导线图案化制造技术

本发明专利技术提供的方法包括在布局中放置两条导线。在布局中的两条导线的至少一部分上方放置两条切割线。切割线表示两条导线的切割部分，且在制造工艺限制内切割线彼此间隔开。在布局中连接两条切割线。在物理集成电路中，使用两条连接的平行切割线在衬底上方图案化两条导线。两条导线具有导电性。本发明专利技术提供了一种导线结构以及一种计算机可读介质。

【技术实现步骤摘要】
导线图案化
本专利技术总体涉及集成电路领域，更具体地，涉及导线图案化。
技术介绍
对于集成电路布局中，具有诸如最小间距或间隔的尺寸限制。在一些布局中，使用多晶硅切割（cutpoly）（CPO）图案来切割诸如多晶硅线的导线，但是随着集成电路尺寸的缩小，一些布局方法受到光刻工艺的限制。期望提供克服本领域现状的缺点的方法。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种方法，包括：在布局中放置两条模制导线；在布局中的两条模制导线的至少一部分上方放置两条切割线，切割线指定两条模制导线的切割部分，并且切割线在制造工艺限制内彼此隔离；在布局中连接两条切割线；以及使用所连接的两条切割线，对设置在物理集成电路中的衬底上方的两条物理导线进行图案化。优选地，该方法还包括：在衬底上方形成两条物理导线。优选地，该方法还包括：在与两条模制导线不同的层中的两条切割线之间的位置处将连接导线放置在布局中的两条模制导线之间。优选地，该方法还包括：在物理集成电路的衬底上方形成物理连接导线，物理连接导线在与两条物理导线不同的层中位于两条物理导线之间。优选地，该方法还包括：在物理集成电路中的物理连接导线上方形成至少一个通孔，至少一个通孔电连接至物理连接导线。优选地，图案化两条物理导线包括在位于衬底上方的两条物理导线上蚀刻掉与连接的两条切割线相对应的区域。优选地，图案化的两条物理导线中的每一条都具有第一切角以及与第一切角不同的第二切角。优选地，相对于两条导线的直角线，第一切角为0度。优选地，相对于两条导线的直角线，第二切角介于10度至45度的范围内。优选地，两条物理导线是多晶硅线。优选地，两条物理导线是金属线。根据本专利技术的另一方面，提供了一种导线结构，包括：衬底；以及两条导线，形成在衬底上方，其中，两条导线中的每一条都具有切割部分，切割部分具有第一切角和与第一切角不同的第二切角。优选地，该导线结构还包括：位于两个导线的切割部分之间并且位于与两个导线在不同层中的连接导线。优选地，该导线结构还包括：位于连接导线上方的至少一个通孔，至少一个通孔电连接至连接导线。优选地，相对于两条导线的直角线，第一切角为0度。优选地，相对于两条导线的直角线，第二切角介于10度至45度的范围内。优选地，两条导线为多晶硅线。优选地，两条导线为金属线。根据本专利技术的又一方面，提供了一种计算机可读介质，计算机可读介质包括集成电路布局，集成电路布局包括：两条导线；两条切割线，设置在两条导线的至少一部分的上方，两条切割线彼此的间隔在制造工艺限制内，并且切割线指定两条导线的切割部分；以及连接切割线，连接两条切割线。优选地，集成电路布局还包括：位于两个导线的切割部分之间并且位于与两个导线在不同层中的连接导线。附图说明现结合附图参考以下描述，其中：图1A是根据一些实施例的导线结构的示例性集成电路布局的示图；图1B是根据一些实施例的根据图1A中导线结构的示例性集成电路布局而制造的示例性物理集成电路的截面图；以及图2A至图2D是生成图1A中的示例性集成电路布局和制造图1B中的示例性集成电路的中间步骤。具体实施方式下面详细论述本专利技术各个实施例的制造和使用。然而，应该理解，本专利技术提供了许多可以在各种具体环境中实现的可应用的专利技术构思。所论述的具体实施例仅仅示出了制造和使用本专利技术的具体方式，而不用于限制本专利技术的范围。此外，本专利技术可以在不同实例中重复参考数字和/或字母。这种重复用于简化和清楚的目的，并且其本身不表示所论述的不同实施例和/或布置之间的关系。此外，在本专利技术中，一个部件形成在、连接至和/或偶接至另一个部件上可以包括两个部件以直接接触的方式形成的实施例，也可以包括附加的部件可以形成在两个部件之间，使得两个部件不直接接触的实施例。并且，可以使用空间相对位置术语，例如，“下面”、“上面”、“水平”、“垂直”、“在….上方”、“在…上面”、“在…下方”、“在…下面”、“在…之上”、“在…之下”、“在…顶部”、“在…底部”等以及它们的衍生词（例如，“水平地”、“向下地”、“向上地”等），以便于描述如本专利技术中所示的一个部件与另一个部件之间的关系。空间相对位置术语旨在涵盖包括这些部件的器件的不同方位。图1A是根据一些实施例的导线结构的示例性集成电路布局100的示图。集成电路布局100包括有源区102（其中形成有诸如晶体管的器件）、模制导线104（诸如多晶硅）、切割线106（诸如多晶硅切割（CPO）图案）、位于另一层的其他导线108（诸如金属层图案）以及通孔110。可以通过基于计算机的系统生成集成电路布局100，并且将其储存在计算机可读介质中。布局100中模制导线104表示将要形成在衬底上方的物理集成电路中的电导线。模制导线104可以包括多晶硅或诸如金属层中的金属的其他导电材料。根据集成电路的设计，切割线106表示将在此位置的模制导线104去除以用于电连接/断开的切割部分或图案化区。在示例性布局区111中，具有两条模制导线104以及覆盖两条模制导线104的一部分的两条切割线106a。在制造工艺中，两条切割线106a彼此的间距在制造工艺的限制内。例如，在一些实施例中，布局100中切割线106a之间的最小间距为0.08μm并且小于对切割线106a的光刻工艺限制。两条切割线106a的彼此间隔在0.13μm的工艺限制内。为了有助于制造工艺，在布局100中，通过连接的切割线106b来连接两条切割线106a。如以下结合图2C至图2D所述，在制造工艺中，将连接后的切割线106a和106b一起蚀刻掉。图1B是根据一些实施例的根据图1A中的导线结构的示例性集成电路布局100制造的示例性物理集成电路的截面图。截面图是沿着切割线A-A’截取的。衬底101包括有源区102，并且包括硅或其他任何合适的材料。浅沟槽隔离（STI）区103位于有源区102之间以用于电隔离，并且浅槽隔离（STI）区103包括二氧化硅或其他任何合适的材料。示出的物理导线104具有用介电材料填充的切割部分105。切割部分105由在布局100中示出的切割线106a生成，这表示在制造工艺期间，将去除切割线106a区内的图1A中的模制导线104。在一些实施例中，物理导线104可以是多晶硅线。在其他实施例中，物理导线104可位于金属层中。示出了在诸如金属层的不同层中的另一导线108a。金属层中的连接导线108a可以电连接多晶硅层中的两条物理导线104。示出的通孔110用于电连接至导线108（例如，金属层）。在一些实施例中，至少有一个通孔110设置在连接导线108的上方，其中该至少一个通孔110电连接至连接导线108。介电层109用于绝缘并且包括二氧化硅、氮化硅或其他任何合适的材料。图2A至图2D是生成图1A中的示例性集成电路布局100和制造图1B中的示例性集成电路的中间步骤。在图2A中，在与图1A中的布局100相似的集成电路布局中示出了两条模制导线104和两条切割线106a。在一些实施例中，两条模制导线104彼此平行，两条切割线106a彼此平行，并且两条模制导线104与两条切割线106a相交成直角。例如，模制导线104可以是多晶硅线或金属线。切割线106a彼此的间隔在制造工艺的限制内。例如，在一些实施例中，对切割线106a的光刻工艺限制为0.13μm，而布局中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在布局中放置两条模制导线；在所述布局中的所述两条模制导线的至少一部分上方放置两条切割线，所述切割线指定所述两条模制导线的切割部分，并且所述切割线在制造工艺限制内彼此隔离；在所述布局中连接所述两条切割线；以及使用所连接的所述两条切割线，对设置在物理集成电路中的衬底上方的两条物理导线进行图案化。

【技术特征摘要】
2013.06.28 US 13/930,8591.一种用于制造导线结构的方法，包括：在布局中放置两条模制导线；在所述布局中的所述两条模制导线的至少一部分上方放置两条切割线，所述切割线指定所述两条模制导线的切割部分，并且所述切割线在制造工艺限制内彼此隔离；在所述布局中连接所述两条切割线；以及使用所连接的所述两条切割线，对设置在物理集成电路中的衬底上方的两条物理导线进行图案化。2.根据权利要求1所述的用于制造导线结构的方法，还包括：在所述衬底上方形成所述两条物理导线。3.根据权利要求1所述的用于制造导线结构的方法，还包括：在与所述两条模制导线不同的层中的所述两条切割线之间的位置处将连接导线放置在所述布局中的所述两条模制导线之间。4.根据权利要求3所述的用于制造导线结构的方法，还包括：在所述物理集成电路的所述衬底上方形成物理连接导线，所述物理连接导线在与所述两条物理导线不同的层中位于所述两条物理导线之间。5.根据权利要求3所述的用于制造导线结构的方法，还包括：在所述物理集成电路中的所述物理连接导线上方形成至少一个通孔，所述至少一个通孔电连接至所述物理连接导线。6.根据权利要求1所述的用于制造导线结构的方法，其中，图案化所述两条物理导线包括在位于所述衬底上方的所述两条物理导线上蚀刻掉与连接的所述两条切割线相对应的区域。7.根据权利要求1所述的用于制造导线结构的方法，其中，图案化的所述两条物理导线中的每一条都具有第一切角以及与所述第一切角不同的第二切角。8.根据权利要求7所述的用于制造导线结构的方法，其中，相对于所述两条导线的直角线，所述第一切角为0度。9.根据权利要求7所述的用于制造导线结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘如淦，谢东衡，蔡宗杰，吴俊毅，李亮峣，丁至刚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71