薄膜形成装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种与以往相比能够抑制所形成的薄膜在长条膜基材的宽度方向上发生品质偏差的薄膜形成装置。使用于供给成膜用的气体的气体供给部件(100、200)构成为具有沿膜基材(16)的宽度方向排列设置在真空室(12)内的多个气体供给部(120A、120B、120C、220A、220B、220C)和能够针对该气体供给部(120A～120C、220A～220C)分别调整气体的供给量的供给量调整部，使用于测定真空室(12)内的每种气体的分压的气体分压测定部件(400)构成为，具有与气体供给部(120A～120C、220A～220C)的各自的设置位置相对应地设置在膜基材(16)的宽度方向上的测定部(420A、420B、420C)，用于测定测定部(420A～420C)的各自的设置位置处的气体的分压。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种与以往相比能够抑制所形成的薄膜在长条膜基材的宽度方向上发生品质偏差的薄膜形成装置。使用于供给成膜用的气体的气体供给部件(100、200)构成为具有沿膜基材(16)的宽度方向排列设置在真空室(12)内的多个气体供给部(120A、120B、120C、220A、220B、220C)和能够针对该气体供给部(120A～120C、220A～220C)分别调整气体的供给量的供给量调整部，使用于测定真空室(12)内的每种气体的分压的气体分压测定部件(400)构成为，具有与气体供给部(120A～120C、220A～220C)的各自的设置位置相对应地设置在膜基材(16)的宽度方向上的测定部(420A、420B、420C)，用于测定测定部(420A～420C)的各自的设置位置处的气体的分压。【专利说明】薄膜形成装置
本专利技术涉及一种薄膜形成装置，尤其涉及一种利用溅射法以所谓的卷到卷(rollto roll)方式在膜基材表面上形成薄膜的薄膜形成装置。
技术介绍
对于在将自卷绕长条膜基材而成的放卷卷(卷出α — > )放出的膜基材卷回的过程中、在沿膜基材的长度方向移动的该膜基材的表面上连续地形成薄膜的卷到卷方式的薄膜形成装置，因其生产率较高而应用于制造各种功能性膜。 作为该功能性膜，可列举出例如在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜基材上形成铟一锡氧化物(Indium-Tin-Oxide=ITO)的薄膜而成的透明导电性膜。该透明导电性膜是为了制作触摸面板、太阳能电池、液晶显示器、有机EL显示器等用的透明电极而不可或缺的构件。 用于利用溅射法在膜基材上制造ITO薄膜的以往的薄膜形成装置通常如以下那样构成。 即，该薄膜形成装置收纳在真空室内，并具有将移动的膜基材部分卷绕的成膜辊，在隔着膜基材与成膜辊相对的位置上设有由铟一锡烧结体构成的靶材。 另外，向上述真空室内导入作为引起溅射的非活性气体的氩气和作为用于ITO薄膜的成膜的反应性气体的氧气。 然后，通过向卷绕有移动的膜基材的一部分的成膜辊与靶材(铟一锡烧结体)之间施加高电压而被离子化后的氩轰击铟一锡烧结体，由此将靶材表面的铟和锡的原子溅射出来，该铟和锡的原子与氧反应而附着在膜基材表面上，从而形成ITO薄膜。 专利文献1:日本特开2010 - 77479号公报 专利文献2:日本特开2002 - 121664号公报 专利文献3:日本特开2003 - 328124号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题 另外，为了进一步提高薄膜形成装置的生产率，存在使长条膜基材的膜宽度增大的倾向，在该情况下，发现如下现象，即，与膜宽度较短的情况相比，所形成的ITO薄膜的厚度、ITO薄膜的电阻值在该宽度方向上的偏差变大。 另外，近年来，随着触摸面板为首的应用设备的进一步的高性能化等，要求透明导电性膜的ITO薄膜的厚度、电阻值具有更高的品质。 此外，随着长条膜基材的膜宽度的增大而产生的上述那样的问题并不仅在透明导电性膜的制造过程中产生，在其他功能性膜的制造过程中也产生。 本专利技术是鉴于上述问题而提出的，其目的在于，提供一种与以往相比能够抑制所形成的薄膜在长条膜基材的宽度方向上发生品质偏差的薄膜形成装置。 用于解决问题的方案 为了实现上述目的，本专利技术提供一种薄膜形成装置，其用于利用溅射法在自卷绕长条膜基材而成的放卷卷放出并沿长度方向移动的上述长条膜基材的表面上连续地形成薄膜，其特征在于，该薄膜形成装置包括:真空室；成膜辊，其收纳在上述真空室内，将移动的上述长条膜基材部分地卷绕于该成膜辊的外周面；靶材，其以与上述成膜辊相对的方式配置在上述成膜辊的上述长条膜基材的卷绕位置处的上述成膜辊的径向外侧；气体供给部件，其用于向上述真空室内供给用于上述成膜的气体；以及气体分压测定部件，其用于测定上述真空室内的每种气体的分压，上述气体供给部件具有:沿上述长条膜基材的宽度方向排列设置在上述真空室内的气体供给部，该气体供给部为多个；能够针对每个该气体供给部分别调整气体的供给量的供给量调整部，上述气体分压测定部件具有沿上述长条膜基材的宽度方向排列设置的测定部，该测定部为多个，用于测定该测定部的各自的设置位置处的上述气体的分压。 另外，其特征在于，上述测定部分别以与上述气体供给部的在上述长条膜的宽度方向上的各自的设置位置相对应的方式设置。 另外，其特征在于，上述气体是用于上述成膜的反应性气体。 或者，其特征在于，上述气体是用于引起溅射的非活性气体。 或者，其特征在于，上述气体是含有用于引起溅射的非活性气体和用于上述成膜的反应性气体的混合气体。 并且，其特征在于，上述气体分压测定部件是四极质谱计。 专利技术的效果 采用由上述结构构成的薄膜形成装置，根据由分别与沿长条膜基材的宽度方向排列设置的多个气体供给部相对应的测定部测定的气体分压的测定结果，能够针对每个气体供给部调整气体的供给量，因此能够尽可能地抑制在上述宽度方向上的上述气体分压的不均匀。因此，与在上述宽度方向上仅具有单个供给部的以往的薄膜形成装置相比，能够抑制因气体分压的上述不均匀而引起的、所形成的薄膜在上述宽度方向上发生的品质偏差。 【专利附图】【附图说明】 图1是表示实施方式的薄膜形成装置的概略结构的横剖视图。 图2是利用图1中的A-A线剖切上述薄膜形成装置而成的纵剖视图的一部分。 图3是表示上述薄膜形成装置中的气体供给单元的概略结构的立体图。 【具体实施方式】 以下，一边参照附图一边说明本专利技术的薄膜形成装置的实施方式。此外，在本实施方式中，以如下情况为例进行说明，即，作为长条膜基材而使用PET膜基材，在该PET膜基材的表面上形成ITO薄膜而制作透明性导电膜。 如图1所示，实施方式的薄膜形成装置10包括真空室12，该真空室12具有与未图示的真空泵相连接的排气口 12A。 在真空室12内设有放卷轴14。自将PET膜基材16卷绕在放卷轴14上而成的放卷卷16A放出的PET膜基材16如图1所示那样依次挂绕于第I引导辊18、第2引导辊20、成膜辊22、第3引导辊24以及第4引导辊26，并卷取于卷取轴28。对于PET膜基材16，例如，其宽度是1600 (mm)，全长是5000 (m)。 在自放卷轴14到卷取轴28的期间内，在一部分卷绕在成膜辊22的外周面上且沿长度方向移动的PET膜基材16的、与成膜辊22相反的那一侧的表面上，如后述那样利用溅射法连续地形成ITO薄膜。此外，通过控制用于对放卷轴14进行旋转驱动的马达(未图示)和用于对卷取轴28进行旋转驱动的马达(未图示)的转速，能够改变PET膜基材16的移动速度。 另外，成膜辊22是公知的具有温度调节功能的成膜辊，成膜辊22的表面被控制在适合于成膜的温度。 在成膜辊22上的PET膜基材16的卷绕位置处的成膜辊22的径向外侧，与成膜辊22相对地配置有靶材30。在本例子中，靶材30由铟一锡烧结体构成。靶材30通过未图示的螺丝固定于阴极32。阴极32收纳在盒34内。 另外，设有反应性气体供给部件100、非活性气体供给部件200以及蒸汽供给部件300，该反应性气体供给部件100用于向成膜辊22与靶材30之间的相对区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜形成装置，其用于利用溅射法在自卷绕长条膜基材而成的放卷卷放出并沿长度方向移动的上述长条膜基材的表面上连续地进行薄膜的成膜，其特征在于，该薄膜形成装置包括：真空室；成膜辊，其收纳在上述真空室内，将移动的上述长条膜基材部分地卷绕于该成膜辊的外周面；靶材，其以与上述成膜辊相对的方式配置在上述成膜辊的上述长条膜基材的卷绕位置处的上述成膜辊的径向外侧；气体供给部件，其用于向上述真空室内供给用于上述成膜的气体；以及气体分压测定部件，其用于测定上述真空室内的每种气体的分压，上述气体供给部件具有：沿上述长条膜基材的宽度方向排列设置在上述真空室内的气体供给部，该气体供给部为多个；能够针对每个该气体供给部分别调整气体的供给量的供给量调整部，上述气体分压测定部件具有：沿上述长条膜基材的宽度方向排列设置的测定部，该测定部为多个，用于测定该测定部的各自的设置位置处的上述气体的分压。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：梨木智刚，滨田明，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP