有机发光装置以及包括该有机发光装置的平板显示装置制造方法及图纸

有机发光装置和平板装置，所述有机发光装置包括第一电极；第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层包括发射层，所述发射层包括至少一个N‑掺杂层。

【技术实现步骤摘要】
有机发光装置 相关申请的交叉引用 于2013年6月12日向韩国知识产权局提交的第10-2013-0067325号名称为有 机发光装置的韩国专利申请整体通过引用并入本文。
技术介绍
1.抟术领域 实施方案涉及有机发光装置。 2.相关枋太描沭 为自发射装置的有机发光装置（0LED)可以具有诸如广视角、优异对比度、快速响 应、高亮度以及优异的驱动电压特性的优点，并且可以提供多色图像。 0LED可以具有一种结构，包括：例如，衬底、布置在衬底上的阳极，以及依次堆叠 在阳极上的空穴传输层（HTL)、发射层（EML)、电子传输层（ETL)和阴极。对此，HTUEML和 ETL是由有机化合物形成的有机薄膜。 具有上述结构的0LED的操作原理如下。 当在阳极和阴极之间施加电压时，从阳极注入的空穴可以通过HTL迁移至EML，并 且从阴极注入的电子可以通过ETL迁移至EML。空穴和电子可以在EML中再结合以产生激 子。当激子从激发态下降至基态时，可以发射光。 专利技术概述 实施方案涉及有机发光装置。 可以通过提供有机发光装置来实现实施方案，所述有机发光装置包括：第一电极； 第二电极；以及在第一电极与第二电极之间的有机层，其中有机层包括发射层，发射层包 括至少一个N-掺杂层。 有机层可以进一步包括电子传输层，至少一个N-掺杂层接触电子传输层。 有机层可以进一步包括电子传输层和空穴传输层，发射层可以包括两个N-掺杂 层，N-掺杂层之一可以接触电子传输层，并且另一个N-掺杂层可以位于发射层中。 发射层可以包括主体和掺杂剂，发射层的掺杂剂可以与至少一个N-掺杂层的掺 杂剂相同。 发射层可以包括主体和掺杂剂，发射层的掺杂剂可以与至少一个N-掺杂层的掺 杂剂不同。 至少一个N-掺杂层的掺杂剂可以包括基于硼的化合物。 至少一个N-掺杂层的掺杂剂可以包括喹啉锂。 至少一个N-掺杂层可以具有约2〇 A至约1〇〇 A的厚度。 有机层可以包括发射层，并且进一步包括空穴注入层、空穴传输层或具有空穴注 入和空穴传输能力的功能层，并且发射层可以包括红色、绿色、蓝色和白色发射层,其中之 一包括磷光化合物。 空穴注入层、空穴传输层或者具有空穴注入和空穴传输能力的功能层中至少之一 可以包含电荷产生材料。 电荷产生材料可以包括p-型掺杂剂。 p-型掺杂剂可以包括醌衍生物。 p-型掺杂剂可以包括金属氧化物。 p-型掺杂剂可以包括含氰基的化合物。 有机层可以进一步包括电子传输层，电子传输层包含电子传输有机化合物和金属 络合物。 金属络合物可以包括锂络合物。 金属络合物可以包括喹啉锂。 金属络合物可以包括由以下化合物203表示的络合物： 〈化合物 203> 本文档来自技高网...

【技术保护点】
有机发光装置，包括：第一电极；第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层包括发射层，所述发射层包括至少一个N‑掺杂层。

【技术特征摘要】
2013.06.12 KR 10-2013-00673251. 有机发光装置，包括： 第一电极； 第二电极；以及 在所述第一电极与所述第二电极之间的有机层， 其中所述有机层包括发射层，所述发射层包括至少一个N-掺杂层。2. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述有机层还包括电子传输层，所述至少 一个N-掺杂层接触所述电子传输层。3. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中： 所述有机层还包括电子传输层和空穴传输层， 所述发射层包括两个N-掺杂层， 所述N-掺杂层之一接触所述电子传输层，以及 另一个N-掺杂层位于所述发射层中。4. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述发射层包括主体和掺杂剂，所述发射 层的掺杂剂与所述至少一个N-掺杂层的掺杂剂相同。5. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述发射层包括主体和掺杂剂，所述发射 层的掺杂剂与所述至少一个N-掺杂层的掺杂剂不同。6. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述至少一个N-掺杂层的掺杂剂包括基于 硼的化合物。7. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述至少一个N-掺杂层的掺杂剂包括喹啉 锂。8. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述至少一个N-掺杂层的厚度为约20A 至约100A。9. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中： 所述有机层包括所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈重元，李宽熙，田炳勳，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR