在反应器容器中生长晶体的方法和设备，其中反应器容器利用含碳纤维材料作为结构元件，以在反应器容器中包含作为固体、液体或气体的用于生长晶体的材料，使得反应器容器可耐受晶体生长所需的压力或温度。含碳纤维材料封装反应器容器的至少一个组件，其中应力从被封装组件传递至含碳纤维材料。含碳纤维材料可缠绕被封装组件一次或多次，其足以维持被封装组件外部和内部之间的期望压力差。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】在反应器容器中生长晶体的方法和设备，其中反应器容器利用含碳纤维材料作为结构元件，以在反应器容器中包含作为固体、液体或气体的用于生长晶体的材料，使得反应器容器可耐受晶体生长所需的压力或温度。含碳纤维材料封装反应器容器的至少一个组件，其中应力从被封装组件传递至含碳纤维材料。含碳纤维材料可缠绕被封装组件一次或多次，其足以维持被封装组件外部和内部之间的期望压力差。【专利说明】用于利用含碳纤维材料生长111族氮化物晶体的设备和通过其生长的111族氮化物相关申请的交叉参考本申请要求由Siddha Pimputkar、Paul Von Dollen、Shuji Nakamura 和 JamesS.Speck 在 2012 年 4 月 10 日提交的名为 “APPARATUS USED FOR THE GROWTH OF GROUP-111NITRIDE CRYSTALS UTIILIZING CARBON FIBER CONTAINING MATERIALS AND GROUP-1IINITRIDE GROWN THEREWITH” 的律师案卷号为 30794.451-US-P1 (2012-654-1)的美国临时专利申请序号61/622，232的根据35U.S.C.第119(e)节的权益，该申请被引入本文作为参考。本申请涉及下列共同未决和共同受让的申请:美国技术专利申请序号11/921，396,由 Kenji Fujito、Tadao Hashimoto和 Shuji Nakamura 在 2007 年 11 月 30 日提交，名为 “METHOD FOR GROWING GROUP-111NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA USING AN AUTOCLAVE”，律师案卷号为 30794.129-US-WO(2005-339-2),该申请要求由 Kenji Fujito、Tadao Hashimoto和 Shuji Nakamura 在 2005 年7 月 8 日提交的名为 “METHOD FOR GROWING GROUP-111NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA USING AN AUTOCLAVE” 的律师案卷号为30794.129-W0-01 (2005-339-1)的 P.C.T.国际专利申请序号 US2005/024239 的根据 35U.S.C.第365(c)节的权益；美国技术专利申请序号12/234，244,由 Tadao Hashimoto 和 Shuji Nakamura在 2008 年 9 月 19 日提交，名为 “GALLIUM NITRIDE BULK CRYSTALS AND THEIR GROWTHMETHOD”，律师案卷号为 30794.244-US-U1 (2007-809-2)，该申请要求由 Tadao Hashimoto和 Shuji Nakamura在 2007年9 月 19 日提交的名为“GALLIUM NITRIDE BULK CRYSTALS ANDTHEIR GROWTH METHOD”的律师案卷号为30794.244-US-P1 (2007-809-1)的美国临时专利申请序号60/973，662的根据35U.S.C.第119(e)节的权益；美国技术专利申请序号11/977,661，由Tadao Hashimoto在2007年10月25 日提交，名为 “METHOD FOR GROWING GROUP-111 NITRIDE CRYSTALS IN A MIXTUREOF SUPERCRITICAL AMMONIA AND NITROGEN, AND GROUP-111 NITRIDE CRYSTALS GROWNTHEREBY”，律师案卷号为 30794.253-US-U1 (2007-774-2)，该申请要求由 Tadao Hashimoto在 2006 年 10 月 25 日提交的名为“METHOD FOR GROWING GROUP-111 NITRIDE CRYSTALS INMIXTURE OF SUPERCRITICAL AMMONIA AND NITROGEN AND GROUP-1II NITRIDE CRYSTALS”的律师案卷号为30794.253-US-P1 (2007-774)的美国临时专利申请序号60/854，567的根据35U.S.C.第119(e)节的权益；美国技术专利申请序号13/128，083,由 Siddha Pimputkar、DerrickS.Kamber、James S.Speck 和 Shuji Nakamura 在 2011 年 5 月 6 日提交，名为 “REACTORDESIGNS FOR USE IN AMMONOTHERMAL GROWTH OF GROUP-111 NITRIDE CRYSTALS”，律师案卷号为 30794.296-US-WO (2009-283-2)，该申请要求由 Siddha Pimputkar、DerrickS.Kamber、James S.Speck 和 Shuji Nakamura 在 2009 年 11 月 4 日提交的名为 “REACTORDESIGNS FOR USE IN AMMONOTHERMAL GROWTH OF GROUP-111 NITRIDE CRYSTALS”的律师案卷号为 30794.296-W0-U1 (2009-283-2)的 P.C.T.国际专利申请序号 PCT/US09/063239 的根据 35U.S.C.第 365(c)节的权益，此申请要求由 Siddha Pimputkar、Derrick S.Kamber、James S.Speck 和 Shuji Nakamura 在 2008 年 11 月 7 日提交的名为 “REACTOR DESIGNSFOR USE IN AMMONOTHERMAL GROWTH OF GROUP-111 NITRIDE CRYSTALS” 的律师案卷号为30794.296-US-P1 (2009-283-1)的美国临时专利申请序号61/112，560的根据35U.S.C.第119(e)节的权益；美国技术专利申请序号13/128，088,由 Siddha Pimputkar、DerrickS.Kamber> James S.Speck 和 Shuji Nakamura 在 2011 年 5 月 6 日提交，名为 “NOVELVESSEL DESIGNS AND RELATIVE PLACEMENTS OF THE SOURCE MATERIAL AND SEEDCRYSTALS WITH RESPECT TO THE VESSEL FOR THE AMMONOTHERMAL GROWTH OF GROUP-1IINITRIDE CRYSTALS”，律师案卷号为 30794.297-US-WO (2009-284-2)，该申请要求由 SiddhaPimputkar>本文档来自技高网...
【技术保护点】
用于生长晶体的设备，包括：(a)反应器容器，包括至少一个腔体，所述至少一个腔体用于包含用于生长晶体的材料；(b)其中所述反应器容器利用含碳纤维材料作为结构元件，包含用于在所述晶体生长所需的压力或温度下生长所述晶体的所述材料。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·皮姆普特卡，P·范多伦，S·纳卡姆拉，J·S·斯派克，
申请(专利权)人：加利福尼亚大学董事会，
类型：发明
国别省市：美国;US
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