一种膦硫基电子传输材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于有机半导体领域，其公开了一种膦硫基电子传输材料及其制备方法和应用；该主体材料的结构式如下：式中，R为C1～C20的烷基。本发明专利技术的膦硫基电子传输材料中，四面体结构的二苯膦硫基团含有吸电子P=S，是一个较好的电子传输单元；硅芴是一种超高能系材料；因此该材料电子迁移率较高、热稳定性较好，作为电子传输层用于有机电致发光器件中能提高发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种滕硫基电子传输材料及其制备方法和应用
本专利技术涉及有机半导体材料领域，尤其涉及一种膦硫基电子传输材料及其制备方 法和应用。
技术介绍
有机电致发光器件有轻、薄、自发光、低消耗功率、不需要光源、无视角限制、高反 应速率及可制作在软性基板等优良特性，已被视为平面显示器和软性显示器的明日之星。 传统的电子传输材料的载流子迁移率是空穴传输材料的千分之一，且热稳定性不佳，因此， 常导致发光效率不佳或是元件寿命不长等问题，根据相关文献表示，电子传输材料所占电 荷消耗比率达35. 9%，是仅次于发光层的消耗（39. 8%)，因此现今开发高载流子的电子传输 材料是现今OLED才材料开发的重点。 Alq3因具有好的成膜性，因此，是目前常用的电子传输材料的主发光体，不过陆续 有一些载流子迁移率和T g高于Alq3的材料出现，如金属（Be，Al, Zn)络合物、1，2, 4-膦硫 (TAZ)的衍生物、含氟化合物和含硅化合物等，然而，这些已知的材料载流子迁移率仍不佳， 且有着热稳定性不佳或运用在器件上产生电流密度低等问题，因此，开发新的电子传输材 料是一个很重要的课题。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种膦硫基电子传输材料，其特征在于，其结构式如下：式中，R为C1～C20的烷基。

【技术特征摘要】
1. 一种膦硫基电子传输材料，其特征在于，其结构式如下：式中，R为Ci?C2(I的烷基。2. -种膦硫基电子传输材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 分别提供如下结构式表示的化合物A和B，在无氧环境下，将摩尔比为1:2?2. 4的化合物A和B添加入含有催化剂和碱溶液的 有机溶剂中溶解，于70?130°C下进行Suzuki耦合反应12?96小时，降温后停止聚合反 应，分离提纯反应液，得到如下结构式的所述膦硫基电子传输材料：式中，R为Q?C2(I的烷基。3. 根据权利要求2所述的膦硫基电子传输材料的制备方法，其特征在于，所述催化剂 为双三苯基膦二氯化钯，四三苯基膦钯；所述催化剂与所述化合物A的摩尔比为1:20? 1:100。4. 根据权利要求2所述的膦硫基电子传输材料的制备方法，其特征在于，所述催化剂 为摩尔比为1:4?8的醋酸钮1与三邻甲苯基膦混合物,或者摩尔比为1:4?8的三二氦节 基丙酮二钯与2-双环己基膦-2'，6' -二甲氧基联苯混合物；所述催化剂与所述化合物A ...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，张振华，王平，张娟娟，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44