系的绿色双银LOW-E玻璃,其特
征在于:所述第一Ag层的厚度为5nm,所述第二Ag层的厚度为11nm。
5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:禹幸福陈圆
申请(专利权)人:中山市亨立达机械有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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