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一种存储器制造技术

技术编号:10784656 阅读:131 留言:0更新日期:2014-12-17 11:54
本发明专利技术提供了一种存储器,包括两组存储单元子阵列以及并排设置在两组存储单元子阵列之间的译码模块。译码模块包括:至少一个预译码模块、至少一个第一最终译码模块和至少一个第二最终译码模块。第一最终译码模块与预译码模块数目相同。每个第一最终译码模块经由第一预译码地址信号线与一个对应的预译码模块相连接。每个第二最终译码模块经由第二预译码地址信号线与一个对应的预译码模块相连接。连接到同一个预译码模块的第一最终译码模块和第二最终译码模块分别位于同一个预译码模块的两侧。本发明专利技术有效减少了字线在译码模块上的分布,从而减少存储器内的布线拥塞,提高了布线效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种存储器,包括两组存储单元子阵列以及并排设置在两组存储单元子阵列之间的译码模块。译码模块包括:至少一个预译码模块、至少一个第一最终译码模块和至少一个第二最终译码模块。第一最终译码模块与预译码模块数目相同。每个第一最终译码模块经由第一预译码地址信号线与一个对应的预译码模块相连接。每个第二最终译码模块经由第二预译码地址信号线与一个对应的预译码模块相连接。连接到同一个预译码模块的第一最终译码模块和第二最终译码模块分别位于同一个预译码模块的两侧。本专利技术有效减少了字线在译码模块上的分布,从而减少存储器内的布线拥塞,提高了布线效率。【专利说明】一种存储器
本专利技术总地涉及数据存储领域,并且,更具体地,涉及一种存储器。
技术介绍
对于当今的芯片,存储器消耗了大量的芯片面积,并且一直是限制芯片以较低操 作电压和较高速度运行的瓶颈。此外,在布局布线设计中,存储器一直占用大量金属布线资 源,并导致了严重的较高金属层的布线拥塞问题,例如40nm工艺中的第五金属层。 对存储器来说,是字线而非时钟来决定设计。字线的寄生阻容(RC)延迟极大地影本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器,包括两组存储单元子阵列以及并排设置在所述两组存储单元子阵列之间的译码模块,所述译码模块包括:用于对地址信号进行预译码的至少一个预译码模块;以及用于对经预译码的地址信号进行最终译码并经由字线将经最终译码的地址信号传送到对应的一组存储单元子阵列的至少一个第一最终译码模块和至少一个第二最终译码模块;其中,所述至少一个第一最终译码模块与所述至少一个预译码模块数目相同,每个第一最终译码模块经由第一预译码地址信号线与一个对应的预译码模块相连接;每个第二最终译码模块经由第二预译码地址信号线与一个对应的预译码模块相连接;以及连接到同一个预译码模块的第一最终译码模块和第二最终译码模块分别位于所述同一...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄永昌
申请(专利权)人:辉达公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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