一种自供电P-SSHI电路制造技术

本发明专利技术属于能量、电源、微电子技术领域，涉及一种用压电元件在环境中收集振动能量的P-SSHI电路。其特征是该P-SSHI电路在不需要电源情况下能较多的收集压电元件的能量，与现有的压电能量收集电路相比，该电路不仅适合在高振动水平收集较多能量，也适合在低振动水平有效收集能量，有效的提高了能量收集效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术属于能量、电源、微电子
，涉及一种用压电元件在环境中收集振动能量的P-SSHI电路。其特征是该P-SSHI电路在不需要电源情况下能较多的收集压电元件的能量，与现有的压电能量收集电路相比，该电路不仅适合在高振动水平收集较多能量，也适合在低振动水平有效收集能量，有效的提高了能量收集效率。【专利说明】-种自供电P-SSHI电路
本专利技术属于能量、电源
，涉及一种能量收集电路。该专利技术可以用压电元件 在振动环境中收集能量，所收集的能量电路可以为人们日常生活提供方便。
技术介绍
在最近几年中，节能减排、无线技术已经渗透在生活中每一个角落。归功于无线传 感网络与低功耗技术的进步，能量收集器的研究和应用日益广泛。例如结构健康监测，全球 定位系统等这些与日俱增的应用便对能源的需求具有很大刺激。目前，环境中存在多种形 式的能量，其能量密度如表1所示。 表1环境中能量密度 【权利要求】1. 一种基于自供电P-SSHI电路。其特征是该P-SSHI电路在不需要电源情况下能较多 的收集压电元件的能量，与现有的压电能量收集电路相比，该电路不仅适合在高振动水平 收集较多能量，也适合在低振动水平有效收集能量，有效提高了能量收集效率。2. 根据权利1要求所述的一种基于自供电P-SSHI电路，所述P-SSHI电路包括2个检 测器（检测器1，检测器2)，2个MOS管（MOS管M1，M0S管M4)，2个二极管（D3，D5)，2个开 关器件（开关器件1，开关器件2)，1个整桥电路。 所述检测器1包括1个电阻Rl，1个二极管Dl，1个电容C1 ;所述检测器2包括1个电 阻R2,1个二极管D2,1个电容C2 ;所述开关器件1包括1个二极管D4,1个MOS管M3 ;所 述开关器件2包括1个二极管D6,1个MOS管M2 ;所述整桥电路由4个二极管（D7, D8, D9， D10)构成。 所述压电片一端分别与电阻R1 -端，MOS管Ml栅极端，二极管D4正极端，二极管D6负 极端，MOS管M4的栅极端，电阻R2的一端，二极管D7的负极，二极管D8正极相连，电阻R1 另一端与二极管D1的正极相连，二极管D1的负极分别与MOS管（Ml)的源极端，电容（C1) 的一端相连，电容C1另一端分别与压电片的另一端，电感L 一端，电容C2 -端，二极管D9 负极端，二极管D10正极端。所述MOS管Ml的漏极端与二极管D3的正极相连，所述二极管 D3负极端与MOS管M3的栅极端相连，所述MOS管M3的漏极端与二极管D4的负极端相连， 所述电感的另一端分别与MOS管M3的源极，MOS管M2的源极相连；所述MOS管M2的栅极 与二极管D5正极相连，所述MOS管的漏极与二极管D6正极相连；所述二极管D5负极与MOS 管M4漏极端相连，所述MOS管M4源极端分别与电容C2 -端，二极管D2的正极相连；所述 二极管D2的负极分别与电阻R2 -端相连；所述二极管D7正极，二极管D9正极都与地相 连，所述二极管D8负极，二极管D10负极都与输出负载（电容C_ t或电容C_t与电阻RlMd 并联）一端相连。输出负载（电容CMC;t或电容Crac;t与电阻RlMd并联）另一端与地相连。3. 根据权利要求1或2所述的P-SSHI电路，其特征在于，整桥电路中二极管选用正向 导通压降小、反向截至电流小的二极管。4. 根据权利要求1或2所述的P-SSHI电路，其特征在于，MOS管选用超低功耗型号。【文档编号】H02N2/18GK104270033SQ201410497201【公开日】2015年1月7日 申请日期:2014年9月24日 优先权日:2014年9月24日 【专利技术者】阚江明, 庞帅, 李文彬 申请人:北京林业大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于自供电P‑SSHI电路。其特征是该P‑SSHI电路在不需要电源情况下能较多的收集压电元件的能量，与现有的压电能量收集电路相比，该电路不仅适合在高振动水平收集较多能量，也适合在低振动水平有效收集能量，有效提高了能量收集效率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阚江明，庞帅，李文彬，
申请(专利权)人：北京林业大学，
类型：发明
国别省市：北京;11