等离子体处理装置及等离子体处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供在对等离子体生成用高频电力和高频偏置电力进行时间调制的等离子体处理装置中能稳定地供应高频偏置电力的等离子体处理装置。本发明专利技术的等离子体处理装置具备：供应用于在真空容器内生成等离子体的第一高频电力的第一高频电源、对载置样品的样品台供应第二高频电力的第二高频电源、以及第二高频电源的匹配器，在对第一高频电力和第二高频电力进行时间调制的情况下，匹配器在采样有效期间内采样用于进行匹配的信息，该采样有效期间设为从以时间调制后的第二高频电力的导通开始时间作为开始时间的给定时间经过后起至导通结束时间为止的期间；且从导通结束时间后起至下一采样有效期间为止，进行控制来维持在采样有效期间内所进行的匹配状态。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置及等离子体处理方法
本专利技术涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法，特别涉及适合为了加工半导体元件等的样品而使用等离子体来实施高精度的蚀刻处理的等离子体处理装置以及等离子体处理方法。
技术介绍
现有技术中，作为对半导体元件的表面进行处理的方法，以等离子体来蚀刻半导体元件的装置是公知的。在此，以电子回旋共振(ElectronCyclotronResonance：ECR，以下，简称为ECR)方式的等离子体蚀刻装置为例来说明现有技术。在该ECR方式中，在从外部施加了磁场的真空容器中通过微波来产生等离子体。电子通过磁场而回旋运动，通过使该频率与微波的频率共振，能效率良好地生成等离子体。由于要对入射至半导体元件的离子进行加速，因此将高频电力按照大致正弦波以连续波形施加至样品。在此，以下，将施加至样品的高频电力称为高频偏置。另外，针对样品，作为一例，记载有晶片的情况。另外，作为等离子体的气体广泛使用了氯或氟等的卤素气体。被蚀刻材料与由等离子体产生的自由基(radical)或离子进行反应，从而蚀刻进行。为了高精度地控制蚀刻加工，需要进行基于等离子体控制的自由基种的选择或离子量的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，具备：真空容器；第一高频电源，其供应用于在所述真空容器内生成等离子体的第一高频电力；样品台，其配置于所述真空容器内，用于载置样品；第二高频电源，其对所述样品台供应第二高频电力；以及匹配器，其抑制所述第二高频电力的反射电力，所述等离子体处理装置的特征在于，在对所述第一高频电力和所述第二高频电力进行时间调制的情况下，所述匹配器在采样有效期间内采样用于进行匹配的信息，该采样有效期间设为从以所述时间调制后的第二高频电力的导通开始时间作为开始时间的给定时间经过后起至所述时间调制后的第二高频电力的导通结束时间为止的期间，且从所述导通结束时间后起至下一采样有效期间为止，进行控制来维持在...

【技术特征摘要】
2013.06.06 JP 2013-1193961.一种等离子体处理装置，具备：真空容器；第一高频电源，其供应用于在所述真空容器内生成等离子体的第一高频电力；样品台，其配置于所述真空容器内，用于载置样品；第二高频电源，其对所述样品台供应第二高频电力；以及匹配器，其进行用于抑制所述第二高频电力的反射的匹配，所述等离子体处理装置的特征在于，在对所述第一高频电力和所述第二高频电力进行时间调制的情况下，所述匹配器在所述时间调制后的第二高频电力的导通期间内的采样有效期间内取得用于进行所述匹配的信息，所述采样有效期间是从基于时间调制后的等离子体的密度而求取到的给定时间经过后起至所述时间调制后的第二高频电力的导通结束时间为止的期间，并且基于用于对所述第二高频电力进行时间调制的频率、用于对所述第二高频电力进行时间调制的占空比、和所述给定时间来求取，所述给定时间在所述时间调制后的第二高频电力的导通期间内从所述时间调制后的第二高频电力的导通开始时间起开始，并且不取得用于进行所述匹配的信息。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述给定时间基于所述第二高频电力的峰峰值即Vpp稳定所需的时间来求取。3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述给定时间基于所述等离子体的发光强度稳定所需的时间来求取。4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述匹配器从所述采样有效期间后起至下一次的所述采样有效期间为止，维持在所述采样有效期间内所进行的匹配的状态。5.根据权利要求1所述的等离...

【专利技术属性】
技术研发人员：森本未知数，安井尚辉，大越康雄，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：日本;JP