杀真菌的嘧啶化合物制造技术

本发明专利技术涉及杀真菌的嘧啶化合物，其用途以及防治植物病原性真菌的方法。本发明专利技术还涉及用至少一种该化合物处理的种子。此外，本发明专利技术涉及制备式I化合物的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及杀真菌的嘧啶化合物，其用途以及防治植物病原性真菌的方法。本专利技术还涉及用至少一种该化合物处理的种子。此外，本专利技术涉及制备式I化合物的方法。【专利说明】杀真菌的嘧啶化合物 本专利技术涉及杀真菌的嘧啶化合物，其用途以及防治植物病原性真菌的方法。本发 明还涉及用至少一种该化合物处理的种子。此外，本专利技术涉及制备式I化合物的方法。 WO 2011007839 Al描述了 4-(3- 丁炔基）氨基嘧啶衍生物，它们为用于农业和园 艺用途的害虫防治剂。 EP 264217 A2公开了某些芳烷基氨基嘧啶衍生物，它们可以用作杀虫剂、杀螨剂 和杀真菌剂。 本专利技术化合物与上述公布中所述那些的不同在于中央苯基环总是被杂芳氧基取 代基取代且所述苯基环和氨基嘧啶结构部分之间的连接基为如本文所述的丁炔基衍生基 团。 在许多情况下，尤其是在低施用率下，已知杀真菌化合物的杀真菌活性并不令人 满意。基于此，本专利技术的目的是要提供对植物病原性真菌具有改进活性和/或更宽活性谱 的化合物。该目的通过使用对植物病原性有害真菌具有良好杀真菌活性的式I的取代嘧啶 化合物实现。 因此，本专利技术涉及式I化合物以及式I化合物的N-氧化物和可农用盐：【权利要求】1.式I化合物以及式I化合物的N-氧化物和可农用盐： 其中：Ra2、Ra5、Ra6相互独立地为氢、卤素、CN、N02、OH、SH、C 1-C4烷基、C「C4卤代烷基、C「C4烷 氧基、C1-C4卤代烷氧基、C1-C4烷硫基、C 1-C4卤代烷硫基、C1-C4烷基亚磺酰基、C1-C 4卤代烷 基亚磺酰基、C1-C4烷基磺酰基、C1-C 4卤代烷基磺酰基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷基、C 1-C4烷氧 基-C1-C4烷氧基X2-C 4链烯基X2-C4炔基、C2-C4卤代链烯基、C 2-C4卤代炔基、C3-C8环烷基、 C3-C8 环烷氧基、C3-C8 环烷基-C1-C4 烷基、NRARB、C( = 0)V、C( = NOR" )R" ^ 或 C(= NH)-〇-R" z ; RA、Rb相互独立地为氢、C1-C4烷基、C 2-C4链烯基、C2-C4炔基、苯基、苄基、C3-C 8环烷基、 C3-C8 环烯基或（C = O)-R'; V为氢、OH、NH2、C1-C4烷基、C1-C 4卤代烷基、C2-C4链烯基、C2-C4炔基、C 1-C4烷氧基、 C1-C4卤代烷氧基、C1-C4烷基氨基或二（C 1-C4烷基）氨基； R"为氢^C1-C4烧基、C1-C4齒代烧基、C 2-C4链稀基、C2-C4块基或C1-C 4烧氧基-C1-C4烧 基； C为氢或C1-C4烧基；或者 Ra5、Ra6与它们所连接的两个环成员碳原子一起形成稠合5、6或7员饱和、部分不饱和 或芳族碳环或杂环，其中该稠合杂环的环成员原子除了碳原子外还包括1、2、3或4个选自 N、0和S的杂原子且其中该稠合碳环或杂环未被取代或者带有1、2、3或4个选自卤素、CN、 C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、C1-C 4卤代烷基和C1-C4卤代烷氧基的相同或不同基团； R为氢^C1-C4烧基、C1-C4 1?代烧基X1-C4烧氧基X1-C4 ?'代烧氧基、C1-C4烧氧基_C「C4 烷基、C1-C4卤代烷氧基-C1-C4烷基、C 2-C4链烯基、C2-C4卤代链烯基、C2-C 4炔基、C2-C4卤代 炔基、CN、CH2CN、NR aRb 或 CH2-O-C ( = 0) R'; R1、R2相互独立地为氧、齒素、CN、OH、CfC4烧基、CfC 4 1?'代烧基、C1-C4烧氧基、C1-C 4齒 代烷氧基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷基、C 1-C4卤代烷氧基-C1-C4烷基、C2-C 4链烯基、C2-C4卤代 链烯基X2-C 4炔基、C2-C4卤代炔基、C3-C8环烷基X 3-C8环烷基-C1-C4烷基、C3-C 8环烷氧基、 NRARB、C( = 0)R'、C( = N0R" )R" '、C( = NH)-〇-R"'或苄基，其中苄基的苯基结构部 分未被取代或者带有1、2、3、4或5个选自CN、卤素、C1-C 4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧 基、C 1-C4卤代烷氧基、（C1-C4烷氧基）羰基和二（C 1-C4烷基）氨基羰基的取代基； 或者两个键于相同碳原子的基团R1和R2与所述碳原子一起形成饱和或部分不饱和3、 4、5、6或7员碳环或饱和或部分不饱和3、4、5、6或7员杂环，其中上述杂环的环成员原子除 了碳原子外包括1、2、3或4个选自N、0和S的杂原子并且其中上述环未被取代或带有1、 2、3或4个选自卤素、CN、OH、SH、C1-C4烷基、C1-C 4烷氧基或C1-C4烷硫基的取代基；以及上 述环的一个或两个CH2基团可以分别被一个或两个C( = 0)或C( = S)基团替代； X 为选自-CR3R4-、-c( = 0)-、-c( = s)-、-c( = NRd)-和-c( = NORd)-的二价基团， 其中 Rd为氢或C1-C4烷基，以及其中 R3和R4相互独立地为氢、CNX1-C4羟基烷基、C 1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C 4烷氧基、 C1-C4卤代烷氧基、C1-C4烷氧基-C 1-C4烷基、C1-C4卤代烷氧基-C1-C 4烷基、C2-C4链烯基、 C2-C4卤代链烯基、C2-C4炔基、C 2-C4卤代炔基、C3-C8环烷基、C3-C 8环烷基-C1-C4烷基、C3-C8 环烷氧基、顺￥、(：（ = 0)1^、(：（=勵1?")1?"'、-(：(=順)-0-1?"'或苄基，其中苄基的 苯基结构部分未被取代或者带有1、2、3、4或5个选自CN、卤素、C 1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、 C1-C4烷氧基X1-C4齒代烷氧基、（C 1-C4烷氧基）羰基和二（C1-C4烷基）氨基羰基的取代基， 或 两个键于相同碳原子上的基团R3和R4与所述碳原子一起形成饱和或部分不饱和3、4、 5、6或7员碳环或饱和或部分不饱和3、4、5、6或7员杂环，其中上述杂环的环成员原子除了 碳原子外包括1、2、3或4个选自N、0和S的杂原子并且其中上述环未被取代或带有1、2、3 或4个选自卤素、CN、OH、SH、C 1-C4烷基、C1-C4烷氧基或C1-C 4烷硫基的取代基；以及上述环 的一个或两个CH2基团可以分别被一个或两个C( = 0)或C( = S)基团替代； η表示苯基环上取代基Rb的数目且η为0、1、2、3或4 ; Rb为卤素、ClNOyC1-C4烷基、C1-C 4卤代烷基、C1-C4烷氧基X1-C4卤代烷氧基、C 2-C4链 烯基、C2-C4 卤代链烯基、C2-C4 炔基、C2-C4 卤代炔基、NRaRb、C ( = 0) R '、C ( = NOR ") R "' 或 C( = NH)-〇-R"，， 其中对于η = 2、3或4, Rb可以相同或不同； Het为5或6员杂芳基，其中该杂芳基的环成员原子除了碳原子外包括1、2、3或4个选 自N、0和S的杂原子且其中该杂芳基未被取代或带有1、2、3或4个相同或不同的基团Re: Re为卤素、CN、NO2 AH2X1-C6本文档来自技高网...

【技术保护点】
式I化合物以及式I化合物的N‑氧化物和可农用盐：其中：Ra2、Ra5、Ra6相互独立地为氢、卤素、CN、NO2、OH、SH、C1‑C4烷基、C1‑C4卤代烷基、C1‑C4烷氧基、C1‑C4卤代烷氧基、C1‑C4烷硫基、C1‑C4卤代烷硫基、C1‑C4烷基亚磺酰基、C1‑C4卤代烷基亚磺酰基、C1‑C4烷基磺酰基、C1‑C4卤代烷基磺酰基、C1‑C4烷氧基‑C1‑C4烷基、C1‑C4烷氧基‑C1‑C4烷氧基、C2‑C4链烯基、C2‑C4炔基、C2‑C4卤代链烯基、C2‑C4卤代炔基、C3‑C8环烷基、C3‑C8环烷氧基、C3‑C8环烷基‑C1‑C4烷基、NRARB、C(＝O)R′、C(＝NOR″)R″′或C(＝NH)‑O‑R″′；RA、RB相互独立地为氢、C1‑C4烷基、C2‑C4链烯基、C2‑C4炔基、苯基、苄基、C3‑C8环烷基、C3‑C8环烯基或(C＝O)‑R′；R′为氢、OH、NH2、C1‑C4烷基、C1‑C4卤代烷基、C2‑C4链烯基、C2‑C4炔基、C1‑C4烷氧基、C1‑C4卤代烷氧基、C1‑C4烷基氨基或二(C1‑C4烷基)氨基；R″为氢、C1‑C4烷基、C1‑C4卤代烷基、C2‑C4链烯基、C2‑C4炔基或C1‑C4烷氧基‑C1‑C4烷基；R′为氢或C1‑C4烷基；或者Ra5、Ra6与它们所连接的两个环成员碳原子一起形成稠合5、6或7员饱和、部分不饱和或芳族碳环或杂环，其中该稠合杂环的环成员原子除了碳原子外还包括1、2、3或4个选自N、O和S的杂原子且其中该稠合碳环或杂环未被取代或者带有1、2、3或4个选自卤素、CN、C1‑C4烷基、C1‑C4烷氧基、C1‑C4卤代烷基和C1‑C4卤代烷氧基的相同或不同基团；R为氢、C1‑C4烷基、C1‑C4卤代烷基、C1‑C4烷氧基、C1‑C4卤代烷氧基、C1‑C4烷氧基‑C1‑C4烷基、C1‑C4卤代烷氧基‑C1‑C4烷基、C2‑C4链烯基、C2‑C4卤代链烯基、C2‑C4炔基、C2‑C4卤代炔基、CN、CH2CN、NRARB或CH2‑O‑C(＝O)R′；R1、R2相互独立地为氢、卤素、CN、OH、C1‑C4烷基、C1‑C4卤代烷基、C1‑C4烷氧基、C1‑C4卤代烷氧基、C1‑C4烷氧基‑C1‑C4烷基、C1‑C4卤代烷氧基‑C1‑C4烷基、C2‑C4链烯基、C2‑C4卤代链烯基、C2‑C4炔基、C2‑C4卤代炔基、C3‑C8环烷基、C3‑C8环烷基‑C1‑C4烷基、C3‑C8环烷氧基、NRARB、C(＝O)R′、C(＝NOR″)R″′、C(＝NH)‑O‑R″′或苄基，其中苄基的苯基结构部分未被取代或者带有1、2、3、4或5个选自CN、卤素、C1‑C4烷基、C1‑C4卤代烷基、C1‑C4烷氧基、C1‑C4卤代烷氧基、(C1‑C4烷氧基)羰基和二(C1‑C4烷基)氨基羰基的取代基；或者两个键于相同碳原子的基团R1和R2与所述碳原子一起形成饱和或部分不饱和3、4、5、6或7员碳环或饱和或部分不饱和3、4、5、6或7员杂环，其中上述杂环的环成员原子除了碳原子外包括1、2、3或4个选自N、O和S的杂原子并且其中上述环未被取代或带有1、2、3或4个选自卤素、CN、OH、SH、C1‑C4烷基、C1‑C4烷氧基或C1‑C4烷硫基的取代基；以及上述环的一个或两个CH2基团可以分别被一个或两个C(＝O)或C(＝S)基团替代；X为选自‑CR3R4‑、‑C(＝O)‑、‑C(＝S)‑、‑C(＝NRD)‑和‑C(＝NORD)‑的二价基团，其中RD为氢或C1‑C4烷基，以及其中R3和R4相互独立地为氢、CN、C1‑C4羟基烷基、C1‑C4烷基、C1‑C4卤代烷基、C1‑C4烷氧基、C1‑C4卤代烷氧基、C1‑C4烷氧基‑C1‑C4烷基、C1‑C4卤代烷氧基‑C1‑C4烷基、C2‑C4链烯基、C2‑C4卤代链烯基、C2‑C4炔基、C2‑C4卤代炔基、C3‑C8环烷基、C3‑C8环烷基‑C1‑C4烷基、C3‑C8环烷氧基、NRARB、C(＝O)R′、C(＝NOR″)R″′、‑C(＝NH)‑O‑R″′或苄基，其中苄基的苯基结构部分未被取代或者带有1、2、3、4或5个选自CN、卤素、C1‑C4烷基、C1‑C4卤代烷基、C1‑C4烷氧基、C1‑C4卤代烷氧基、(C1‑C4烷氧基)羰基和二(C1‑C4烷基)氨基羰基的取代基，或两个键于相同碳原子上的基团R3和R4与所述碳原子一起形成饱和或部分不饱和3、4、5、6或7员碳环或饱和或部分不饱和3、4、5、6或7员杂环，其中上述杂环的环成员原子除了碳原子外包括1、2、3或4个选自N、O和S的杂原子并且其中上述环未被取代或带有1、2、3或4个选自卤素、CN、OH、SH、C1‑C4烷基、C1‑C4烷氧基或C1‑C4烷硫基的取代基；以及上述环的一个或两个CH2基团可以分别被...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·格拉梅诺斯，I·R·克雷格，N·布戴，B·米勒，J·迪茨，E·M·W·劳特瓦瑟尔，J·K·洛曼，J·孟泰戈，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE