本发明专利技术公开了一种钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜，所述钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me5(AsO4)3Cl：xSm3+；其中，Me5(AsO4)3Cl是基质，掺杂元素Sm是发光体系中的激活元素，在结构组成中是进入了As5+离子的晶格，且x为0.01～0.05，Me为Mg、Ca、Sr或Ba。上述钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜（Me5(AsO4)3Cl：xSm3+）的电致发光光谱（EL）中，在638nm和727nm波长区都有很强的发光峰，这种钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜能够应用于薄膜电致发光器件。本发明专利技术还公开了上述钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜的制备方法、使用该钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜的薄膜电致发光器件及其制备方法。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜，所述钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me5(AsO4)3Cl：xSm3+；其中，Me5(AsO4)3Cl是基质，掺杂元素Sm是发光体系中的激活元素，在结构组成中是进入了As5+离子的晶格，且x为0.01～0.05，Me为Mg、Ca、Sr或Ba。上述钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜（Me5(AsO4)3Cl：xSm3+）的电致发光光谱（EL）中，在638nm和727nm波长区都有很强的发光峰，这种钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜能够应用于薄膜电致发光器件。本专利技术还公开了上述钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜的制备方法、使用该钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜的薄膜电致发光器件及其制备方法。【专利说明】钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜、制备方法及其应用
本专利技术涉及发光材料领域，尤其涉及一种钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法。
技术介绍
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显示器的钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜，仍未见报道。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜、其制备方法、使用该钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜的薄膜电致发光器件及其制备方法。 一种钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜，所述钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜的材料的化学通式为 Me5(As04)3Cl:xSm3+ ； 其中，Me5(As04)3Cl是基质，掺杂元素Sm是发光体系中的激活元素，在结构组成中是进入了 As5+离子的晶格，且X为0.01?0.05, Me为Mg、Ca、Sr或Ba。 在一个实施例中，所述衫掺杂氯砷酸盐发光薄膜的厚度为60nm?400nm。 一种钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤: 根据Me5 (As04) 3C1:xSm3+各元素的化学计量比称取MeO，MeCl2，As205和Sm203粉体并混合均匀在900°C?1300°C下烧结制成靶材，其中，X为0.01?0.05,Me为Mg、Ca、Sr或Ba ； 提供衬底并对所述衬底进行预处理后，将所述靶材与所述衬底装入脉冲激光沉积镀膜设备的真空腔体，并调整所述真空腔体的真空度为1.0X 10_3Pa?1.0X 10_5Pa ;及 调整工作气体的流量为lOsccm?40sccm,工作气体的压强为0.5Pa?5Pa,所述靶材与所述衬底的间距为45mm?95mm，所述衬底的温度为250°C?750°C，脉冲激光的能量为80mJ?300mJ，在所述衬底上脉冲激光沉积得到钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜，所述钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me5(As04)3Cl:XSm3+。 在一个实施例中，烧结制成靶材的操作中，温度为1250°C ； 调整所述真空腔体的真空度的操作中，所述真空腔体的真空度为5.0X 10_4Pa。 在一个实施例中，脉冲激光沉积的操作中，工作气体的流量为20sccm，工作气体的压强为3Pa，所述靶材与所述衬底的间距为60mm，所述衬底的温度为500°C，脉冲激光的能量为150mJ。 在一个实施例中，脉冲激光沉积的操作中，通过控制脉冲激光沉积的时间为lOmin?40min,得到厚度为60nm?400nm的衫掺杂氯砷酸盐发光薄膜。 一种薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极层、发光层以及阴极层，所述发光层为钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜，所述钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me5(AsO4)3Cl:XSm3+ ； 其中，Me5(AsO4)3Cl是基质，掺杂元素Sm是发光体系中的激活元素，在结构组成中是进入了 As5+离子的晶格，且X为0.01?0.05, Me为Mg、Ca、Sr或Ba。 一种薄膜电致发光器件的制备方法，包括以下步骤: 提供衬底，所述衬底包括层叠的基底和阳极层； 在所述阳极层上形成发光层，所述发光层为钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜，所述钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me5(AsO4)3Cl:XSm3+，其中，Me5(AsO4)3Cl是基质，掺杂元素Sm是发光体系中的激活元素，在结构组成中是进入了 As5+离子的晶格，且X为0.01 ?0.05，Me 为 Mg、Ca、Sr 或 Ba ; 在所述发光层上形成阴极层。 在一个实施例中，所述发光层的制备包括以下步骤: 根据Me5 (AsO4) 3C1:xSm3+各元素的化学计量比称取MeO，MeCl2, As2O5和Sm2O3粉体并混合均匀在900°C?1300°C下烧结制成靶材，其中，X为0.01?0.05,Me为Mg、Ca、Sr或Ba ； 对所述衬底进行预处理后，将所述靶材与所述衬底装入脉冲激光沉积镀膜设备的真空腔体，并调整所述真空腔体的真空度为1.0X 10_3Pa?1.0X 10_5Pa ;及 调整工作气体的流量为1sccm?40sccm,工作气体的压强为0.5Pa?5Pa,所述靶材与所述衬底的间距为45mm?95mm，所述衬底的温度为250°C?750°C，脉冲激光的能量为SOmJ?300mJ，在所述衬底的阳极层上脉冲激光沉积得到钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜，所述衫掺杂氯砷酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me5(AsO4)3Cl:xSm3+。 上述钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜(Me5 (AsO4)3Cl:xSm3+)的电致发光光谱(EL)中，在638nm和727nm波长区都有很强的发光峰，这种钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜能够应用于薄膜电致发光器件。 【专利附图】【附图说明】 图1为一实施方式的薄膜电致发光器件的结构示意图； 图2为实施例1得到钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜的EL光谱图。 【具体实施方式】 为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。 一实施方式的钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜，该钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜的材料的化学通式为 Me5(AsO4)3Cl:xSm3+o 其中，Me5(AsO4)3Cl是基质，掺杂元素Sm是发光体系中的激活元素，在结构组成中是进入了 As5+离子的晶格，且X为0.01?0.05, Me为Mg、Ca、Sr或Ba。 优选的，X为 0.02。 这种钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜的厚度为60nm?400nm。 上述钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜(Me5 (AsO4)3Cl:xSm3+)的电致发光光谱(EL)中，在638nm和727nm波长区都有很强的发光峰，这种钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜能够应用于薄膜电致发光器件。 上述钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜的制备方法，包括如下步骤: S11、根据 Me5(AsO4)3Cl:xSm3+ 各元素的化学计量比称取 MeO，MeCl2, As2O5 和 Sm2O3粉体并混合均匀本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜，其特征在于，所述钐掺杂氯砷酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me5(AsO4)3Cl：xSm3+；其中，Me5(AsO4)3Cl是基质，掺杂元素Sm是发光体系中的激活元素，在结构组成中是进入了As5+离子的晶格，且x为0.01～0.05，Me为Mg、Ca、Sr或Ba。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，陈吉星，王平，冯小明，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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