【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于调整真空泵布置的操作参数的方法和/或设备,并且更具体地涉及用于基于流过真空泵布置的气体的热特性来自动调整真空泵布置的功率或温度极限的方法和/或设备。
技术介绍
用于半导体或其它工业制造过程的系统通常尤其包括处理工具、具有增压泵和前级泵的真空泵布置以及消除装置。在半导体制造应用中,处理工具通常包括处理室,其中半导体晶片处理成预定结构。真空泵布置连接到处理工具上,以用于抽空处理室来在处理室中产生真空环境,以用于各种半导体处理技术进行。由真空泵布置从处理室抽空的气体可引导至消除装置,消除装置在气体释放至环境之前破坏或分解气体的有害或有毒的成分。许多半导体处理技术与在不同级处将各种气体喷射到处理室中相关联。氢为过程(如,金属有机气相沉积(MOCVD)、等离子增强的化学气相沉积(PECVD)和硅外延)中常用气体中的一种。富氢气体通常呈现出与包括更重气态成分的那些很不同的特性。具有较大比例的氢的气体趋于具有高导热率,而具有较大比例的重气态成分的气体趋于具有更低导热率。当富氢气体通过真空泵泵送时,转子与定子之间的温差趋于比气体含有较大比例的重气态成分时更小。结果,与泵送重气体的真空泵相反,泵送富氢气体的真空泵由于热膨胀引起的转子与定子之间的碰撞而存在更低卡住的风险。尽管良好控制了泵卡住的风险,但用于半导体制造过程的真空泵通常并不如它们可能的那样强地驱动。除氢之外,其它更重的气体也存在于许多半导体制造过程循环中的各种步骤中。为了适应那些更重的气体,真空泵的功率极限通常保守地设定,以避免由转子与定子之间的碰撞引 ...
【技术保护点】
一种调整真空泵布置的操作参数的方法,包括:确定流过所述真空泵布置的第一气体的特性;以及基于所述第一气体的确定的特性来设定所述真空泵布置的操作参数。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.05.18 GB 1208735.91. 一种调整真空泵布置的操作参数的方法,包括:
确定流过所述真空泵布置的第一气体的特性;以及
基于所述第一气体的确定的特性来设定所述真空泵布置的操作参数。
2. 根据权利要求1所述的方法,其特征在于,确定所述第一气体的特性包括所述真空泵布置接收表现所述特性的信号的步骤。
3. 根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述信号从所述真空泵布置上游的处理工具提供。
4. 根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述信号由将处理工具连接到其下游的所述真空泵布置上的前管线中的传感器生成。
5. 根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述传感器构造成进行所述第一气体的导热率的直接或间接测量。
6. 根据权利要求1所述的方法,其特征在于,确定所述第一气体的特性包括:
在所述真空泵布置泵送所述第一气体穿过其中时监测所述真空泵布置的性质;以及
基于所述监测的性质来确定所述第一气体的特性。
7. 根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述性质为功率消耗模式。
8. 根据权利要求1至权利要求7中任一项所述的方法,其特征在于,所述真空泵布置包括以一种方式串联连接到处理室上的增压泵和前级泵,该方式使得所述增压泵在所述处理室的下游且在所述前级泵的上游。
9. 根据权利要求8所述的方法,其特征在于,确定所述第一气体的特性包括确定给定时刻的所述增压泵的功率消耗是否高于第一预定阈值。
10. 根据权利要求8或权利要求9所述的方法,其特征在于,确定所述第一气体的特性包括:如果所述给定时刻的所述增压泵的功率消耗高于所述第一预定阈值,则确定所述给定时刻的所述前级泵的功率消耗是否低于预定第二阈值。
11. 根据权利要求10所述的方法,其特征在于,确定所述第一气体的特性包括:如果在所述给定时刻所述前级泵的功率消耗低于所述第二预定阈值且所述增压泵的功率消耗高于所述第一预定阈值,则将所述第一气体指定为重气体。
12. 根据权利要求10或权利要求11所述的方法,其特征在于,如果在所述给定时刻所述前级泵的功率消耗低于所述第二预定阈值且所述增压泵的功率消耗高于所述第一预定阈值,则所述操作参数根据所述重气体的特性设定为重气体操作参数。
13. 根据权利要求10、权利要求11或权利要求12中任一项所述的方法,其特征在于,确定所述第一气体的特性包括:如果在所述给定时刻所述前级泵的功率消耗高于所述第二预定阈值且所述增压泵的功率消耗高于所述第一预定阈值,则将所述第一气体指定为富氢气体。
14. 根据权利要求10至权利要求11中任一项所述的方法,其特征在于,如果在所述给定时刻所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:N特纳,JR塔特萨尔,
申请(专利权)人:爱德华兹有限公司,
类型:发明
国别省市:英国;GB
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