肖特基二极管结构制造技术

本发明专利技术提供一种肖特基二极管结构。其中该肖特基二极管结构包括：半导体基板，具有主动区；第一阱区，形成于该主动区中，其中该第一阱区具有第一导电类型；第一掺杂区，形成于该第一阱区上，其中该第一掺杂区具有该第一导电类型；第一电极，设置于该主动区上，且覆盖该第一掺杂区；第二电极，设置于该主动区上，且接触该第一阱区；栅极结构，设置于该第一阱区上；以及第二掺杂区，形成于该第一阱区上，其中该第二掺杂区具有相反于该第一导电类型的第二导电类型，其中该栅极结构和该第二掺杂区设置于该第一电极和该第二电极之间。本发明专利技术所提供的肖特基二极管结构，可降低逆向偏压条件下的漏电流。

【技术实现步骤摘要】
肖特基二极管结构
本专利技术是有关于一种肖特基二极管结构，特别是有关于一种在逆向偏压条件下具低漏电流的肖特基二极管结构。
技术介绍
肖特基二极管(Schottky d1de,又称为SBD)因为具有多数导电载子(majorityof conduct1n carriers)且在正向偏压下具低导通电压(low turn-on voltage in aforward bias)的优点，所以广泛地应用于电源管理集成电路中来改善电源转换效率。然而，具有低开启电压的肖特基二极管在逆向偏压(reverse bias)下会有漏电流。当装置中使用肖特基二极管时，会因为肖特基势鱼降低效应(Schottky barrier loweringeffect)，所以在逆向偏压条件下的高漏电流问题会变得更加严重 因此，在此
中，有需要一种创新的肖特基二极管结构，降低逆向偏压条件下的漏电流且维持顺向电压条件下具低导通电压的优点，以改善上述缺点。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提出一种肖特基二极管结构。 依据本专利技术第一实施方式，提供一种信肖特基二极管结构。该肖特基二极管结构包括:半导体基板，具有主动区；第一阱区，形成于该主动区中，其中该第一阱区具有第一导电类型；第一掺杂区，形成于该第一阱区上，其中该第一掺杂区具有该第一导电类型;第一电极，设置于该主动区上，且覆盖该第一掺杂区；第二电极，设置于该主动区上，且接触该第一阱区；栅极结构，设置于该第一阱区上；以及第二掺杂区，形成于该第一阱区上，其中该第二掺杂区具有相反于该第一导电类型的第二导电类型，其中该栅极结构和该第二掺杂区设置于该第一电极和该第二电极之间。 依据本专利技术第二实施方式，提供一种肖特基二极管结构。该肖特基二极管结构包括:半导体基板，具有主动区；第一阱区，形成于该主动区中，其中该第一阱区具有第一导电类型；第一掺杂区，形成于该第一阱区上，其中该第一掺杂区具有该第一导电类型；第一电极，设置于该主动区上，且覆盖该第一掺杂区；第二电极，设置于该主动区上，且接触该第一阱区；第二掺杂区，形成于该第一阱区上，其中该第一掺杂区具有相反于该第一导电类型的第二导电类型；以及栅极结构，设置于该第二掺杂区上。 本专利技术所提出的肖特基二极管结构，可降低逆向偏压条件下的漏电流。 【附图说明】 图1A为根据本专利技术实施方式的肖特基二极管结构的剖面图。 图1B为根据本专利技术另一实施方式的肖特基二极管结构的剖面图。 图2A为根据本专利技术又一实施方式的肖特基二极管结构的剖面图。 图2B为根据本专利技术又一实施方式的肖特基二极管结构的剖面图。 【具体实施方式】 本专利技术将参照附图来对具体的实施方式进行描述，并且各实施方式仅用于解释本专利技术的基本原理，而并非用以限制本专利技术。本专利技术的范围应当以权利要求界定的范围为准。其中，描述的附图仅为示意图。在图式或说明书描述中，相似或相同的部分均使用相同的图号。为清楚地解释本专利技术，附图中的一些元件的尺寸可能与本专利技术的实际尺寸不对应，并且可能会被放大(exaggerate)和未按比例绘制。此外，实施方式中图式标号部分重复，是为了简化说明，并非意指不同实施方式之间的关联性。 图1A为根据本专利技术实施方式的肖特基二极管结构500a(Schottky d1destructure)的剖面图。如图1A所示,本专利技术的一个实施方式的肖特基二极管结构500a包括半导体基板200，其具有由例如浅沟槽隔绝物(STI features)的隔绝区201定义出的主动区400。上述半导体基板200为硅基板。在本专利技术其他实施方式中，上述半导体基板200为娃锗基板、块状半导体基板、应变半导体基板(strained semiconductor)、化合物半导体基板、绝缘层上覆娃(silicon on insulator, SOI)基板或其他常用的半导体基板。可利用植入(implant)p型或η型杂质使上述半导体基板200具有理想的导电类型。具有第一导电类型的第一阱区(well reg1n)202，形成于上述主动区400中。具有上述第一导电类型的第一掺杂区204，形成于上述第一阱区202上。在本专利技术的一个实施方式中，上述第一掺杂区204的杂质浓度大于上述第一阱区202的杂质浓度。举例来说，如果第一阱区202视为η型讲区，则上述第一掺杂区204可视为η型重掺杂区(n-type heavily (n+) doped reg1n)。在本专利技术其他实施方式中，如果第一阱区202视为P型阱区，则上述第一掺杂区204可视为P型重掺杂区(p-type heavily (p+) doped reg1n)。在本实施方式中，第一讲区202视为η型阱区，则上述第一掺杂区204视为η型重掺杂区。上述肖特基二极管结构500a进一步包括至少两个电极，作为肖特基二极管结构的阳极和阴极。如图1A所示，第一电极210，设置于主动区400上,且相邻于上述半导体基板200的表面224。在本专利技术的一个实施方式中，上述第一电极210设置覆盖上述第一掺杂区204。并且，第二电极212，设置于上述主动区400上，且相邻于上述半导体基板200的表面224。在本专利技术的一个实施方式中，上述第一电极210和上述第二电极212通过距离d4彼此横向隔开。并且，上述第二电极212并未使用任何重掺杂区(η+掺杂区或P+掺杂区)来接触上述第一阱区202。在本实施方式中，上述第一电极210视为阴极，而上述第二电极212视为阳极。在本专利技术的一个实施方式中，上述第一电极210和上述第二电极212可包括硅化物图案。 如图1A所示，上述肖特基二极管结构500a进一步包括第二掺杂区206，形成于上述第一阱区202上，且设置于上述第一电极210和上述第二电极212之间，其中上述第二掺杂区206具有相反于上述第一导电类型的第二导电类型。举例来说，如果上述第一掺杂区204视为P型重掺杂区(p-type heavily (p+) doped reg1n),则上述第二掺杂区206可视为η型重掺杂区(n-type heavily (n+) doped reg1n)。如果上述第一掺杂区204视为n型重掺杂区(n-type heavily (n+) doped reg1n),则上述第二掺杂区206可视为p型重掺杂区(p-type heavily (p+) doped reg1n)。在本实施方式中，上述第二掺杂区206视为p型重掺杂区。 例如浅沟槽隔绝物(shallowtrench isolat1n features, STI features)的另一个隔绝区208设置于上述第一阱区202中。上述隔绝区208具有相对的两个侧壁，分别相邻于上述第一掺杂区204和上述第二掺杂区206。因此，上述第一掺杂区204和上述第二掺杂区206通过距离dl彼此横向隔开。此外，上述第一电极210和上述第二电极212通过上述隔绝区208彼此隔开。上述距离dl也与上述隔绝区208的宽度相同(上述隔绝区208的宽度因此也标示为dl)。并且，栅极(gate)结构222设置于上述第一阱区202上，且横向位于上述第一电极210和上述第二电极212之间，且相邻于上述第二电极212。如图1A所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种肖特基二极管结构，其特征在于，包括：半导体基板，具有主动区；第一阱区，形成于该主动区中，其中该第一阱区具有第一导电类型；第一掺杂区，形成于该第一阱区上，其中该第一掺杂区具有该第一导电类型；第一电极，设置于该主动区上，且覆盖该第一掺杂区；第二电极，设置于该主动区上，且接触该第一阱区；栅极结构，设置于该第一阱区上；以及第二掺杂区，形成于该第一阱区上，其中该第二掺杂区具有相反于该第一导电类型的第二导电类型，其中该栅极结构和该第二掺杂区设置于该第一电极和该第二电极之间。

【技术特征摘要】
2013.06.26 US 13/927,4681.一种肖特基二极管结构，其特征在于，包括: 半导体基板，具有主动区； 第一阱区，形成于该主动区中，其中该第一阱区具有第一导电类型； 第一掺杂区，形成于该第一阱区上，其中该第一掺杂区具有该第一导电类型； 第一电极，设置于该主动区上，且覆盖该第一掺杂区； 第二电极，设置于该主动区上，且接触该第一阱区； 栅极结构，设置于该第一阱区上；以及 第二掺杂区，形成于该第一阱区上，其中该第二掺杂区具有相反于该第一导电类型的第二导电类型，其中该栅极结构和该第二掺杂区设置于该第一电极和该第二电极之间。2.根据权利要求1所述的肖特基二极管结构，其特征在于，进一步包括: 隔绝区，设置于该第一阱区中，其中该隔绝区具有相对的两个侧壁，该相对的两个侧壁分别相邻于该第一掺杂区和该第二掺杂区。3.根据权利要求2所述的肖特基二极管结构，其特征在于，该第一掺杂区通过该隔绝区与该第二掺杂区隔开。4.根据权利要求2所述的肖特基二极管结构，其特征在于，该栅极结构部分覆盖该隔绝区。5.根据权利要求1所述的肖特基二极管结构，其特征在于，该第二掺杂区设置于该栅极结构的边界内。6.根据权利要求1所述的肖特基二极管结构，其特征在于，该第一掺杂区通过第一距尚与该第二掺杂区隔开。7.根据权利要求6所述的肖特基二极管结构，其特征在于，该栅极结构通过第二距离与该第一电极隔开，其中该第二距离小于该第一距离。8.根据权利要求7所述的肖特基二极管结构，其特征在于，该第二电极通过第三距离与该第二掺杂区隔开，其中该第三距离小于该栅极结构的长度。9.根据权利要求8所述的肖特基二极管结构，其特征在于，该第一电极通过第四距离与该第二电极隔开，其中该第四距离大于该第一距离、该第二距离、该第三距离和该栅极结构的长度。10.根据权利要求1所述的肖特基二极管结构，其特征在于，该栅极结构完全覆盖该第二掺杂区。11.根据权利要求1所述的肖特基二极管结构，其特征在于，该栅极结构相邻于该第二电极。12.根据权利要求1所述的肖特基二极管结构，其特征在于，该第一导电类型为η型，且该第二导电类型为Ρ型。13.根据权利要求12所述的肖特基二极管结构，其特征在于，该第一电极为阴极，且该第二电极为阳极。14.根据权利要求1所述的肖特基二极管结构，其特征在于，该栅极结构为电性浮接。15.根据权利要求1所述的肖特基二极管结构，其特征在于，该栅极结构耦接至该第二电极。16.根据权利要求1所述的肖特基二极管结构，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋柏煜，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71